균주 JH232가 생성한 bacterial cellulose (BC)는 이온교환 막 생산을 위한 환경친화적 재료로서 잠재능이 있다는 것이 전 연구(J. of Chem. Technol. Biotechnol. 2004, 79, 79-84)를 통해 보고되었다. 본 연구를 통해 JH232를 동정하였으며 BC 생성 특성을 조사하였다. 16S rRNA 유전자의 비교분석을 통해 JH232는 Gluconacetobacter sp.인 것을 밝혀냈다. 플라스크실험 결과 이 균주는 초기 pH 5.5로 조절된 CSL 배지에서 온도가 $30^{\circ}C$인 조건하에 배양하였을 때 BC 생성량이 최대를 나타내었다. 발효조 실험을 통해서 회분식 배양보다 유가배양에 의해 JH232의 BC 생성량이 1.56배 더 높게 나타났다.
브라운관 funnel glass 내며의 흑연 피막의 저항에 관하여 연구하기 위하여 흑연이 함유된 도전성 도료를 제조하여 flow coating 방법으로 28" wide TV용 funnel glass 내면에 도포하고 흑연피막의 특성과 브라운관의 동작 특성을 평가하였다. 고형분 농도가 증가함에 따라 도전성 도료의 점도와 흑연피막의 두께는 증가하였으며 흑연피막의 전기저항은 감소하였다. 도포 후 건조조건에 따라서도 도전막의 표면상태, 전기저항 및 브라운관의 초기동작 특성등이 다르게 나타났다. 도전성 도료의 고형분 농도는 27%, 점도는 13 cps 전후에서 안정한 흑연피막을 제조할 수 있었으며, 이 때 진공특성이 최적의 상태로 나타났다. 그리고 도전성 도료의 상태와 제조조건에 따라서 브라운관의 다른 전지적 특성들도 변할 수 있기 때문에 브라운관 전체의 특성을 동시에 평가를 해야한다고 생각한다. 그리고 funnel glass에서의 부의 별 저항산포 차리를 줄이기 위해서는 도포 시에 도전성 도료를 주입하는 위치, 건조 조건, funnel glass의 예열 온도 등에 대한 조사도 이루어져야 한다고 생각한다.
SOx 가스를 고감도로 감지할 수 있는 SAW 가스 센서를 개발하였다. 이는 SAW device 위에 SOx 가스에 감응하는 재료를 박막으로 증착함으로써 고감도의 마이크로 센서형으로 한 것이다. SOx 감응 재료로서 CdS를 선정하였으며, 이를 SAW device 위에 박막화하기 위해 초음파 분무 노즐을 이용한 분무 열분해의 박막 증착공정을 응용하였다. 초음파 분무 노즐을 통하여 생성된 균일하고 미세한 입자들은 기판위에서 안정한 열분해 환경을 조성함으로써 센서 감응막을 위한 넓은 표면적의 박막을 증착 시켰는데 기판의 온도는 $300^{\circ}C$ 내외에서 최소 50 nm수준의 결정립의 박막을 얻었다. 이렇게 하여 얻은 SAW 가스 센서는 $SO_{2}$ 가스에 감응하였으며 재현성도 보였다. 다른 가스의 존재하에서 $SO_{2}$ 가스에 대한 선택성에 관하여는 계속적인 연구가 필요하다.
버어리종 대말림시 백화엽발생을 방지하고 건조기간을 단축하기 위하여 시험을 수행하였던 바, 결과를 요약하면 다음과 같다. 1. 건조실내 온도는 흑색비닐피복구 및 환기창이용구가 관행구보다 $3^{\circ}C$정도 높았으며, 탈수속도는 환기창이용구가 훨씬 빨랐다. 2. 백화엽발생율은 완전대말림구가 높았고, 지면을 30cm 판 처리가 낮았다. 3. 수량감소는 완전대말림구가 컸다. 4. 품질 및 대금은 환기창이용구 및 지면을 30cm판 구가 높았다. 5. 물리성은 줄말림용 차광막처리가 비교적 양호하였다. 6. 백화엽발생을 억제하기 위하여는 첫째, 본포에서 치마름엽과 과숙엽을 방지하고, 둘째, 하위엽은 1-2회 수확한 후 대베기를 실시하며, 셋째, 갈변후에는 건조기간을 단축시키기 위한 온습도관리에 유의해야 할 것으로 생각된다. 7. 버어리종 담배의 물리성을 향상시키면서 건조중 백화의 원인이 되는 산소 및 수분과의 반응을 억제시킬 수 있는 방법에 대하여는 앞으로 더욱 검토가 요구된다.
