• Membrane Journal
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• v.7 no.2
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• pp.57-64
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• 1997

Membrane Distillation(MD) is reviewed as an application to new separation technology. Hydrophobic membrane which has been used to microfiltration is feasible material for MD process. MD has perfect selectivity under moderate temperature and is promised to simplify typical water treatment process. The principle of MD separation is phase transition by vapor-liquid interface at the pore of membrane surface. Feed and permeate temperature, composition, membrane wetting, heat and mass transfer phenomena affect the selectivity and flux of MD.

• Applied Chemistry for Engineering
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• v.9 no.4
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• pp.579-584
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• 1998

Polymer dispersed liquid crystal(PDLC) composite films were made by polymerization induced phase separation method using UV-curing to investigate the effect of fabrication conditions, such as photoinitiator concentration, film thickness, polymerization temperature, and electric field during polymerization, etc., on the electro-optic properties. As the amount of photoinitiator increased, the driving voltage of PDLC device increased due to the increase of small-size liquid crystal phases. This was considered as the results from the increased interfacial area between liquid crystal (LC) and polymer matrix, since LC molecules at the interfacial regions were relatively difficult to response for the applied electric field. When the higher molecular weight oligomer (PTDA-1000) was used as matrix, the initial transmittance was observed to be relatively higher than that for the lower molecular weight oligomer (PTDA-250). Saturation transmittance for PTDA-1000 was observed at relatively lower voltage than that for PTDA-250, of which transmittance was not saturated even at 60 V. As polymerization temperature increased, the initial transmittance of resulting PDLC film increased due to the larger LC droplets formation and the more matched refractive index between LC and matrix than those cases for the lower polymerization temperature. Though driving voltage decreased for the thinner film, it was considered that optimum thickness of the film should be maintained to get some practical contrast, which is the ratio of off- and on-state transmittance. Furthermore, electro-optic properties such as initial transmittance, driving voltage, and response time were observed to be considerably affected by application of external field during polymerization.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2012.08a
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• pp.422-422
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• 2012

투명전극 산화막은 태양전지, 평판 디스플레이 등의 투명전극과 같은 광전자 소자에 사용되고 있다. 투명 전도성 산화막으로서 ITO (Indium tin oxide)는 높은 투과도, 낮은 비저항, 높은 일함수 등의 장점을 가지고 있어서 그동안 널리 사용되어 왔다. 그러나 In의 희소성으로 인한 고가격 문제 때문에 이를 대체하기 위해 불순물을 도핑한 ZnO (Zinc oxide)에 관한 연구가 활발히 진행되어 왔다. ZnO의 전기전도도를 높이기 위해 일반적으로 Al, Ga, B와 같은 3족 원소가 ZnO의 n형 도펀트로 널리 사용된다. 그 중에서 Al은 반응성이 커서 박막 증착 중에 산화되기 쉬운 반면 낮은 생산단가, 우수한 전기적 및 광학적 특성을 보이기 때문에 투명 전극으로서 Al-doped ZnO (AZO)가 많이 이용되고 있다. 본 연구에서는 rf 마그네트론 스퍼터링 공정을 이용하여 glass 기판 위에 Al-doped ZnO (AZO) 투명 전도막을 증착하였고, 수명 및 신뢰성에 영향에 미치는 주요 인자로서 온도, 온도 사이클 및 습도에 따른 AZO 박막의 열화 특성에 대한 연구를 진행하였다. 또한, 온도 사이클, 고온 및 고온고습 환경에 장시간 노출된 AZO 박막들의 성능 저하 원인들을 미세구조 관찰, 전기적 및 광학적 특성 변화들을 연계하여 규명하고자 하였다.

