Proceedings of the Korea Society for Simulation Conference
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1998.10a
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pp.82-85
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1998
본 논문에서는 음성호 및 데이터호를 동시에 서비스하는 계층구조를 가지는 CDMA 셀룰러 시스템에서 트래픽 특성을 고려한 효율적인 채널 할당 알고리듬을 제안한다. 제안된 채널할당 알고리듬은 첫째, 계층구조를 가지는 셀룰러 시스템에서 호의 종류를 음성호와 데이타호로 나누고 트래픽의 특성을 분석한다. 둘째, 위에서 구한 트래픽 특성을 바탕으로 핸드오프와 신규호 블록킹확률을 최소로 하기 위하여 마이크로셀에서 매크로셀로 오버플로우 시키는 방식을 적용한다. 셋째, 신규화와 핸드오프호의 블록킹 확률을 구하고 QoS를 만족시키는 음성호와 데이터호의 채널분배 방법을 제시하여 시스템의 성능을 향상시키고자 한다.
This paper presents experimental results on stirring characteristics in a microchannel with structures changed. We fabricated a new chaotic micro mixer and made by a RP(Rapid Rrototyping) technology. Flow visualization for the stirring effect was performed by using pure orator in a reservoir and fluorescent dye in the other. Chaotic mixing was achieved by introducing periodic perturbation in the field of the microchannel flow by means of shaped structures. It was found that the stirring is enormously enhanced at larger bock-height.
Proceedings of the International Microelectronics And Packaging Society Conference
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2003.11a
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pp.214-217
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2003
상하로 양극 영역이 중첩된 새로운 Si 포토다이오드를 제작하고 이의 전기광학적 특성을 조사하였다. 제작된 소자의 역포화전류와 이상계수는 각각 68pA와 1.8로 나타났으며 -3V 바이어스에서 측정된 접합 커패시턴스는 8.3 pF로 나타났다. 또한 $100mW/cm^2$, AMI 스펙트럼 조건에서 -3V 바이어스 아래 측정된 광전류와 감도특성은 각각 $60\;{\mu}A$와 6 A/W로 나타났다.
본 논문에서는 신호의 분리와 합성이 가능한 Diplexer를 제작하였다. 저역 통과 여파기와 고역 통과 여파기의 특성을 정합하여 Diplexer로 구현함으로써 신호의 분리와 합성이 가능하다는 것을 시뮬레이션을 통해 확인하였다. 또한 신호의 분리와 합성의 가능성을 입증하기 위해 실제 마이크로스트립구조의 Diplexer를 제작, 측정한 결과 각각의 통과 대역폭 내에서 0.4dB, 0.8dB이내의 삽입손실과 -20dB의 반사손실이 됨을 실험결과를 통해 알 수 있었고 또한, 인덕터의 구현 방법을 마이크로스트립으로 하여 주파수 특성과 재현성을 높였다.
Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea TC
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v.49
no.4
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pp.47-52
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2012
We have designed the waveguide to microstrip transition using a probe structure for the center frequency of 200 GHz transceiver. The waveguide to microstrip transition is composed of probe, taper and microstrip transmission line. For design of the transition, we simulated the lengths and width of the probe and the taper to optimize the center frequency and the bandwidth using HFSS simulation tool from Ansoft. The transition is designed back-to-back structure. From the simulation results, the transition exhibits that insertion loss is below - 0.81 dB and the return loss less than -10 dB in range of 186 ~ 210 GHz.
Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea TC
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v.47
no.12
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pp.84-89
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2010
In this paper, a novel voltage-controlled oscillator (VCO) using the microstrip square open loop dual split ring resonator is presented for reducing the phase noise. The square-shaped dual split ring resonator having the form of the microstrip square open loop is investigated to reduce the phase noise. Compared with the microstrip square open loop resonator and the microstrip square open loop split ring resonator as well as the conventional microstrip line resonator, the microstrip square dual split ring resonator has the larger coupling coefficient value, which makes a higher Q value, and has reduced the phase noise of VCO. The VCO with 1.7V power supply has the phase noise of -123.2~-122.0 dBc/Hz @ 100 kHz in the tuning range, 11.74~11.75 GHz. The figure of merit (FOM) of this VCO is-214.8~-221.7 dBc/Hz dBc/Hz @ 100 kHz in the same tuning range. Compared with VCO using the conventional microstrip line resonator, VCO using microstrip square open loop resonator, the phase noise of VCO using the proposed resonator has been improved in 26 dB, 10 dB, respectively.
Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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2001.05a
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pp.223-227
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2001
To complement the narrow band characteristics of the microstrip patch antenna, the slot patch antenna was designed for the wide band characteristics. The microstrip slot patch antenna has wide band characteristics when the size of the slots and the feed line shapes are designed accordingly. In this study, various substrates as a epsilon-10, and a epoxy were used to design slot patch antennas. The feed line structure of the circular and square were also designed to have wide band. In the case of slot antennas with the circular patch shapes using epsilon-10 plate 50mm thickness with relative permittivity the 41% bandwidth on the 1.5∼2.28㎓ was shown. When an Epoxy plate 1.Sum thickness with relative permittivity 4.75 is used to construct a circular slot antenna with a square patch form, the frequency band width was obtained 77% as the 1.2∼2.7㎓ frequency range. These results are coincided well with the theoretical results.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2014.02a
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pp.283.1-283.1
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2014
최근 주위 환경에 존재하는 다양한 에너지를 전기에너지로 회수 또는 수확하는 에너지 하베스팅 기술(energy harvesting technology)이 크게 주목을 받고 있으며, 이와 더불어 압전 나노발전소자(piezoelectric nanogenerator)의 연구가 활발해 진행되고 있다. 한편, 수열합성법 또는 전기화학증착법을 이용하여 비교적 간단하게 수직으로 성장된 산화아연 나노로드(ZnO nanorod)는 광대역 에너지 밴드갭(wide bandgap energy)과 압전(piezoelectric)특성을 갖게 된다. 이렇게 수직 정렬된 나노로드의 기하학적 구조는 외부 물리적인 힘에 의해 구부러짐(bending) 변형이 일어나 압전특성이 효과적으로 일어나며, 이런 현상을 이용하여 압전 나노발전소자에 응용할 수 있다. 본 연구에서는 상부의 전극의 표면 거칠기(surface roughness)를 증가시켜 외부 힘에 의해 산화아연 나노로드가 효과적으로 변형을 일으켜 압전 특성을 향상시켰다. 실험을 위해, 산화아연 마이크로로드 어레이 (microrod arrays)와 실리카 마이크로스피어(silica microsphere)를 각각 템플릿으로 이용하여 그 위에 금(Au)를 증착하여 상부전극을 제작하였다. 산화아연 나노로드와 마이크로로드는 전기화학증착법을 이용해서 저온공정($75^{\circ}C$)으로 ITO가 코팅된 PET 기판위에 성장하였으며, 인가된 전압의 세기를 변화시켜 산하아연 구조물의 크기를 조절하였다. 또한 화합합성법으로 실리카 마이크로 스피어를 준비하였다. 이러게 제작된 상부전극을 통해 기존의 사용되었던 전극과 비교하여 성능이 향상됨을 확인하였으며, 이와 함께 이론적인 분석을 진행하였다.
Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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v.18
no.2
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pp.260-267
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2014
In this paper, the unit cell of LH structure using microstrip transmission line and chip capacitor is devised, and the reactive components of equivalent circuit are extracted from the proposed unit cell. And then, we have analyzed for the unit cell parameters and applied the characteristics to the wideband high pass filter design. This filter cascading several unit cells with high pass property has been implemented on microstrip transmission line, and the performance has been the band rejection characteristics of 62.9 dB in the stop band to 0~2.18 GHz and less than the insertion loss of 1.17 dB in the pass band from 3.0G Hz to 12.75 GHz.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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