• Title/Summary/Keyword: 마이크로소자

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이동체 탑재용 DBS 수신 마이크로스트립 어레이 안테나 설계

  • 김기호;맹영훈;이승호
    • The Proceeding of the Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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    • v.14 no.2
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    • pp.75-82
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    • 2003
  • 이동체 탑재형 안테나는 설치 장소의 특성상 소형화와 경량화가 필수적인 요소이다. 그러므로 이동체 탑재형 안테나의 경우 반사판형 안테나보다 마이크로스트립 어레이 안테나가 널리 쓰이고 있다. 본 고에서는 마이크로 스트립 슬롯 어레이 안테나를 설계하였다. 만족스러운 고 이득을 얻을 수 있으며 동시에 패치 소자의 개수를 줄이기 위해 패치 단일 소자가 가급적 고 이득을 낼 수 있는 구조로 설계하였다. 본 고에서 설계한 슬롯 안테나는 기생슬롯을 가진 H 자형 타입의 소자이다. 설계는 제작상의 오차를 고려하여, 운용 주파수 11.7~12.75 GHz에서 VSWR 1.8:1 이하를 목표로 하였다. 제작된 안테나의 측정결과는 11.7~12.75 GHz대역에 걸쳐 VSWR < 1.8의 만족한 결과를 보이고, 단일 소자의 시뮬레이션 이득 결과는 10 dBi를 보였으며 $4\times4$ 어레이를 했을 경우 이득은 22 dBi의 값을 보였다. 제작되어진 안테나는 추후 급전 네트웍의 최적화를 통해 상호 간섭(Mutual Coupling)을 최소화하여 효율을 최대화한다면 직접 위성 서비스를 수신하기 위한 초소형 안테나로 활용될 수 있을 것으로 기대된다.

단일칩 마이크로컴퓨터의 소개

  • 이균하
    • 전기의세계
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    • v.33 no.9
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    • pp.532-539
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    • 1984
  • 반도체 기술의 발전은 경이적인 발명이라고 할 수 있는 마이크로컴퓨터를 탄생시켰고 계속된 발달은 소자의 집적밀도를 더욱 더 높여 단일칩 마이크로컴퓨터까지도 저렴한 가격으로 공급 가능하게 하고 있다는 점은 너무나도 잘 아는 사실이다. 본문에서는 단일칩 마이크로컴퓨터들의 일반적인 구성과 특징을 분석, 소개하여 이들을 원활히 활용하는데 다소나마 도움이 되고자 한다.

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Ultrahigh Q cylindrical and spherical microcavity lasers based on evanescent-wave-coupled gain (표면 감쇠파 이득에 기초한 초고품위 원통형 및 구형 미소 공진기 레이저)

  • 안경원
    • Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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    • 2001.02a
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    • pp.38-39
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    • 2001
  • 반도체에서 소자의 크기를 작게 하고 집적도를 높임으로서 성능과 효율을 증가시키는 노력이 계속되듯이 광소자의 경우에도 고효율을 갖는 아주 작은 크기의 발광소자를 만들어서 광 정보처리에 이용하려는 노력이 진행중이다. 특히 마이크론 크기의 공진기와 이득물질간의 광결합 효율이 높으면 레이저 발진 문턱이 낮아진다는 원리를 이용한 마이크로 레이저 연구가 활발하다. 이러한 마이크로 레이저의 연구는 크게 두 가지 방향으로 진행된다. (중략)

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후막형 무기 EL 소자의 신뢰성 향상 특성

  • 고재석;최정철;최승철
    • Proceedings of the International Microelectronics And Packaging Society Conference
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    • 2002.05a
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    • pp.238-240
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    • 2002
  • 스크린 인쇄법으로 전계 발광 소자를 제작하였으며, 고온 다습의 THB 시험을 통해 신뢰성을 평가하였으며, 고전계인가시 소자 표면에 발생된 흑점을 SEM, EDX를 통해 분석하였다. 배면 보호층의 종류와 도포 방법과 도포 횟수에 따른 정전용량, 유전손실, 휘도의 특성을 조사하였다. 이방성 접착제를 사용하여 단자의 종류에 따른 특성을 평가하였고, 단자 접착력에 따른 전기적인 특성을 조사하였다.

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A Study on the Feed Network for Microstrip Array Antenna (마이크로스트립 배열 안테나의 급전 방식에 관한 연구)

  • 안계선;안우영
    • The Journal of Korean Institute of Communications and Information Sciences
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    • v.19 no.9
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    • pp.1739-1747
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    • 1994
  • This study is concerned with a feeding method of microstrip patch antennas with different widths as feeding elements in order to obtain the appropriate radiation patterns of nonuniform array antennas. We analyze a microstrip patch antenna based on the transmission line model and derive that the ratio of current is equal to that of the input impedances of array antenna elements in case that the feed-line length between elements of array antenna is equal to the integer times of $\lambda_g$. We measure the radiation patterns of the nonuniform microstrip patch array antenna with 6 and 9 elements. The patterns measured are well agreed with the theoritically calculated patterns. Thus, this result can be utilized in the implementation of a feed network in nonuniform array antennas.

