• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2015.05a
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• pp.87-88
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• 2015

최근 Touch screen panels (TSPs) 의 높은 전기적 특성 및 고해상도 요구에 따라 고품질 초박막 ITO의 중요성이 대두되고 있다. 하지만, 초박막 ITO 필름은 얇은 두께로 인해 낮은 결정성을 가지므로 높은 전기전도성을 확보하기 힘들다. 따라서 본 연구에서는, 결정성을 향상시키기 위하여 초기 박막의 성장에 영향을 주는 인자를 제어하였으며, 이러한 인자들 중 자장강도 변화에 따른 ITO 박막의 물성 변화를 관찰하였다. 그 결과 ITO 초박막의 전기적 특성은 스퍼터링 전류보다 스퍼터링 전압에 크게 의존하는 것을 확인 할 수 있었다.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.18 no.2
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• pp.425-430
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• 2014

This paper analyzed the change of subthreshold current for gate oxide thickness of double gate(DG) MOSFET. Poisson's equation had been used to analyze the potential distribution in channel, and Gaussian function had been used as carrier distribution. The potential distribution was obtained as the analytical function of channel dimension, using the boundary condition. The subthreshold current had been analyzed for gate oxide thickness, and projected range and standard projected deviation of Gaussian function. Since this analytical potential model was verified in the previous papers, we used this model to analyze the subthreshold current. Resultly, analytical model showed that subthreshold current was influenced by parameters of Gaussian function and gate oxide thickness of DGMOSFET.

• The Journal of Korean Institute of Communications and Information Sciences
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• v.16 no.11
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• pp.1179-1185
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• 1991

Ultrathin Reoxidized Nitrided Oxides were formed by lamp heated rapid thermal annealing in oxyzen at temperatures of $1050^{\circ}C$-$1100^{\circ}C$ for 20, 40 seconds. The electrical characteristics of ultrathin films were evaluated by leakage current breakdown voltage. TDDB. FN tunneling. Nitridation and reoxidition condition dependence of charge trapping properties. i.e.. the flat band voltage shift $({\Delta}V_{FB})$ and the increase of charge-to-breakdown $(Q_{BD})$ induced by a high field stress where studied. As the results of analysis. rapid thermal reoxidation was achieved striking improvement of dielectric integrity, the charge to breakdown was increased and flat band voltage shift was reduced.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2004.04a
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• pp.13-17
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• 2004

펜틸시아노비페놀(PCB) 액정셀은 저주파 영역에서 유전율이 대단히 크게 나타나는 현상이 보인다. 그 원인은 액정셀 내의 불순물 이온의 거동이라고 생각된다. 액정셀 내에 존재하는 불순물 이온의 거동을 관찰하기 위하여 PCB 액정셀의 유전 분산특성을 측정하여 온도의존성, 막 두께 의존성, 직류전압 의존성등을 측정하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2000.02a
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• pp.78-78
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• 2000

