• The Proceeding of the Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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• v.13 no.2
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• pp.44-52
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• 2002

본 논문에서는 RF와 마이크로파 응용을 위한 MEMS 수동 소자에 대한 내용이다. 이 수동 소자들을 만들기 위해서 개발된 3타원 MEMS공정은 기존의 실리콘 공정과 완전한 호환성을 가지고 한 칩으로 집적화 시킬 수 있는 공정이다. 이 3차원 MEMS 공정은 기존 실리콘 긍정이 가지고 있는 한계를 극복하기 위한 방법으로써 개발되었다. 개발된 공정을 이용하여 실리콘 공정에서 구현할 수 없었던 좋은 성능의 인덕터, 트랜스포머 및 전송선을 RF와 마이크로파 응용을 위해서 구현하였다. 저 전압, 높은 차단율을 위한 push-pull 개념을 도입한 MEMS 스위치를 구현하였다. 또한 높은 Q를 갖는 MEMS 인덕터를 최초로 CMOS 칩과 집적화에 성공하여 600kHz 옵셋 주파수에서 -122 dBc/Hz의 특성을 갖는 2.6 GHz 전압 제어 발진기를 제작하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2004.05a
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• pp.128-131
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• 2004

유기발광소자(OLED)Glass/indium-tin-oxide(ITO)/Cu-Pc(copper-phthalocyanine)/N.N'-Bis(3-methylphenyl)-1,1'-biphenylbenzidine/tris-(8-hydroquinoline) aluminum(Alq3)/aluminum(Al)의 기본구조로 제작된 OLED에 다양한 전압을 인가하면서, 마이크로파 근접장 현미경을 이용하여 전압인가에 따른 반사계수(S11)와 소자의 전류-전압특성을 측정함으로써 전기적 전도 특성을 연구하였다. 또한 다양한 인가전압에 따른 EL(electro luminance)를 측정하여 소자의 광학적 특성과 전기적 특성을 연구 비교하였다.

• Electrical & Electronic Materials
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• v.11 no.11
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• pp.110-117
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• 1998

고온초전도체의 마이크로파 특성에 대한 이해는 고온초전도체를 이용한 고주파소자의 설계 및 제작된 소자의 특성을 이해하는데 있어서 매우 중요하다. 본문 중에는 고온초전도체의 고주파특성 중 초전도박막의 표면저향과 전자파침투깊이의 측정방법이 기술되었으며 지금까지의 연구결과 밝혀진 고온초전도박막의 표면저항의 온도 및 rf 자기장애의 의존성에 대한 내용이 기술되었다.

• Electrical & Electronic Materials
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• v.9 no.9
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• pp.900-905
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• 1996

We have investigated dielectric properties of low fired ceramics BiNbO$_{4}$ containing 0.05[wt%] V$_{2}$O$_{5}$ and x[wt%l Cr$_{2}$O$_{3}$ (x=0, 0.2, 0.4, 0.8, 1.2). By substituting Cr for Bi, dielectric constant .epsilon.$_{r}$ and quality factor Q.f increased and temperature coefficient of resonant frecquency .tau.$_{f}$ changed to positive value. In the composition of BiNbO$_{4}$+0.05 [Wt%] V$_{2}$O$_{5}$+0.8[wt%]Cr$_{2}$O$_{3}$ sintered at 960[.deg. C], we could obtain microwave dielectric properties of .epsilon.$_{r}$=49, Q.f.simeq.3000[GHz](at 4.8[GHz]), .tau.$_{f}$.simeq.0[ppm/.deg. C]. As the above ceramics can be sintered near 960[.deg. C], it is applicable to multilayer microwave device with Ag conductor.tor.tor.tor.

• Proceedings of the IEEK Conference
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• 1999.11a
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• pp.301-304
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• 1999

밀리미터파 대역의 아날로그 광전송을 위한 진행파형 (travel ing wave, TW) 전계흡수 광변조기 (electroabsorption modulator, EAM)와 광수신기의 설계에 대해 발표하고자 한다. TW EAM 및 TW 광수신기의 일반적인 형태인 ridge-type의 co-planar waveguide (CPW)구조에서의 마이크로파의 전송특성을 3차원 FDTD로 분석하여 광파와 전파의 속도 정합 등을 이루는 최적화 구조를 설계하였다. TW EAM의 경우 광세기 변조의 비선형 응답특성에 있어서 마이크로파 손실과 소자길이가 RF 신호의 혼변조 왜곡 (intermodulation distortion)과 SFDR (spurious free dynamic range)성능에 미치는 영향도 이론적으로 조사하였다. TW PIN 광수신기의 경우 광파와 마이크로파의 속도정합의 영향과 이전에는 고려되지 않았던 photo-generated 전송자의 진성 영역에서의 transit time이 광수신기의 밴드 폭에 미치는 영향을 분석하여 최적화 설계하였다.

• Journal of the Korean Magnetics Society
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• v.25 no.5
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• pp.149-155
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• 2015

The ECR (Electron Cyclotron Resonance) Ar ion milling was manufactured to fabricate the device of thin film. The ECR ion milling system applied to the device etching operated by a power of 600W, a frequency of 2.45 GHz, and a wavelength of 12.24 cm and transferred by a designed waveguide. In order to match one resonant frequency, a magnetic field of 908 G was applied to a cavity inside of ECR. The Ar gas intruded into a cavity and created the discharged ion beam. The surface of target material was etched by the ion beam having an acceleration voltage of 1000 V. The formed devices with a width of $1{\mu}m{\sim}9{\mu}m$ on the GMR-SV (Giant magnetoresistance-spin valve) multilayer after three major processes such as photo lithography, ion milling, and electrode fabrication were observed by the optical microscope.

• Proceedings of the Korean Magnestics Society Conference
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• 1998.05a
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• pp.94-95
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• 1998

• The Magazine of the IEIE
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• v.25 no.9
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• pp.50-57
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• 1998

• Electrical & Electronic Materials
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• v.11 no.11
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• pp.92-96
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• 1998

• Electrical & Electronic Materials
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• v.11 no.11
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• pp.97-102
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• 1998