Optical coupling coefficients and misalignment tolerance of 155 Mbps optical transmitter module of passive alignment technology, to be usable in ATM system, B-NT (Broadband Network Termination) system, and 10 G transmission system for information super-highway networks, were calculated, compaired with it's engineer samples, and discussed. These engineer samples of -4.5 dBm maximum output power were packaged in the method of butt coupling of flat-fiber and tested reliability evaluation. Hence the cheap packaging method of optical transmitter module was researched. rched.
Proceedings of the Korean Information Science Society Conference
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2001.10b
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pp.253-255
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2001
협력 시스템은 컴퓨터의 성능 향상과 네트워크 기술의 발전으로 인하여 분산 환경에서 다수의 사람들이 프로젝트나 어떤 작업을 동시에 수행이 가능하도록 하는 기술이다. 현재 대부분의 협력 시스템은 특정 협력 작업에 맞게 개발되어져 왔기 때문에 통합 환경을 제공하기 어렵고, 새로운 협력 작업에 따라 시스템을 확장하는데 많은 시간과 비용이 들어가는 등의 어려움이 있다. 본 논문에서는 객체지향 방법론을 사용한 모듈별 컴포넌트화에 따른 재사용성이 용이한 협력 시스템을 제안하여 일반화, 상세화의 관계나 상속 구조를 통해 클래스의 구현 사항을 재사용 할 수 있도록 하며, 재사용 가능한 모듈을 패키지 형태로 묶어 라이브러리화하여 재사용과 유지보수가 용이하도록 하였다.
Kim, Heeju;Son, Siwoon;Gil, Myeong-Seon;Moon, Yang-Sae
Proceedings of the Korea Information Processing Society Conference
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2014.04a
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pp.700-703
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2014
최근 이슈가 되고 있는 하둡(hadoop) 패키지에 접목하여 많은 프로젝트들이 생겨나고 있으며, 이들 중 주요하게 떠오르고 있는 분야가 접근 제어 기술이다. 특히, 인터넷의 발전과 스마트 기기 사용자가 늘어남에 따라 데이터의 양이 증가하여, 데이터의 소유자와 사용자의 필요에 의한 접근 제어 기술이 필요하게 되었다. 본 논문에서는 접근 제어 기술의 필요성을 기반으로 HDFS(Hadoop Distributed File System, 하둡 분산 파일 시스템) 기반의 새로운 데이터 접근 제어 프레임워크를 제안한다. 제안하는 방법은 새로운 메타데이터 저장 모듈과 접근 관리 모듈을 만들어 데이터 접근 제어프레임워크를 구성함으로써, 빅데이터 플랫폼을 사용하는 사용자들을 위한 접근 제어 기능을 제공한다. 제안한 프레임워크는 기존 플랫폼에 추가적인 설치가 필요 없도록 하둡 내부에 설계하여 향후 활용도가 높을 것이라 기대된다.
LED modules, based on MCPCB with a hard barrier oxide layer and an improved thermal dissipation property, are presented. Reflecting cups were also formed on the surface of the MCPCB such that optical coupling between neighboring chips was minimized for improving the photon absorption loss. LED chips were directly attached on the MCPCB by using the COB (Chip On Board) scheme. The LED modules showed significantly enhanced light outputs, compared to the LED modules based on conventional MCPCBs.
불투명한 경제정세의 와중에서도 전기에너지를 지탱하는 근간이 되는 파워 일렉트로닉스 분야는 확실히 그 기술개발을 향상시켜 오고 있다. 특히 파워디바이스는, 지구환경과 생활환경을 보다 쾌적하게 하기 위하여 인버터 장치 등의 각종 전력절약기기와 풍력$\cdot$태양광$\cdot$연료전지 등 클린에너지의 전력제어장치에 없어서는 안되는 반도체디바이스로 성장했다. 파워디바이스 중에서도 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)의 기술혁신은 요 20년 사이에 비약적인 성과를 거두었다. 1980년대에 제품화된 IGBT는, 반도체메모리의 초미세가공기술을 도입하면서 $5{\mu}m$에서 서브미크론의 디자인툴로 발전하여, 2000년대에 들어 칩의 전류밀도는 약 2배, 포화전압은 약 $65\%$까지 개량되었다. 이와 같은 IGBT의 변천은, 전력손실을 대폭적으로 저감시켜 에너지절약기기의 전력변환효율 향상에 공헌하고 있다. 파워디바이스의 기술진보에서 또 한 가지 잊지 말아야 할 것은 주변회로의 집적화(集積化)에 의한 고성능$\cdot$고기능화이다. 최근의 인버터용 파워디바이스로 가장 많이 사용되고 있는 파워모듈은, IGBT등의 파워칩과 그 주변회로와의 컬래버레이션에 의한 제품이다. 다시 말하면 구동회로, 전류$\cdot$전압$\cdot$온도센서 및 그것들의 보호회로가 IC(집적회로)에 편입되어 고기능$\cdot$소형화를 촉진시키고 있다. 구동회로는 LVIC (저전압집적회로)에서 HVIC(고전압집적회로)로 발전하여 전류$\cdot$온도 등의 각종 센서도 동일 칩에 설계할 수 있게 되었다. 또 센싱이나 보호기능뿐만이 아니라 출력전류의 제어를 위한 연산기능과 di/dt의 제어기능이 내장되도록 되어 있어 보다. 고성능의 인텔리전트 파워모듈(IPM)이라고 불리우는 새로운 개념의 파워디바이스가 실현되었다. 또한 패키지 기술도 내부배선 인덕턴스의 저감과 트랜스퍼 몰드패키지의 개발로, 소형화뿐만이 아니라 파워칩의 성능$\cdot$기능을 충분히 발휘할 수 있도록 개발이 적극적으로 추진되고 있다.
