• Proceedings of the Korean Institute of Communication Sciences Conference
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• 1992.06a
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• pp.389-395
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• 1992

• The Magazine of the IEIE
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• v.18 no.12
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• pp.20-28
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• 1991

• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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• 2003.02a
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• pp.192-193
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• 2003

광학박막은 유리, 플라스틱, 실리콘, 금속 기판 등에서 표면의 반사율, 투과율, 흡수율과 편광상태 등의 광학적 특성을 변화시키기 위해 광학표면에 코팅을 하여 많이 사용하고 있으며, 파장영역으로는 수 nm의 연x선부터 자외선, 가시광선과 수십 $\mu$m의 적외선까지 적용할 수 있고, 광학기기에서는 대부분의 광학부품이 광학적 특성을 증진시키기 위하여 각각의 목적에 맞도록 코팅되어 있다. 광학코팅의 종류로는 단순한 무반사코팅으로부터 고반사코팅, 칼라필터, 간섭필터, 편광분리기코팅, 마이너스필터 등까지 매우 다양하다. (중략)

• Korean Journal of Optics and Photonics
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• v.7 no.4
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• pp.419-427
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• 1996

Thermally-stabilized fiber-optic current sensors are proposed and demonstrated. The sensor head is made of two coil formers combined perpendicularly. In this sensor head, bending-induced birefringences can be reduced to the level much smaller than those of the single former type because the eigen-axes of the two perpendicular coil formers are made orthogonal to each other. Moreover, thermal variation of the birefringence is also expected to be minimized by the orthogonality of the two polarization eigen-axes. We changed the temperature slowly in the range of 20~45$^{\circ}C$ during 100 minutes. The overall linearity of the sensor is better than 1.2% in the range of 0~1000A. The long-term fluctuation of the sensor is less than 1% when measured for 3 hours at 500A and room temperature. Two orthogonally-polarized laser diodes are combined together to make the incident beam unpolarized. In the signal processing, the signals are separated by two parts and normalized respectively, which minimize the efects of optical fluctuations coming from sources, connectors, etc.

• Korean Journal of Optics and Photonics
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• v.8 no.5
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• pp.420-425
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• 1997

An interaction-free measurement system with the polarization-based Mach-Zehnder interferometer structure is described. Properties of the system are investigated especially for nonopaque objects. Here it is shown that the interaction-free measurement of such objects is possible. Our system, whose detection efficiency corresponds to 70% in the sense of interaction-free measurement, was implemented and preliminary experiments were performed to show its feasibility.

• Korean Journal of Optics and Photonics
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• v.10 no.2
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• pp.114-119
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• 1999

In an interation-free measurement system with the polarization-based Mach-Zehnder interferometer structure, effects of two system imperfections, i.e., the system loss and the low quantum efficiency of photon detectors, on the system perfomance are analyzed, Although both the two system imperfections limit the maximal defection efficiency that can be achievable, we show that the quantum efficiency of photon detectors is less important when the system loss becomes small. In addition, for given system losses and quantum efficiencies, we derive the maximal detection efficiencies that can be achievable.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2002.04b
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• pp.105-108
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• 2002

We report on the polarization-insensitive design and fabrication of an arrayed waveguide gratings (AWG's) using sol-gel derived silica glass films formed on fused silica substrates to provide cheap and stable tools for better design. An arrayed-waveguide grating multiplexer with raised structure is fabricated in order to effect polarization sensitivity. Since polarization is usually not known after propagation in an optical fiber. passive WDM components such as monolithic wavelength demultiplexer have to be polarization insensitive. Here, we observed that polarization have effect on crosstalk of output spectrum in arrayed-waveguide grating

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2013.08a
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• pp.225.2-225.2
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• 2013

