• Proceedings of the Acoustical Society of Korea Conference
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• spring
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• pp.367-370
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• 1999

일반적 인 SAW 필터에서 발생하는 선형성의 한계 및 천이대역의 특성을 개선하기 위한 새로운 구조의 이중구조 사다리형 SAW 필터의 최적 설계 방법을 제시하고 그 가능성을 확인하였다. 이중구조 SAW 필터는 일반적인 사다리형 필터의 구조를 바탕으로 하되, 두 개의 서로 다른 필터가 각각 주어진 대역사양을 반반씩 만족시켜 전체의 필터특성이 구현될 수 있도록 하였다. 특히 고주파 대역에서 만족시키기 어려운 정재파비 및 뛰어난 천이대역 특성을 만족시킬 수 있는 장점을 가지며, 이를 위해 withdrawal 가중기법 및 기판상에 encp화된 마이크로 스티 립라인 인덕터를 이용하였다. 우선 이중 구조 필터구조를 결정한 후, microstrip 라인 인덕터의 위치 및 인덕턴스 변화에 따른 필터특성 변화를 살펴보았으며, 필터의 각종 형상변수의 변화에 따른 필터 특성변화를 조사하였다. 이상의 결과를 바탕으로 새로운 방법의 이중구조 SAW 필터의 설계방법을 제시하였으며 그 타당성을 검증하기 위해 1.8 GHz 대역의 RF 필터에 대한 설계 결과를 나타내었다.

• Electrical & Electronic Materials
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• v.7 no.1
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• pp.49-56
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• 1994

Polycrystalline CdS thin films were deposited by using EBE method and its crystal structure, surface morphology, electrical and optical properties as a function of annealing temperature were investigated. It was found that optimum growth conditions were substrate temperature annealing temperature 300[.deg. C]. The films were hexagonal structure preferred(002) plane and maximum grain size was 421[.angs.]. As the results, resistivity and optical transmittance of CdS thin films were $8.3{\times}{10^3}$[.ohm.cm] and 89[%] respectively.

• 제어로봇시스템학회:학술대회논문집
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• 2000.10a
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• pp.248-248
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• 2000

본 연구는 조선 소조립, 판넬조립 등의 공정에서 발생되는 필렛 용접 부위의 용접 자동화를 위한 로봇 시스템 개발에 관한 연구이다. 조선등의 중공업 분야에서는 작업이 중량이고 대형임에 따라 로봇이 부재의 특정위치로 이동하여 작업해야 한다. 또한 작업대상의 형상이나 치수가 매번 변경됨에 따라 이에 능동적으로 대처할 수 있어야 한다. 본 연구에서는 두 대의 로봇(2대x6축=12축)이 다축 문형 캔트리(4축)에 장착된 조선용 필렛용접 로봇 시스템(16축)을 개발하였다. 필렛용접부재를 중심으로 두 대의 로봇이 양쪽을 동시에 용접하는 방식으로 고속회전토치를 적용하여 위빙동작없이 원하는 용접각장(Leg Length)을 생성할 수 있다. 캔트리 시스템은 PC 기반의 별도 제어기로 구성하여 두 대의 로봇 제어기와 신호 입출력에 의해 동시동작이 가능하도록 하였으며, 작업장에 놓인 부재의 위치오차를 보장하기 위하여 시각센서를 적용하였다. 용접시작점의 위치보정을 위한 시작점 검출을 위해접촉센서(Touch Sensor)를 적용하였으며, 용접선 추적을 위해서 아크센서(Arc Sensor)를 적용하였다. 본 시스템 2000년 1월 제작 설치가 완료되어 현재 성능 테스트가 완료된 상태로 향후 생산현장에 적용될 계획이다.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.2 no.1
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• pp.99-108
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• 1993