• Proceedings of the Korean Society of Propulsion Engineers Conference
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• 2003.10a
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• pp.78-82
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• 2003

The cooling mechanism for a regenerative cooling liquid rocket engine of 10tf-thrust using kerosene as a fuel was studied from the viewpoint of curtain cooling. Based on the concept of a highly-stratified gas flow in the combustion chamber, the cross section of the combustion chamber was spilt into 2 independent parts, core and exterior part. Additional fuel is injected into the exterior section and gas temperature can be reduced in the exterior section. Consequently, the heat flux into the coolant and wall temperature are reduced and the thermal stability of a liquid rocket engine could be improved.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 1999.07a
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• pp.34-34
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• 1999

토카막(Tokamak)에서는 플라즈마(plasma)로 불순불(impurity)의 유입을 방지하기 위해 고진공을 유지해야 하며 이를 위해 가열탈리(backing), 방전세정(discharge codanning) 등 wall conditioning이 기본적으로 요구된다. KT-1 토카막은 실험실 이전에 따른 해체로 인해 진공용기(vacuum vessel) 가 대기압 하에 수개월 동안 노출되어 있었기 때문에 재조립 후 가열 탈 리가 필수적이나 진공용기의 외부에 saddle loop coil을 비롯해 Rogowski, diamagnetic coil, poloidal field coil 등 많은 magnetic pick up coil 들이 설치되어 있어 열선 등 일반적인 방법으로 가열 탈 리가 어려운 상황이다. 따라서 KT-1 토카막에서는 전자석 코일에 상전원을 부가하였을 때 진공용기에 발생하는 유도가열 (inductive heatin)을 이용해 가열 탈리를 시도하였다. 유도 가열 탈리(inductive backing)는 토로이달 자장 코일(toroidal field coil)과 가열 저장 모일(ohmic heating coil)을 각각 이용하여 코일의 온도가 6$0^{\circ}C$ 이하가 유지되는 코일 전류 범위내에서 수행하였으며 먼저 이 둥 경우에 있어서 진공용기의 온도분포를 비교하엿다. 그리고 가열 탈리 기간 및 그 전, 후의 진공압력과 잔류기체 분압을 측정, 분석하였다. 유도가열에 의한 방법으로 KT-1 토카막에서 얻은 탈리온도는 12$0^{\circ}C$정도로 비교적 낮았으나 탈리 시간을 연장하여 탈리효과를 어느 정도 보상할 수 있으며 일반적인 가열 탈리가 여려운 경우 유도 가열 탈 리가 채택될 수 있는 또 하나의 방법이라 볼 수 있다.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2017.05a
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• pp.134.2-134.2
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• 2017

최근 고성능, 저 전력 반도체 소자를 위한 미세 공정 기술이 발전함에 따라, gate oxide의 두께 및 선폭이 감소하고, aspect ratio가 증가하고 있는 추세이다. 따라서 얇아진 gate oxide를 통한 채널 물질로의 boron 확산을 막기 위한 고농도 질화 막 증착의 필요성이 높아지고 있으며, high aspect ratio의 gate oxide에 적용 가능한 우수한 step coverage의 질화막 또한 요구되고 있다. 이러한 요구조건을 만족시키기 위해 일반적인 13.56MHz의 플라즈마 소스를 이용한 질화연구들이 선행되어져 왔으나, 높은 binding energy(~24 eV)를 가지고 있는 N2 molecule gas를 효과적으로 dissociation 하지 못해 충분한 질화공정이 수행되어질 수 없었을 뿐만 아니라 높은 공정온도($>200^{\circ}C$에서 진행되어 반도체소자에 손상을 줄 수 있다. 본 연구에서는 이러한 문제들을 해결하기 위해 VHF (162MHz)를 이용한 플라즈마를 통해 고밀도에서 낮은 전자온도와 높은 진동온도의 플라즈마를 구현하여 20%이상의 높은 질화율을 얻을 수 있었고, multi-tile push-pull 플라즈마 소스를 통해 VHF 사용 시 나타나는 standing wave effect를 제어하여 high aspect ratio의 gate sidewall spacer에 우수한 step coverage의 질화막을 형성시킬 수 있었다.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.4 no.3
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• pp.327-333
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• 1995