Ternary Ti-B-C coatings were synthesized on WC-Co and Si wafers substrates by a PECVD technique using a gaseous mixture of $TiCl_4,\;BCl_3,\;CH_4,\;Ar,\;and\; H_2$. The effects of deposition variables such as substrate temperature, gas ratio, $R_x=[BCl_3/(CH_4+BCl_3)]$ on the microstructure and mechanical properties of Ti-B-C coatings were investigated. From our instrumental analyses, the synthesized Ti-B-C coatings was confirmed to be composites consisting of nanocrystallites TiC, quasi-amorphous TiB2, and amorphous carbon at low boron content, on the contrary, nanocrystallites $TiB_2$, quasi-amorphous TiC, and amorphous carbon at relatively high boron content. The microhardness of the Ti-B-C coatings increased from $\~23 GPa$ of TiC to $\~38 GPa$ of $Ti_{0.33}B_{0.55}C_{0.11}$ coatings with increasing the boron content. The $Ti_{0.33}B_{0.55}C_{0.11}$ coatings showed lower average friction coefficient of 0.45, in addition, it showed relatively better wear behavior compared to other binary coatings of $TiB_2$ and TiC. The microstruture and microhardness value of Ti-B-C coatings were largely depend on the deposition temperature.
본 연구에서는 RF Magnetron Sputtering 법으로 94:6 wt%의 비율로 Sb가 첨가된 $SnO_2$ 타겟을 사용하여 실온에서 ATO(Antimony doped Tin Oxide) 박막을 증착하고, 열처리가 ATO 박막의 구조적, 전기적, 광학적 특성에 미치는 효과를 연구하고자 하였다. ATO 박막의 두께는 약 200 nm로 증착하였으며, 실험 조건으로는 Ar 유량을 100 seem, 진공도는 1, 5, 10 mTorr로 변화시켰으며 스퍼터링 파워는 100, 150, 200, 250 W로 조절하였다. 증착되어진 박막은 vacuum 상태에서 300, $600^{\circ}C$의 온도에서 열처리를 수행하였으며 결과적으로 스퍼터링 파워가 증가함에 따라 비저항이 감소하였고, 250 W의 파워와 10 mTorr의 공정압력 조건에서 $600^{\circ}C$로 열처리한 ATO 박막은 $5{\times}10^{-3}{\Omega}-cm$의 저항률과 85.3%의 높은 투과도를 가지는 우수한 투명 전도막을 얻을 수 있었다.
Electrical properties of $C_{22}$-Quinolium(TCNQ) Langmuir-Blodgett(LB) films are reported depending on a type of applied voltage on a type of applied voltage and temperature. A conductivity was identified to be anisotropic with a ratio of ${\sigma}||/{\sigma}{\bot}{\simeq}10^7$ at room temperature. The I-V characteristics along the film surface direction show an ohmic behavior up to a few hundred volts. But the I-V characteristics in the vertical direction display an ohmic behavior for low-electric field, and a nonohmic behavior for high-electric field. This nonohmic behavior has already been interpreted as a conduction mechanism of space-charge limited current and Schottky effect near the electric-field strengh of $10^6$ V/cm. When the electric field exceeds further, there is anormalous phenomia similiar to breakdown. From the study of I-V characteristics with the application of step or pulse voltage, we have found that the breakdown voltage shifts to higher one as the step or pulse interval becomes shorter. These results indicate that the breakdown is due to both electrical and thermal effect. To see the infulence of temperature, current was measured as function of temperature with several bias voltages, which are lower than that of breakdown. It shows that the current increases about 3 orders of magnitude near $60{\sim}70^{circ}C$, and remains constant for a while up to $140^{\circ}C$ and then suddenly drops. Arahidic acid was used to cmpare with $C_{22}$-Quinolium(TCNQ) LB films.
유전율 이방성이 음인 액정과 UV 경화용 단량체를 사용해 초기에 투명한 상태인 고분자 분산형 액정 (PDLC)셀을 제작하였고 그 셀의 전기 광학 특성을 연구하였다. 액정과 단량체의 비율이 70/30 wt%, 2$0^{\circ}C$의 노광 온도, 198㎽/$\textrm{cm}^2$ 의 노광 세기에서 만들어진 셀이 명암 대비율이 가장 우수하였다. 이 조건에서 만들어진 초기에 투명한 상태를 나타내는 고분자 분산형 액정 셀은 종래 PDLC 셀과 달리 액정들이 초기에 수직 배향막에 의해 기판에 수직으로 서게 되고 노광에 의해 중합된 고분자는 액정의 배열에 영향을 크게 미치지 않아 전압 인가 전에는 입사 된 빛이 통과하게 된다. 전압인가 시에는 전기장에 액정들이 기판에 수직 방향으로 누우면서 고분자와 액정의 굴절을 차이를 만들어내고 이는 입사된 빛을 산란시킨다. 또한 이러한 초기에 투명한 상태를 나타내는 PDLC 셀은 기존의 초기에 산란을 일으키는 PDLC 셀보다 우수한 시야각 특성을 보여주었다.