다결정 실리콘-게르마늄 (poly-SiGe)은 태양전지 개발에 있어서 중요한 물질이다. 우리는 소량의 Ge(x=0.05)으로부터 다량의 Ge(x=0.67)을 함유한 수소화된 비정질 실리콘-게르마늄 (a-SiGe:H) 박막의 고상결정화 과정을 ESR (electron spin resonance)방법으로 조사해보았다. 먼저 PECVD 방법으로 Corning 1737 glass 위에 a-Si1-xGex:H 박막을 증착시켰다. 증착가스는 SiH4, GeH4 가스를 썼으며, 기판온도는 20$0^{\circ}C$, r.f. 전력은 3W, 증착시 가스압력은 0.6 Torr 정도이었다. 증착된 a-SiGe:H 박막은 $600^{\circ}C$ N2 분위기에서 다시 가열되어 고상결정화 되었고, 결정화 정도는 XRD (111) peak의 세기로부터 구해졌다. ESR 측정은 상온 x-band 영역에서 수행되었다. 측정된 ESR스팩트럼은 두 개의 Gaussian 함수로써 Si dangling-bond와 Ge dangling-bond 신호로 분리되었다. 가열 초기의 a-SiGe:H 박막 결함들의 스핀밀도의 증가는 수소 이탈에 기인하고, 또 고상결정화 과정에서 결정화된 정도와 Ge-db 스핀밀도의 변화는 서로 깊은 상관관계가 있음을 알 수 있었다. 특히 Ge 함유량이 큰 박막 (x=0.21, 0.67)에서 뿐만 아니라 소량의 Ge이 함유된 박막(x=0.05)에서도 Ge dangling-bond가 Si dangliong-bond 보다 고상결정화 과정에서 더 중요한 역할을 한다는 것을 알수 있었다. 또한 초기 열처리시 Si-H, Ge-H 결합에서 H의 이탈로 인하여 나타나는 Si-dangling bond, Ge-dangling bond 스핀밀도의 최대 증가 시간은 x 값에 의존하였는데 이러한 결과는 x값에 의존하는 Si-H, Ge-H 해리에너리지로 설명되어 질 수 있다. 층의 두께가 500 미만인 커패시터의 경우에 TiN과 Si3N4 의 계면에서 형성되는 슬릿형 공동(slit-like void)에 의해 커패시터의 유전특성이 파괴된다는 사실을 알게 되었으며, 이러한 슬릿형 공동은 제조 공정 중 재료에 따른 열팽창 계수와 탄성 계수 등의 차이에 의해 형성된 잔류응력 상태가 유전막을 기준으로 압축응력에서 인장 응력으로 바뀌는 분포에 기인하였다는 사실을 확인하였다.SiO2 막을 약화시켜 절연막의 두께가 두꺼워졌음에도 기존의 SiO2 절연막의 절연 파괴 전압 및 누설 전류오 비교되는 특성을 가졌다. 이중막을 구성하고 있는 안티퓨즈의 ON-저항이 단일막과 비교해 비슷한 것을 볼 수 잇는데, 그 이유는 TiO2에 포함된 Ti가 필라멘트에 포함되어 있어 필라멘트의 저항을 감소시켰기 때문으로 사료된다. 결국 이중막을 구성시 ON-저항 증가에 의한 속도 저하 요인은 없다고 할 수 있다. 5V의 절연파괴 시간을 측정한느 TDDB 테스트 결과 1.1$\times$103 year로 기대수치인 수십 년보다 높아 제안된 안티퓨즈의 신뢰성을 확보 할 수 있었다. 제안된 안티퓨즈의 이중 절연막의 두께는 250 이고 프로그래밍 전압은 9.0V이고, 약 65$\Omega$의 on 저항을 얻을수 있었다.보았다.다.다양한 기능을 가진 신소재 제조에 있다. 또한 경제적인 측면에서도 고부가 가치의 제품 개발에 따른 새로운 수요 창출과 수익률 향상, 기존의 기능성 안료를 나노(nano)화하여 나노 입자를 제조, 기존의 기능성 안료에 대한 비용 절감 효과등을 유도 할 수 있다. 역시 기술적인 측면에서도 특수소재 개발에 있어 최적의 나노 입자 제어기술 개발 및 나노입자를 기능성 소재로 사용하여 새로운 제품의 제조와 고압 기상 분사기술의 최적화에 의한 기능성 나노 입자 제조 기술을 확립하고 2차 오염 발생원인 유기계 항균제를 무기계 항균제로 대체할 수 있다. 이와 더불

• Korean Journal of Materials Research
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• v.4 no.1
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• pp.113-116
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• 1994

InSb thin film magnetic sensor, which have been prepared on glass substrate by vacuum evaporation, is investigated in this paper. The dependance of Hall voltage on magnetic field and temperature is examined by Hall effect. The variation of Hall voltage with magnetic field is almost linear at constant current drive but it is deviated from the linearity at constant voltage drive. Hall voltage decreases as the ambient temperature increases, so it is necessary to take into account the temperature effect when the InSb thin film is used as magnetic sensor.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.18 no.11
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• pp.2709-2714
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• 2014