전자소자의 축소화에 따라 박막배선에서의 electromigration은 점차 극소전자 디바이스의 주요 결함원인으로 부각되고 있다. 본 실험에서는 현재 박막 배선 재료로 가장 널리 사용되고 있는 AI-1%Si 금속박막배선의 electromigration에 대한 온도 및 배선길이의 의존성에 관하여 연구하였다. PSG($8000AA$)/SiO2(1000$\AA$)/AI-1%Si(7000$\AA$)/SiO2(5000$\AA$)/p-Si(100)의 보호막처리되지 않은 시편 등을 standard photolithography 공정을 이용하여 각각 제작하였다. 선폭 3$\mu$m, 길이 100, 400, 800, $\1600mu$m등의 AI-1%Si 배막배선구조를 사용하였다. 가속화실험을 위해 인가된 d.c.전류밀도는 4.5X106A/$ extrm{cm}^2$이었고 실온에서 $100^{\circ}C$까지의 분위기 온도에서 electromigration test를 진행하였다. 박막배선의 길에에 따른 MTF(Mean-Time-to-Failure)는 임계길이 이상에서 포화되는 경향을 보이며 이는 보호막층의 유무에 관계없이 나타난다. 선폭 $3\mu$m인 AI-1%Si 박막배선에서 임계길이는, 보호막처리된 시편은 $800\mu$m, 보호막처리되지 않은 시편은 $400\mu$m 배선길이에서 나타난다. 이러한 포화의 경향은 낮은 온도에서 더욱 명확해지는 특성을 보인다. 각 시편에서 electromigration에 대한 활성화에너지도 MTF의 특성과 유사하게 임계길이 이상에서 포화되는 특성을 보인다.

• Membrane Journal
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• v.6 no.4
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• pp.284-288
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• 1996

The crosslinked PVA/PAA membranes developed in our laboratory have been characterized for water-isopropyl alcohol mixture in terms of permeabilities and separation factor. When the feed mixture was 12wt% water, the permeability and the separation factor for PVA/PAA=75/25 membrane show $63g/m^{2}h$ and 1520 at $80^{\circ}C$, respectively. In case of 5wt% water in feed mixture, the permeability for PVA/PAA=75/25 membrane is $56g/m^{2}h$ at 8$0^{\circ}C$ while the separation factor is 1563.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2014.02a
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• pp.364.1-364.1
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• 2014

고효율 태양전지로 가기 위해서는 태양전지의 후면 패시베이션은 중요한 역할을 한다. 후면 패시베이션 막으로 사용되는 $Al_2O_3$ 막은 $Al_2O_3/Si$ 계면에서 높은 화학적 패시베이션과 Negative Fixed Charge를 가지고 있어 적합한 Barrier막으로 여겨진다. 하지만 이후에 전면 Metal paste의 소성 공정에 의해 $800^{\circ}C$이상 온도를 올려주게 됨에 따라 $Al_2O_3$ 막 내부에 결합되어 있던 수소들이 방출되어 blister가 생성되고 막 질은 떨어지게 된다. 우리는 blister가 생성되는 것을 방지하기 위한 방법으로 PECVD 장비로 SiNx를 증착하는 공정 중에 $N_2O$ 가스를 첨가하여 SiON 막을 증착하였다. SiON막은 $N_2O$가스량을 조절하여 막의 특성을 변화시키고 변화에 따라 소성시 막에 미치는 영향에 대하여 조사하였다. 공정을 위해 $156{\times}156mm2$, $200{\mu}m$, $0.5-3.0{\Omega}{\cdot}cm$ and p-type 단결정 실리콘 웨이퍼를 사용하였고, $Al_2O_3$ 막을 올리기 전에 RCA Cleaning 실행하였다. ALD 장비를 통해 $Al_2O_3$ 막을 10nm 증착하였고 RF-PECVD 장비로 SiNx막과 SiON막을 80nm 증착하였다. 소성로에서 $850^{\circ}C$ ($680^{\circ}C$) 5초동안 소성하고 QSSPC를 통해 유효 반송자 수명을 알아보았다.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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• v.41 no.1
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• pp.15-20
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• 2004

The interfacial layer between the oxide film and the metal film according to RTP annealing temperature of metal film has been studied. Two types of oxides, BPSG and PETEOS, were used as a bottom layer under multi-layered metal films. We observed the interface between oxide and metal films using SEM (scanning electron microscopy), TEM (transmission electron microscopy), AES (auger electron spectroscopy). Bonding failure was occurred by interfacial reaction between the BPSG oxide and the multi-layered metal films above $650^{\circ}C$ RTP anneal. The phosphorus accumulation layer was observed at interface between BPSG oxide and metal films by AES and TEM measurements. On the other hand, bonding was always good in the sample using PETEOS oxide as a bottom layer. We have known that adhesion between BPSG and multi-layered metal films was improved when the sample was annealed below $650^{\circ}C$.