• Proceedings of the Membrane Society of Korea Conference
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• 1993.04a
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• pp.12-15
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• 1993

방사선 graft 중합법을 이용하여, microfiltration hollow fiber(MF)에 affinity ligand로서 소수성 아미노산 (tryptophan)을 고정하였다. affinity막에 압력차를 주어 막의 안쪽으로 부터 바깥쪽으로 단백질 용액을 투과시키면서, 단백질의 흡착 성능을 알아보았다. affinity막이 확산이동 저항이 없는 우수한 분리 기능 재료인 것을 나타내었다.

• Membrane Journal
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• v.3 no.1
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• pp.12-21
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• 1993

세라믹 분리막은 알루미나($Al_2O_3$), 지르코니아($ZrO_2$), Carbon, 실리콘 카바이드, 스테인레스 등의 무기재료를 이용하여 제조된 분리막이다. 압출성형공정으로 제조된 지지체는 1700$^{\circ}C$ 이상의 소결공정을 거치므로 지지체 상단에 슬러리 코팅공정으로 형성된 얇은 막에게 안정된 분리기능을 수행할 수 있도록 커다란 물리적 강도를 제공한다. 따라서, 세라믹 분리막은 다공성 세라믹 구조를 갖는 특징적인 두 개 또는 세 개의 균일한 층으로 구성된 복합막이라 할 수 있다.

• Korean Journal of Materials Research
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• v.3 no.1
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• pp.7-11
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• 1993

Abstract Oxidation kinetics of silicon oxide films formed by rapid thermal oxidizing Si substrate in $N_2$O ambient studied. The data on $N_2$0 oxidation shows that the interfacial nitrogen-rich layers results in oxide growth in the parabolic regime by impeding oxidant diffusion to the Si$O_2$-Si interface even for ultrathin oxides. The activation energy of parablic rate constant, B, is about 1.5 eV, and the energy increses with oxide thickness.

• Korean Journal of Materials Research
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• v.6 no.1
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• pp.124-129
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• 1996

TiN 기판상에 CVD와 무전해 도금을 이용하여 구리막을 성장시킬 때 여러 가지 전처리에 따른 증착 양상의 변화에 관하여 조사하였다. Cu(hfac)2를 선재(precursor)로 사용하여 CVD 증착을 실시할 때 각 전처리에 따른 TiN상의 구리막의 덮힘성(coverage)향상은 Pd-HF 활성화 처리>>HF dip> RF remote plasma의 순이었다. 특히 Pd-HF 활성화 처리를 해줄 경우 거의 완전한 연속막을 얻을수 있었으며 scotch tape peel test 결과 매우 양호한 부착특성을 보였으나, 이에 비해 전처리를 해주지 않은 경우에는 오랜 시간이 경과되어도 연속막으로 성장하지 못하고 섬모양의 큰 결정립을 이룰 뿐이었다. 이러한 차이는 Pd-HF 활성화 처리에 의해 표면에 미세하게 형성된 Pd층이 구리의 핵생성과 부착특성을 크게 향상시켰기 때문인 것으로 사료되며 이러한 효과는 무전해 도금의 경우에도 마찬가지였다. 그리고 기판과 증착온도에 따른 선택성을 보면 35$0^{\circ}C$이하에서는 pd-HF 활성화 처리에 의해서 SiO2에 대하여 TiN으로의 선택성을 가지나 그 이상의 온도에서는 선택성이 상실되었다.

• Korean Journal of Materials Research
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• v.6 no.12
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• pp.1162-1169
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• 1996

rf 플라즈마 화학증착을 이용하여 증착된 hydrogenated DLC막의 잔류응력 거동에 대해 조사하였다. 합성된 DLC막의 압축 잔류응력은 이온 에너지뿐만 아니라 이온/원자 유입량 비에 의해 영향을 받는 것으로 조사되었다. 잔류응력의 최대치는 이온/원자 유입량비가 증가할수록 낮은 이온 에너지 구간에서 일어나며 그 값은 증가하였다. 이온 에너지에 따른 DLC막의 결합 구조의 변형을 Raman 스펙트럼을 이용하여 분석하였다. DLC막의 잔류응력은 sp3결합의 net working이 최대가 되는 점에서 최대치를 보이며, 이는 sp3 net working에 의한 부피팽창 요인에 기인하는 것으로 생각된다. DLC막 내의 유입되는 수소는 잔류응력의 직접적인 원인으로 작용하지 않는 것으로 분석되었다.