The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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v.22
no.12
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pp.1069-1077
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2011
In this paper, a design and fabrication of a miniaturized 2.5 GHz 8 W power amplifier using selectively anodized aluminum oxide(SAAO) substrate are presented. The process of SAAO substrate is recently proposed and patented by Wavenics Inc. which uses aluminum as wafer. The selected active device is a commercially available GaN HEMT chip of TriQuint company, which is recently released. The optimum impedances for power amplifier design were extracted using the custom tuning jig composed of tunable passive components. The class-F power amplifier are designed based on EM co-simulation of impedance matching circuit. The matching circuit is realized in SAAO substrate. For integration and matching in the small package module, spiral inductors and single layer capacitors are used. The fabricated power amplifier with $4.4{\times}4.4\;mm^2$ shows the efficiency above 40 % and harmonic suppression above 30 dBc for the second(2nd) and the third(3rd) harmonic at the output power of 8 W.
Semiconductor optical switch modules of 1$\times$2, 1$\times$4, and 4$\times$4 types for 1550 nm optical communication systems were fabricated by using laser welding technique, embodying in 30-pin butterfly package. For better coupling efficiency between switch chip and optical fiber, tapered fibers of 10~15mm lens radii were used, which provided up to 60% optical coupling efficiency. With the help of new laser hammering process, we could recover the lost optical power almost completely up to average 82% of initially obtained power. The fabricated optical switch modules showed good thermal stability of less than 5% degradation even after 200 times thermal cycling test. The 2.5 Gbps optical transmission characteristics of the 4$\times$4 switch module showed low sensitivities of less than -30dB for all possible switching paths. The transmission penalties of 1$\times$2 switch module at $10^{-10}$ BER were 0.6dB and 0.7dB for 50Xm and 90 Km optical fibers, respectively.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2008.06a
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pp.158-158
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2008
모바일 정보통신기기를 중심으로 실장모듈의 초소형화, 고집적화로 인해 접속단자의 피치가 점점 미세화 됨에 따라 플립칩 본딩용 접착제에 함유되는 무기충전제인 실리카 필러의 크기도 미세화되고 있다. 본 연구에서는 NCP (non-conductive paste)의 실리카 필러의 크기가 COB(chip-on-board) 플립칩 패키지의 신뢰성에 미치는 영향을 조사하였다. 실험에 사용된 실리카 필러는 Fused silica 3 종과 Fumed silica 3종이며 response surface 실험계획법에 따라 혼합하여 최적의 혼합비를 정하였다. 테스트베드로 사용된 실리콘 다이는 투께 $700{\mu}m$, 면적 5.2$\times$7.2mm로 $50\times50{\mu}m$ 크기의 Au 도금범프를 $100{\mu}m$ 피치, peripheral 방식으로 형성시켰으며, 기판은 패드를 Sn으로 finish 하였다. 기판을 플라즈마 전처리 후 Panasonic FCB-3 플립칩 본더를 이용하여 플립칩 본딩을 수행하였다. 패키지의 신뢰성 평가를 위해 $-40^{\circ}C{\sim}80^{\circ}C$의 열충격시험과 $85^{\circ}C$/85%R.H.의 고온고습시험을 수행하였으며 Die shear를 통한 접합 강도와 4-point probe를 통한 접속저항을 측정하였다.
Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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v.7
no.8
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pp.1621-1628
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2003
Packaging structures to block the propagation of higherorder modes in the shielded microstrip lines are designed. Packaging for microwave circuits is necessary, basically, to isolate and protect circuits from outside environments both physically and electrically. The drawback of packaging is the possibility of higherorder mode propagation, similar to waveguide modes, as the operating frequency increases. One of Possible choices for the higherorder mode suppression is to insert diaphragms to the housing structure. The shielding effects of diaphragms are analyzed using an FEM code. Several parameters such as dispersion, mode conversion, and higherorder mode transmission and reflection are analyzed. The effect of higherorder mode suppression is eminent as the depth or width of a diaphragm is increased in the air region of the microstrip line. It is shown that inductive diaphragm structure can lower ${S_21}$ for the secondorder mode incidence by 30㏈, comparing with the conventional capacitive diaphragm structure. Packaging structure analyzed in this paper can be applied usefully to the design of the microwave system in a package such as transmit/receive modules.
Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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v.6
no.2
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pp.37-43
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1999
Modules of the system that requires large capacity and high-speed information processing are implemented in the form of MCM that allows high-speed data processing, high density circuit integration and widely applied to such fields as ATM, GPS and PCS. Hence we developed the ATM switching module that is consisted of three chips and 2.48 Gbps data throughput, in the form of 10 multi-layer by Cu/Photo-BCB and 491pin PBGA which size is $48 \times 48 \textrm {mm}^2$. hnologies required for the development of the MCM includes extracting parameters for designing the substrate/package through the interconnect characterization to implement the high-speed characteristics, thermal management at the high-density MCM, and the generation of the testability that is one of the most difficult issues for developing the MCM. For the development of the ATM Switching MCM, we extracted signaling delay, via characteristics and crosstalk parameters through the interconnect characterization on the MCM-D. For the thermal management of 15.6 Watt under the high-density structure, we carried out the thermal analysis. formed 1.108 thermal vias through the substrate, and performed heat-proofing processing for the entire package so that it can keep the temperature less than $85^{\circ}C$. Lastly, in order to ensure the testability, we verified the substrate through fine pitch probing and applied the Boundary Scan Test (BST) for verifying the complex packaging/assembling processes, through which we developed an efficient and cost-effective product.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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