실리콘기반의 광전변환 소자는 소자공정의 편의성, 소자 신뢰성, 화학적 안정성, 그리고 저가경쟁력 등의 이점 때문에 수 십 년간 널리 연구되어 왔다. 그러나, 실리콘 재료의 경우 높은 굴절률로 인해 표면에서 높은 광 반사도를 가지고 있다. 일반적으로, 태양전지의 광전변환 효율은 빛이 서로 다른 유전율을 가진 계를 통과할 때 발생하는 계면반사로 인한 물리적인 한계를 가진다. Indium Tin Oxide (ITO)는 발광 다이오드, 태양전지, 그리고 광 검출기 등의 광소자에 적용하기 위해 수 년간 투명전도 산화막 재료로서 연구되어 왔다. ITO의 뛰어난 광학적, 전기적 특성은 높은 투과도와 낮은 전기 전도도를 요구하는 소자 응용에 대해 유망한 후보로 거듭나게 했다. 게다가, ITO의 굴절률은 대략 2정도이다. 그 결과, ITO는 반도체 기반 태양전지의 무반사 코팅 소재로서도 장점을 가지고 있다. 본 연구는 전자빔 증착법으로 경사입사 증착을 하여 실리콘 기반 태양전지에 증착될 ITO 박막의 굴절률을 조절한다. 여기서, 실리콘의 굴절률은 대략 3.5정도이다. 그러므로, 더 나은 광학적 특성을 가지기 위해 다층으로 올려진 ITO 박막이 점진적인 굴절률 변화를 가지는 것을 필요로 한다. 점진적 굴절률 변화를 가진 무반사 박막이 실리콘 태양전지의 특성에 미치는 영향을 평가하기 위해 광전변환 효율을 측정하였다. 증착된 박막의 굴절률과 표면형상은 각각 타원편광분석과 Atomic Force Microscopy (AFM)을 통해 분석되었다. 또한, 소자의 단면형상은 Scanning Electron Microscopy (SEM)으로 측정되었다.

• Proceedings of the Korean Society of Surveying, Geodesy, Photogrammetry, and Cartography Conference
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• 2006.04a
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• pp.171-176
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• 2006

항공사진은 종중복도 60%이상, 횡중복도 30%이상 촬영되어지는 특성과 도화에 사용되는 입체시 원리를 이용하여 사진 자체를 화면상에 입체적으로 구현할 수 있다. 이러한 입체적 사용은 건물의 높이 및 정확한 현황을 파악하는 주된 분석방법론을 제시하고 있어 이러한 방법을 이용하여 시스템적으로 입체시하고 사람의 육안으로 쉽게 판독을 지원할 수 있는 시스템을 구축함으로서 대상지역에 대한 변화탐지, 시대별 및 지역별 변천과정, 무허가 건축물 판독 등 다양한 용도로 활용할 수 있다. 본 연구에서는 시스템 구현을 위해서 개발 언어로 Visual C++을 사용하였으며, 사용자가 직접 입체판독 및 분석을 수행할 수 있는 플랫폼을 구비함으로서 오류를 최소화 할 수 있도록 편광 모니터(Z-Screen)을 사용하여 시스템 개발을 수행하였다. 또한 개발환경은 Microsoft Window OS 환경 상에서 구동될 수 있도록 개발함으로서 시스템의 범용적 사용을 위한 기초 환경을 제공하도록 개발하였다.

• Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics
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• v.27 no.12
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• pp.1841-1851
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• 1990

Self-aligned gate GaAs MESFETs using ion beam deposited tungsten applicable to GaAs LSI fabrication process have been fabricated. Silicon implanted samples were annealed using isothermla two step RTA process and conventional one step RTA process. The electrical and physicla characteristics of annealed samples were investigated using Hall and I-V measurements. As results of measurements, activation characteristics of the isothermal two step RTA process are better than those of one step annealed ones. Using the developed processes, GaAs SAFETs (Self-Aligned Gate FET) have been fabricated and electdrical characteirstics are measured. As results, subthreshold currents of SAGFETs are 6x10**-10 A/\ulcorner, that is compatible to conventional MESFET, maximum transconductances of 0.75\ulcorner gate MESFET using one step RTA process and 2\ulcorner gate MESFET using isothermal two step RTA process are 18 mS/mm, 41 mS/mm respectively.