This paper has analyzed the change of threshold voltage and conduction path for the ratio of top and bottom gate oxide thickness of asymmetric double gate MOSFET. The asymmetric double gate MOSFET has the advantage that the factor to be able to control the current in the subthreshold region increases. The analytical potential distribution is derived from Poisson's equation to analyze the threshold voltage and conduction path for the ratio of top and bottom gate oxide thickness. The Gaussian distribution function is used as charge distribution. This analytical potential distribution is used to derive off-current and subthreshold swing. By observing the results of threshold voltage and conduction path with parameters of bottom gate voltage, channel length and thickness, projected range and standard projected deviation, the threshold voltage greatly changed for the ratio of top and bottom gate oxide thickness. The threshold voltage changed for the ratio of channel length and thickness, not the absolute values of those, and it increased when conduction path moved toward top gate. The threshold voltage and conduction path changed more greatly for projected range than standard projected deviation.

• Journal of Ginseng Research
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• v.23 no.4
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• pp.235-238
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• 1999

ATP-sensitive $K^+$ channels $(K_{ATP})$ are expressed in vascular smooth muscle cells, skeletal muscle cells, pancreatic ${\beta}$ cells, neurons and epithelial cells. $K_{ATP}$ contributes to regulate membrane potential to control vascular tone, to protect myocardial ischemia, and to regulate insulin secretion in pancreatic ${\beta}$ cells. We previously demonstrated that ginseng saponins and ginsenoside $Rg_3$ activated maxi $Ca^{2+}-activated\;K^+$ channel, and this might cause vasodilation. Because $K_{ATP}$ plays an important roles to regulate the resting membrane potential in vascular smooth muscle cells, we investigated whether ginsenoside $Rg_3$ produces vasodilation by activating $K_{ATP}$ We showed in this study that $K_{ATP}$ is expressed in rabbit coronary artery smooth muscle cells. $K_{ATP}$ was inwardly rectifying and was inhibited by intemal application of ATP. Micromolar minoxidil activated, but glyburide inhibited the activity of $K_{ATP}$ Ginsenoside $Rg_3$ relieved inactivaiton of whole-cell $K_{ATP}$ current without affecting the peak amplitude of $K_{ATP}$ currents presumably due to more opening of the channels.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 1999.10a
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• pp.55-55
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• 1999

산소 이온빔이 보조된 e-baem evporation증착법에 의해 상온에서 유리 기판위에 제조된 tin-doped indium oxide(ITO) 박막의 전기적 광학적 특성과 산소 이온빔의 조건 사이에 존재하는 상관관계에 대해서 연구하였다. ITO박막의 증착률이 고정된 상태에서 증착되는 ITO박막의 성질은 조사되는 이온의 flux 및 에너지에 의존하게 된다. 이온의 에너지는 이온 건의 grid에 걸리는 전압에 의해서, flux는 이온 건으로 유입되는 산소의 유량과 rf power에 의해서 조절될 수 있다. 본 실험에서는 증착변 수를 줄이기 위해서 ITO의 증착률과 rf power을 0.6A/sec, 100W로 각각 고정 시켰고, 이러한 조건에서 grid의 가속 전압을 400~2.1kV, 산소의 유업량을 3~10sccm으로 변화시켜가며 실험을 수행하였다. 유량 6sccm, 가속전압 2.1kV에서 최저 비저항 값인 $6.6{\times}l0^{-4}{\Omega}cm$와 90%의 광학적 투과성을 갖는 ITO 박막을 상온에서 증착할 수 있었다.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.2 no.3
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• pp.431-437
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• 1998

In this paper, we have investigated the electrical properties of ultra-thin nitrided oxide(NO) and re-oxidized nitrided oxide(ONO) films that are considered to be promising candidates for replacing conventional silicon dioxide film in ULSI level integration. Especially, we have studied a variation of I-V characteristics, gate voltage shift, and time-dependent dielectric breakdown(TDDB) of thin layer NO and ONO film depending on nitridation and reoxidation time, respectively, and measured a variation of leakage current and charge-to-breakdown(Q$\_bd$) of optimized NO and ONO film depending on ambient temperature, and then compared with the properties of conventional SIO$\_2$. From the results, we find that these NO and ONO thin films are strongly influenced by process time and the optimized ONO film shows superior dielectric characteristics, and (Q$\_bd$) performance over the NO film and SIO$\_2$, while maintaining a similar electric field dependence compared with NO layer.