• The Journal of the Korea institute of electronic communication sciences
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• v.9 no.11
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• pp.1227-1232
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• 2014

This paper relates 10% shrink from $0.13{\mu}m$ design for core devices as well as input and output (I/O) devices different from previous poly length shrink size only. We analyzed body effect with different channel length and doping profile simulation. After fixing the gate oxide module process, LDD implant conditions were optimized such as decoupled plasma nitridation of gate oxide, TEOS oxide $100{\AA}$ before LDD implant and 22o tilt-angle(45o twist-angle) LDD implant respectively to match the spice DC parameters of pre-shrink and finally matched them within 5%.

• Proceedings of the Korean Operations and Management Science Society Conference
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• 1994.04a
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• pp.280-287
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• 1994

본 논문에서는 광양제철소의 연속소둔공정의 작업단위편성 문제를 소개하고, 그 해결방안을 제시한다. 다루고자 하는 문제는 편성할 스케줄 내에서 전후 대상재간의 다양한 형태의 편차를 최소화하며 sequence의 길이를 최대화하 는 목적함수를 가지며, 동시에 공정의 특성상 발생하는 전후 대상재간의 제 약조건들을 만족시키는 문제이다. 이러한 문제를 해결하기 위하여 부분 최적 해를 구해 주는 순차적인 두가지 발견적(heuristic)기법을 제시한다. 첫째, 일 정의 길이를 최대화하며 전후 대상재간의 제약조건을 만족시키기 위한 "backtracking with look ahead" 기법이다. 특히 이 "backtracking with look ahead" 기법은 이미 개발된 "constraint satisfaction problem"을 기반으로 한 일정계획언어와 이에 연동된 코드생성기를 사용하여 구현되었다. 둘째, sequence내 전후 대상재간의 다양한 형태의 편차를 최소화하며 앞에서 만족 시킨 제약조건들을 계속 유지시키기 위한 평활화(smoothing) 기법이다. 마지 막으로 두가지 발견적 기법을 사용하여 본 연속소둔공정의 작업단위편성 문 제를 해결하는 과정을 보여준다. 이와 같은 발견적 기법을 이용하여 기존의 기법들로는 해결하기 힘든 복잡한 형태의 일정 계획 문제를 해결할 수 있었 다. 복잡한 형태의 일정 계획 문제를 해결할 수 있었 다.

• Korean Chemical Engineering Research
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• v.44 no.3
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• pp.243-247
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• 2006

MFI zeolite membranes were prepared on anodic alumina (Anodisc) as support. First, silicalite-1(${\approx}1.2{\mu}m$) seed crystals were attached to the surface of the support via chemical bonding, and the a- and b-axis oriented zeolite membranes could be synthesized on the support coated with the monolayer of the seed crystals by secondary growth hydrothermal synthesis. The zeolite membranes prepared were characterized using scanning electron microscope and analyzed by X-ray diffraction.

• Proceedings of the Korea Water Resources Association Conference
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• 2008.05a
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• pp.2071-2075
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• 2008

독일 내륙수로의 길이는 12개강을 중심으로 7,306 km이며, 북해의 하구로부터 라인강 상류 바젤까지 여객과 화물이 운반된다. 또한 라인강과 마인강, 도나우강을 거쳐 동유럽을 관통하여 흑해까지 연결되어 물류의 이동뿐만 아니라 인적 및 문화의 교류가 활발히 이루어지고 있다. 독일 내륙 운하법은 연방내륙수로법, 선박기록규정법, 특허규정, 배기가스 규제에 관련된 법규 등으로 구성되었다. 특히 물길 잇기를 자연친화적인 방법으로 추진하였으며, 하천환경복원에 많은 투자와 배려를 아끼지 않았다. 라인강 상류지역을 직선하천으로 만들므로 홍수통제를 이루었으며, 하류지역 홍수범람문제의 해결책으로 상류지역에 천변저류지를 건설하였다. 또한 옛 가지천을 활용해서 지하수 수위 저감을 막을 수 있었다. 도나우강은 수로의 수심을 유지하기 위해 자연친화적인 공법을 적용하여 생태하천으로 복원되었다.

• Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics A
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• v.31A no.12
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• pp.100-105
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• 1994

Analytical expressions for the breakdown voltage and the optimum drift region length (L$_{dr}$) of SOI (Silicon-On-Insulator) pn diodes are derived in terms of the doping concentration and the thickness of the n- drift region and the buried oxide thickness. The optimum L$_{dr}$ is obtained from the condition that the breakdown voltage of the vertical electric field of n+n- junction equals to the of the lateral electric field of n+n-p+ junction. Analytical results agree reasonably with the numerical simulations using PISCESII.

• The Korean Journal of Rheology
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• v.4 no.1
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• pp.62-69
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• 1992

한정된 공간 속을 희석 고분자 용액이 흐를 때 그공간의 특성 길이가 고분자의 그 것과 비슷한 경우에는 실험적으로 무한 공간에비하여 점도가 작게 됨을 보였다, 잔탄 검 용 액과 폴리아크릴 아미드 용액이 원통형 다공을 가진 고분자 막을 통해 흐를때의 점도를 뉴 톤 영역뿐 아니라 비뉴톤 영역에서도 한꺼번에 측정할 수 있는 흐름장치를 만들어 실험하였 다, 뉴톤 점도는 다공의 크기가 줄어들수록 줄어드는 경향을 보였는데 이는 두 특성 길이의 비로서 설명할수 있었다, 비뉴톤 점도 영역에서의 지표(power law index)는 폴리아크릴 아 미드 용액에서는 차이가 발견되지 않았으나 잔탄 검용액에서는 다공의 크기가 감소할수록 점점 작은 값을 보였다, 이것은 두 고분자 사슬의 경직성 차이에 기인된다 하겠다. 결론적으 로 벽 근처에 분차 크기 정도의 고분자 희박 영역이 존재하고 그 영역내에서는 고분자 사슬 의 배향 구조가 제한적이다고 하는 이론적 설명과 부합되는 결과를 얻었다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2007.06a
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• pp.138-139
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• 2007

탄화규소반도체소자는 wide band-gap 반도체 재료로 고전압, 고속스위칭 특성이 우수하여 차세대 전력반도체소자로 매우 유망한 소자이다. 이러한 물리적 특성으로 전력변환소자인 고전압 MOSFET 소자를 개발하기 위한 연구가 활발히 진행되고 있다. 그러나 MOS 소자에서 가장 중요한 게이트 산화막의 특성이 소자에 적용하기에는 그 특성이 많이 취약한 상태이다. 따라서 이러한 단점을 해결하여 고전압 전력변환소자로 적용하기 위하여 게이트 산화막이 필요없는 JFET 소자가 많이 연구되고 있다. 본 논문에서는 JFET 소자를 normally-off type으로 동작시키기 위하여 게이트의 구조, 도핑농도 및 게이트 폭을 조절하여 simulation를 수행하였다. 케이트의 농도 및 접합깊이에 따라 normally-on 또는 off 특성에 큰 영향을 미치고 있으며 게이트 트렌치구조의 깊이에 따라서도 영향을 받는다. 본 simulation 결과 최적의 트렌치 길이, 폭 및 농도로 소자를 구성하여 $1.3m{\Omega}cm^2$의 온-저항 특성을 얻을 수 있었다.

• Journal of the Institute of Electronics and Information Engineers
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• v.50 no.8
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• pp.285-291
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• 2013

In this paper, MOS-Capacitor and MOSFET devices with a Low Level Leakage Current of oxide thickness, channel width and length respectively were to investigate the reliability characterizations mechanism of ultra thin gate oxide films. These stress induced leakage current means leakage current caused by stress voltage. The low level leakage current in stress and transient current of thin silicon oxide films during and after low voltage has been studied from strss bias condition respectively. The stress channel currents through an oxide measured during application of constant gate voltage and the transient channel currents through the oxide measured after application of constant gate voltage. The study have been the determination of the physical processes taking place in the oxides during the low level leakage current in stress and transient current by stress bias and the use of the knowledge of the physical processes for driving operation reliability.