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레이저를 이용한 마이크로 및 나노 가공

  • Jeong, Seong-Ho
    • Journal of the KSME
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    • v.51 no.9
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    • pp.33-39
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    • 2011
  • 레이저 마이크로 및 나노 가공은 공기 중에서 고속으로 실행이 가능하여 산업적으로 응용이 가능한 거의 유일한 초미세가공기술로소 반도체, 전자, 마이크로유체소자 등과 같은 분야에 널리 응용되고 있고 기존 기술의 한계를 뛰어 넘는 새로운 기술을 창출하는 데 기여하고 있다.

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Active Optical Logic Devices Using Surface-emitting Microlasers (표면광 마이크로 레이저를 이용한 능동형 광 논리 소자의 동작 특성)

  • 유지영
    • Korean Journal of Optics and Photonics
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    • v.4 no.3
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    • pp.294-300
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    • 1993
  • Monolithic NOR and INVERTER active optical logic devices inte- grated with surface-emitting microlasers, heterojunction photo- transistors(HPT) in parallel and resistors in series are characterized. The differential quantum efficiency of the typical AlGaAs superlattice microlaser integrated in the active optical logic devices is 15%. Current gain of the HPT is 57, when emitter-collector voltage and input optical power are 4 V and $50{\mu}W$, respectively. $57{\mu}W$ of output power from the active optical logic device decreases to zero when $47{\mu}W$ of input optical power is incident on the HPT part of the active logic device.

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Design for the Circularly Polarized Microstrip Cross Dipole Array Antenna by Electromagnetic Coupled Technique (전자기 결합기법을 이용한 원편파 마이크로스트립 크로스 다이폴 어레이 안테나의 설계)

  • 민경식;임정남
    • The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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    • v.12 no.1
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    • pp.50-57
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    • 2001
  • This paper describes a design for the circularly polarized microstrip EMC cross dipole array antenna with the wide bandwidth. To realize the characteristics of wide bandwidth and circular polarization, the electromagnetic-coupled cross dipole element is proposed. The optimum design parameters of a circularly polarized EMC cross dipole element are calculated by the FDTD and the Ensemble. To obtain the uniform aperture illumination of electric field in an array, offset technique that the cross dipole elements are alternatively arranged on center of the microstrip feed line is adopted. In 20-element array design, the calculated axial ratio and gain are about 0.1dB and 9.9 dBi at 12 GHz, respectively, The frequency characteristics of a fabricated 20-element array antenna are measured. The calculated results agree well with the measured ones.

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Optimal Design of ESD Protection Device with different Channel Blocking Ion Implantation in the NSCR_PPS Device (NSCR_PPS 소자에서 채널차단 이온주입 변화에 따른 최적의 정전기보호소자 설계)

  • Seo, Yong-Jin;Yang, Jun-Won
    • Journal of Satellite, Information and Communications
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    • v.11 no.4
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    • pp.21-26
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    • 2016
  • The ESD(electrostatic discharge) protection performance of PPS(PMOS pass structure) embedded N-type silicon controlled rectifier(NSCR_PPS) device with different implant of channel blocking region was discussed for high voltage I/O applications. A conventional NSCR standard device shows low on-resistance, low snapback holding voltage and low thermal breakdown voltage, which may cause latch-up problem during normal operation. However, our proposed NSCR_PPS devices with modified channel blocking structure demonstrate the improved ESD protection performance as a function of channel implant variation. Therefore, the channel blocking implant was a important parameter. Since the modified device with CPS_PDr+HNF structure satisfied the design window, we confirmed the applicable possibility as a ESD protection device for high voltage operating microchips.

전면 발광 유기 발광 소자에서 두께에 따른 발광 스펙트럼 연구

  • Yang, Ji-Won;Han, Won-Geun;Lee, Won-Jae;Lee, Ho-Sik;Kim, Tae-Wan
    • Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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    • 2009.11a
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    • pp.20-21
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    • 2009
  • 우리는 전면 발광 소자에서 두께에 따른 발광 스펙트럼을 연구하였다. 소자 구조는 Al(100nm)/TPD(40nm)/Alq3(60nm)/LiF(0.5nm)/Al(2nm)/Ag(30nm)으로 하였다. N,N'-diphenyl-N,N'-di(m-tolyl)-benzidine(TPD)와 tris-(8-hydroxyquinoline) aluminium(Alq3)는 전공 수송층과 발광층으로 각각 사용되었다. 반투명 전극은 Li/Al/Ag로 하였다. 유기물층과 전극은 $2\times10-5$torr의 진공도에서 열 증착하였다. 유기물과 금속의 증착 속도는 $0.5\sim1.0{\AA}/s$$0.5\sim5{\AA}/s$로 하였다. 제작된 소자는 두께가 증가할 수록 장파장으로 이동하는 현상을 보였다. 이러한 현상은 마이크로 캐비티 이론으로 설명할 수 있다. 소자는 이론적인 마이크로 캐비티 수식을 이용하여 분석하기 위해 각각의 변수를 이용하여 실험과 이론을 비교하였을 때, 각각의 스펙트럼이 거의 일치하는 것을 확인할 수 있었다.

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