• 전기의세계
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• v.35 no.2
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• pp.95-99
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• 1986

전력계통의 보호계전기는 1901년 electromechanical type의 과전류 계전기가 사용되기 시작된 이후 전력계통의 대형화에 따른 계전기의 고속화 및 고성능화의 필요성을 충족시키기 위하여 꾸준히 발전되어 왔다. 성능면에서 우수한 트랜지스터형 계전기의 활용은 물론, 1969년에는 소형 컴퓨터를 이용한 전력계통의 보호계전기법이 발표되었고 1974년부터는 마이크로 프로세서의 등장으로 종래의 Analog계전기의 단점을 보강하고 계전기의 고성능화, 고신뢰도는 물론 장치의 축소화와 경제성 면에서도 향상된 digital계전기의 발달이 더욱 활발하게 되었다. 여기서는 이와 같은 추세로 발달되고 있는 digital 계전기의 구조 및 특성을 간략히 기술하고 전력계통 보호를 위한 앨고리즘의 연구동향에 대하여 살펴보기로 한다.

• Digital Contents
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• no.4 s.119
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• pp.163-166
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• 2003

XML 저작툴은 유사한 특성을 갖고 있다. 이 툴들의 차이는 '아키텍처 측면'이다. 일부 툴은 강력한 서버가 지원하는 분산 환경에 적합하며, 다른 제품은 데스크탑용을 겨냥하고 있다. 설계 요소에 관계업이 XML 편집 툴은 구조에서 콘텐츠에 이르기까지 정보의 형성, 편집, 제작 및 재사용을 통제할 수 있다. XML 편집과 저작 기능을 조정하는 제품이 견고할수록 백-엔드 시스템을 갖춘 기업의 흥미를 끌 수 있다. Arbortext와 어도비 저작툴의 특징과 마이크로소프트가 경쟁자로 떠오르면서 업계의 변화를 따라가 보자.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2009.10a
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• pp.188-189
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• 2009

AAO 템플레이트 기공 안에 기상 중합 방식을 이용하여 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) 전도성 나노 튜브를 제조하였다. PEDOT 나노튜브는 나노 단위의 직경과 마이크로 단위의 길이로 조절이 자유로우며 잘 정렬된 구조를 갖는다. PEDOT 나노 튜브의 전도도는 2000 S/cm로써 박막으로 제조된 것에 비해 향상되었으며, XPS, TEM, SEM와 SPM을 통해 형태 및 특성을 확인하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2011.02a
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• pp.69-69
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• 2011

다이아몬드는 절연 물질이지만, 합성 다이아몬드를 생성할 때 결정 내에 도핑(doping) 과정을 통해 불순물을 혼입함으로써 반도체 성질을 가지게 된다. 본 연구에서는 마이크로웨이브 CVD 장치를 이용하여 다이아몬드 박막의 생성 조건을 최적화하고 여기에 다이아몬드 박막 생성시 디보란(Diborane, B2H6)을 주입하여 전기적 특성을 갖는 보론-도핑 된 다이아몬드 박막을 생성하였다. 실험 조건으로는 방전전력 1.4 Kw, 진공압력 40 Torr의 상태에서 디보란의 주입량을 각각 다르게 하여 실험을 진행하였다. 이 때 사용된 기판으로는 전기적 특성이 서로 다른 사파이어($Al_2O_3$), Si, Ti 기판을 사용하여 박막과 기판과의 연관성도 조사하였다. 각각의 보론-도핑 농도와 기판에 따른 다이아몬드 결정구조를 Micro Raman, SEM으로 분석하였고, 다이아몬드 박막의 I-V특성을 통해 다이아몬드의 전기적 특성을 조사하였다.

• Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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• v.7 no.2
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• pp.1-6
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• 2000

X-ray lithography mask with SiC membrane and Ta absorber patterns has been fabricated using ECR plasma CVD, d.c. magnetron sputtering, and ECR plasma etching. The stress of stoichiometric SiC film was adjusted by rapid thermal annealing under $N_2$, ambient. Adjusting the working pressure during sputtering process resulted in a near-zero residual stress, reasonable density, and smooth surface morphology of Ta film. Cl-based plasma showed a good etching characteristics of Ta, and two-step etching process was implemented to suppress microloading effect fur sub-quarter $\mu\textrm{m}$ patterning.

• The Journal of the Institute of Internet, Broadcasting and Communication
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• v.14 no.4
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• pp.213-217
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• 2014

In this paper, we designed monopole microstrip antenna for WLAN/WiMAX system. The monopole antenna is designed by FR-4 substrate with size is $30mm{\times}40mm$. The proposed antenna is based on a planar monopole design which cover WLAN and WiMAX frequency bands. To obtain the optimized parameters, we used the simulator, CST's Microwave Studio Program and found the parameters that greatly effect antenna characteristics. Using the obtained parameters, the antenna is designed. Thus the proposed antenna satisfied the -10 dB impedance bandwidth requirement while simultaneously covering the WLAN and WiMAX bands. And characteristics of gain and radiation patterns are obtained for WLAN/WiMAX frequency bands.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2018.05a
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• pp.55-56
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• 2018

In this paper, a method for analyzing the dielectric constant of a planar substrate is proposed. To this end, a band-stop filter was created by adding a H-shaped resonant aperture to the ground plane of a microstrip transmission line. A planar substrate of 2 mm thickness was placed behind the ground plane of the microstrip transmission line and the change of the resonant frequency with the change of the dielectric constant of the substrate was investigated. It can be seen that the change ratio of the frequency to the reference resonant frequency is larger than that of the conventional complementary split ring resonator structure.

• The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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• v.14 no.9
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• pp.924-930
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• 2003

In this paper, a novel miniaturized microstrip duplexer with attenuation pole is proposed. A three-pole microstrip CT(Cascade Trisection) two bandpass filters have each asymmetrically prescribed transmission zero are design and fabrication. This CT bandpass filter changes coupling structure, which not only shifts the location of attenuation poles but also improves skirt characteristics. The duplexer results of measurement with the cross coupling CT bandpass filters has been yielded better isolation and sharper skirt behavior than that with a conventional bandpass filter. The results of measurement are almost similar to those of simulation results.

• The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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• v.9 no.2
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• pp.253-264
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• 1998

In this paper, a design method for directional couplers using bilevel microstrip substrates is proposed. This kind of broadside-coupled coupler provides large coupling factors and broadband characteristics which can not be provided by conventional edge-coupled couplers. Physical dimensions needed for design are obtained by numerical analysis of characteristic parameters of the coupler using the least squares residual method, a kind of variational method, and an eigenvalue problem analysis method. A 3[dB] directional coupler is designed by the proposed method at the center frequency of 1 GHz, built, and tested. The validation and accuracy of the method are confirmed by comparing the numerical results with the experimental results.

• Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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• v.7 no.3
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• pp.13-17
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• 2000

The electrical properties of polyimide for interlayer dielectric applications are investigated with ECR (Electron Cyclotron Resonance) etching process. ECR etching with $Cl_2$-based plasma, generally used for aluminum etching, results in an increase in the dielectric constant of polyimide, while $SF_{6}$ plasma exhibits a high polyimide etch rate and a reducing effect of the dielectric constant. The leakage current of the polyimide is significantly suppressed after plasma exposure. Combination of Al etching with $Cl_2$plasma and polyimide etching with $SF_{6}$ plasma is expected as a good tool for realizing the multilevel metallization structures.