• Proceedings of the Membrane Society of Korea Conference
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• 1992.10a
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• pp.45-46
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• 1992

최근들어 많은 연구자들에 의해서 고분자 재료를 이용하여 약물의 방출속도를 조절하며 이를 통해서 장기간에 걸쳐 치료 유효농도이상의 혈중농도를 유지 함으로써 치료효과를 극대화 하려는 연구가 진행되고 있다. 특히 고분자 재료를 이용한 macromolecular drug의 방출조절에 관한 연구가 활발히 진행되고 있다. Macromolercular drug은 인슐린, 알부민등의 단밸질과 유로키나제등의 효소와 같이 약효는 매우 높으나 적절한 투여 수단이 발견되지 않아 투여가 매우 번거로운 단점을 가지고 있다. 이와같은 macromolecular drug의 대부분은 구강을 통해서 투여하는 것은 거의 불가능하며 체내 반감기도 매우 짧아서 절절한 투여방법의 개선이 필요하다. 따라서 본 연구실에서는 macromolecular drug의 투여방법을 개선하고자 다공성 고분자막을 이용하였으며 생체 환경의 변화에 대해서 투과속도가 변화하는 자극감응성 고분자 막을 개발하고저 기질로 사용한 고분자 막의 표면에 기능성 모노머를 그라프트 반응을 통해서 도입하고 이의 이용 가능성을 확인하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2007.06a
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• pp.160-161
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• 2007

3,3-Dimethyl-1-butene ($C_6H_{12}$) monomer를 이용하여 RF power와 압력에 따라 막을 증착하였다. 증착된 막은 power/pressure (W/Torr)가 증가할수록 비정질 탄소막은 Raman 스펙트럼에서 D peak가 증가하였고, ring 구조의 막을 형성하였다. 또한 ring 구조의 막이 형성됨으로써 hardness와 modulus는 각각 12 GPa과 85 GPa로 선형적으로 증가하는 것으로 나타났다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2006.06a
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• pp.130-131
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• 2006

차세대 반도체 정보기억장치로서 활발하게 연구되고 있는 나노 부유 게이트 메모리 (Nano Floating Gate Memory) 소자를 위해 필수적인 요소인 나노 크리스탈의 형성을 위하여 다양한 굴절률을 가진 실리콘 질화막 (SiNx)을 형성하고 고온 열처리 (rapid thermal annealing)를 실시하여 나노 크리스탈의 형성과 특성에 대한 연구를 진행하였다. 다양한 굴절률을 가진 실리콘 질화막을 형성한 후 나노 크리스탈의 형성을 위하여 열처리를 수행하였고, photoluminescence (PL)를 통하여 굴절률이 높은 Si-rich SiNx 박막의 고온 열처리를 수행한 실리콘 질화막으로부터 나노 크리스탈의 형성을 확인할 수 있었다. 또한 열처리한 실리콘 질화막 위에 Al을 증착하여 MIS 구조를 형성한 후 Capacitance-Voltage (C-V) 특성을 측정하였으며, $900^{\circ}C$에서 열처리한 박막에서 나노 크리스탈에 의한 메모리 효과를 확인할 수 있었다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2006.06a
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• pp.238-239
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• 2006

본 논문은 게이트 절연막에 OTS(n-octadecy trichlorosilance) 혼합용액을 이용하여 SAMs(Self-Assembled Monolayers)막을 형성하였다. OTS 혼합용액은 OTS를 0.1w%와 0.5w% 각각을 클로로포름 30w%와 헥산 70w%에 혼합하여 만들었다. 이 혼합용액을 게이트 절연막위에 표면처리하였다. 활성층인 Pentacene이 게이트 절연막 위에 증착될 때, OTS 혼합용액의 비에 따라 누설전류특성을 보았다. OTS를 0.1w% 처리한것이 0.5w%보다 누설전류가 더 작게 나타났다. 결과적으로 OTFT의 게이트 절연막의 절열특성은 향상시키는데 OTS 혼합용액의 비가 큰 영향을 준다.

• Applied Chemistry for Engineering
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• v.9 no.1
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• pp.6-12
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• 1998

A FET(Field Effect Transistor) type dissolved $CO_2$ sensor based on Severinghaus type $CO_2$ sensor was fabricated by the photolithographic process. The sensor consists of Ag/AgCl reference electrode and membranes (hydrogel membrane and $CO_2$ gas permeable membrane) on the pH-ISFET base chip. Ag/AgCl reference electrode was fabricated as follows. Ag layer was thermally evaporated and then its upper surface was chemically chloridized into the AgCl. The hydrogel used as an internal electrolyte solution was fabricated by a photolithographic method using 2-hydroxyethyl methacrylate(HEMA) and acrylamide. $CO_2$ permeable membrane on the top of the hydrogel layer was formed by photolithographic process with UV-oligomer. The FET type $pCO_2$ sensor fabricated by photolithographic method showed good linearity within the concentration range of $10^{-3}{\sim}10^0mole/{\ell}$ of dissolved $CO_2$ in aqueous solution with high sensitivity.