내수성 감습막으로 사용하기 위하여 이온넨을 포함하는 광경화성 반응성 올리고머(PIDM)로부터 새로운 종류의 전해질 고분자를 제조하였다. PIDM, hexamethylene dimethacrylate(HDM), pentaerythritol triacrylate dimer(SP1013) 및 광개시제를 혼합하여 전극에 광개시 라디칼 중합과 동시에 도포하였다. 또한, 센서의 내수성 그리고 고온/고습에서의 안정성을 증진시키기 위하여 전극 기판에 비닐기를 가지는 실란 카플링제를 사용하여 전처리 하였다. 가교화된 이온넨으로 이루어진 습도센서의 상대습도에 대한 저항을 측정하였을 때, 저항은 20%$\sim$90%RH 상대습도 영역에서 $10^3$의 값이 변화하였으며 이것은 대기의 습도를 측정하는데 요구되는 특성을 만족시키고 있다. 그 밖에 온도의존성, 히스테리시스 응답 및 회복속도, 내수성 그리고 고온/고습에서 장기 안정성을 측정하여 습도센서로서 특성을 평가하였다.
KSTAR 토카막의 두번째 실험 캠페인 동안 고속파 전자가열 (FWEH)을 위한 ICRF 고주파입사 실험을 실시하였다. 토로이달 자기장은 2 T, 플라즈마 전류는 200-300 kA, 주반경은 1.8 m, 부반경은 0.5 m의 원형 플라즈마가 가열 대상이 되었으며, 네개의 ICRF 안테나 전류띠 가운데 중심부의 두개의 전류띠를 최대 300 kW로 구동하기 위한 운전 주파수는 44.2 MHz가 선택 되었다. 이 주파수는 플라즈마의 모든 영역에서 이온 사이클로트론 공명을 일으키지 않으므로 플라즈마에 흡수되는 대부분의 출력은 전자에게 전달될 것으로 기대되었다. 낮은 고주파-플라즈마 결합으로 인하여 전송선의 최대 고주파 전압이 허용치를 초과하기 때문에 비교적 낮은 최대 출력만이 허용 되었으나, ECE에 의해 관측된 전자의 온도는 국지적으로 최대 150 % 까지 증가하는 것을 확인 할 수 있었다. 낮은 고주파-플라즈마 결합의 첫번째 원인은 FWEH의 효율이 이온을 가열할 때 보다 상대적으로 낮기 때문이다. 플라즈마 내에 이온 사이클로트론 공명층이 형성되면 높은 효율로 고주파를 입사 할 수 있다는 것은 잘 알려진 사실이다. 또다른 원인은 D 형상의 플라즈마에 맞도록 만들어진 안테나와, 원형 플라즈마간의 부조화로 인하여 고속파 차단층이 (Fast Wave Cutt-off Layer) 평균적으로 넓게 형성되기 때문이다. 플라즈마 외곽에 반드시 존재하는 낮은 플라즈마 밀도의 고속파 차단층 내부에서, 중심부로 향하는 고주파의 진폭은 지수함수로 감쇠하므로 가능하면 플라즈마 밀도를 높여 차단층 자체의 폭을 줄이거나, 안테나 전류띠를 플라즈마에 바짝 접근시켜야만 한다. 고주파 진단 장치로는 송출기의 출력과 반사파 측정 장치, 공명루프의 전압 측정 장치가 있는데, 이것들을 이용하여 안테나에 전달되는 출력 및 고주파-플라즈마 결합 효율을 나타내는 플라즈마에 대한 고주파 부하 저항을 구할 수 있다. 측정 결과, 부하 저항의 최소값은 진공시 또는 ICRF만의 방전시의 값 0.25 Ohm 보다 큰 0.5 Ohm을 나타냈으며, 최대값은 플라즈마의 상태에 따라 1 Ohm에서 2 Ohm 사이에서 매우 빠르게 요동하는 것을 확인했다. Mm 파 반사계의 측정에 의하면 플라즈마 언저리의 위치가 약 3 cm 정도의 크기로 요동하는 것으로 나타났는데, 부하 저항과 언저리 위치의 파형이 정확하게 일치하지 않지만 유사한 경향성을 가진 것으로 보인다. 따라서 플라즈마 언저리 위치의 제어를 통하여 가열 효율을 높게 유지할 수 있음을 알 수 있다. 본 발표에서는 실험의 소개와 함께 부하 저항의 관점에서 가열 효율을 높일 방안을 토론하도록 한다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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