• ETRI Journal
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• v.14 no.1
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• pp.40-51
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• 1992

$0.25{\mu} m$ 급 pMOSFET소자를 구현하기 위해, $P^+$ 폴리실리콘을 적용한 pMOS를 제작하였으며, $p^+$ 폴리실리콘 게이트 소자에서 심각하게 문제가 되고 있는 붕소이온 침투현상을 조사하고 붕소이온 침투가 일어나지 않는 최적열처리온도를 조사하였다. 소자제조 공정중 게이트 공정만 전자선 (EBML300)을 이용하여 직접묘사하고 그 이외의 공정은 stepper(gline) 을 사용하는 Mix & Match 방법을 사용하였다. 또한 붕소이온 침투현상을 억제하기 위한 한가지 예로서, 실리콘산화막과 실리콘질화막을 적층한 ONO(Oxide/Nitride/Oxide) 구조를 게이트 유전체로 적용한 소자를 제작하여 그 가능성을 조사하였다. 그 결과 $850^{\circ}C$의 온도와 $N_2$ 분위기에서 30분동안 열처리 하였을 경우, 붕소이온의 침투현상이 일어나지 않음을 SIMS(Secondary Ion Mass Spectrometer) 분석 및 C-V(Capacitance-Voltage) 측정으로 확인할 수 있었으며 그 이상의 온도에서는 붕소이온이 침투되어 flat band전압(Vfb)을 변화시킴을 알았다. 6nm의 얇은 게이트 산화막 및 $0.1{\mu} m$ 이하의 LDD(Lightly Doped Drain) $p^-$의 얇은 접합을 형성함으로써 소자의 채널길이가 $0.2 {\mu} m$까지 짧은 채널효과가 거의 없는 소자제작이 가능하였으며, 전류구동능력은 $0.26\muA$/$\mu$m(L=0.2$\mu$m, V$_DS$=2.5V)이었고, subthreshold 기울기는 89-85mV/dec.를 얻었다. 붕소이온의 침투현상을 억제하기 위한 한가지 방법으로 ONO 유전체를 소자에 적용한 결과, $900^{\circ}C$에서 30분의 열처리조건에서도 붕소이온 침투현상이 일어나지 않음으로 미루어 , $SiO_2$ 게이트 유전체보다 ONO 게이트 유전체가 boron 침투에 대해서 좋은 장벽 역활을 함을 알았다. ONO 게이트 유전체를 적용한 소자의 경우, subthreshold특성은 84mV/dec로서 좋은 turn on,off 특성을 얻었으나, ONO 게이트 유전체는 막자체의 누설전류와 실리콘과 유전체 계면의 고정전하량인 Qss의 양이 공정조건에 따라 변화가 심해서 문턱전압 조절이 어려워 소자적용시 문제가 된다. 최근 바닥 산화막(bottom oxide) 두께가 최적화된 ONO 게이트 유전체에 대하 연구가 활발히 진행됨을 미루어, 바닥 산화막 최적화가 된다면 더 좋은 결과가 예상된다.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.1 no.1
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• pp.176-182
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• 1992

t-Stress and junction leakage current characteristics of CVD-tungsten have been investigated. Stressversus continuous annealing temperature plot. shows hysteresis curve where the stress level of the cooling curveis higher than that of the heating curve. It is found that the thermal and intrinsic stress of tungsten film depositedby SiH4 reduction is higher than that by Hz reduction.The tungsten film deposited by SiHl reduction is in the tensile stress state below 700"Cnd the stress ofthe film decreses with increasing annealing temperature. The stress state changes into compressive stress atabout 700"Cnd the compressive stress increases rapidly with increasing temperature.Leakage current of the n+/p diode increases rapidly especially in the range of 400-450$^{\circ}$C with increasingdeposition temperature of the CVD-W by SiH4 reduction, which is due to the Si consumption by W encroachment.On the other hand leakage current of the n+/p diode slightly increases with increasing SiH4/WF6 ratio.h increasing SiH4/WF6 ratio.