저압화학증착법에 의해 제조된 hemispheircal 및 rugged Si 박막들은 64 Mbit DRAM 이상의 캐패시터에 사용하기 위해 개발되었다. 이 공정을 사용하므로써 종래에 사용되던 Si 전극의 평평한 표면이 hemispherical 혹은 rugged 박막 형태의 표면으로 변한다. 위와 같은 박막은 비정질 Si 표면에서 핵생성되며 Si 원자 확산에 의해 결정립들이 결정체로 성장한다. 화학증착의 변수, 열처리 및 in-situ doping process들은 hemispherical 및 rugged Si 박막의 미세구조에 영향을 준다. 동일 두께에서는 고온에서 이루어질 때 혹은 동일 온도일 경우에는 얇은 박막층일 때에 하부전극의 표면들이 rugged poly Si 형상을 나타내며 이렇게 됨으로써 유효면적은 2.1배로 증가한다. 이와 같은 캐패시터 유효면적 증가는 대체로 높은 신뢰성을 갖는 두꺼운 절연막을 사용하면서 stack 캐패시터 구조의 높이를 감소시킬 수 있다. 따라서 이러한 제조기술은 차세대 캐패시터에 적용될 수 있다.

• Proceedings of the Korean Society for Technology of Plasticity Conference
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• 2009.05a
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• pp.263-265
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• 2009

In this study, ultrafine grained (UFG) oxygen free high conductivity copper (OFHC Cu) having two different grain morphologies, one the severely elongated and the other the equiaxed, was prepared by equal channel angular pressing (ECAP) with routes A and $B_c$, respectively. The results of quasi-static tensile tests at $10^{-1}\;s^{-1}$ and $1\;s^{-1}$ and dynamic compression tests at $10^3\;s^{-1}$ order revealed that the equiaxed UFG Cu exhibited higher strength and less ductility compared to the elongated one. The difference of the plastic flow characteristics between the two were rationalized by considering their dislocation mean free length based on the orientation relationship between the possible slip planes and the loading direction.

• Proceedings of the Korean Society of Propulsion Engineers Conference
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• 1999.10a
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• pp.30-30
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• 1999

추진기관의 연소실과 같이 큰 열부하를 받는 경우 막냉각은 연소실을 보호하기 위해서 사용되는 대표적인 냉각기법이다. 막냉각의 성능을 극대화하기 위해서는 냉각유체를 2차원 슬롯을 통해서 분사시키는 것이 가장 효율적이지만 여러 가지 이유 때문에 실제 적용에 있어서는 슬롯입구 부근에 작은 구멍을 만들어 이로부터 분사되는 유체를 통해서 냉각시키게 된다. 본 연구에서는 주어진 덕트에서 분사율, 분사방법, 슬롯의 형상에 따른 슬롯 출구에서의 유동장 및 온도장 측정과 함께 물질전달 방법을 이용하여 슬롯 립(slot lip) 내벽에서 자세한 국소 열/물질전달계수를 구하였다. 분사율 0.5와 1.0에 대해서 주유동과 같은 방향으로 분사시켜줄 경우와, 유동을 제한시켜 주고 이차유동의 방향을 각각 주유동과 같은 방향과 반대방향으로 분사시키는 방법에 대하여 실험하였으며, 슬롯 입구에 경사슬롯을 설치하여 냉각유체를 분사시키는 방법에 대해서 실험하였다.

• Proceedings of the Korean Magnestics Society Conference
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• 2002.12a
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• pp.238-239
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• 2002

현대의 영구자석들은 Alnico 주조자석을 제외하고는 모두 자성분말을 이용한 분말야금학적인 소결자석 또는 본드자석 형태로 제조된다. 따라서 자성분말의 형상, 크기, 입도, 순도, 조성 등이 자석의 자기적 특성을 우선적으로 결정하며, 이러한 구조적, 화학적 인자들은 영구자석의 고성능화를 위해 자성분말 또는 결정립이 초미세화 함에 따라 자기 특성을 결정하는 더욱 중요한 요소로 작용하고 있다. 그러므로 이들 인자와 자기적 특성간의 상관관계를 정확히 규명하고 보다 잘 이해하는 것이 극대화된 자기 특성을 갖는 자성체를 개발하는데 절대적으로 필요하다. (중략)

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.02a
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• pp.269-269
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• 2010

현재 화석연료의 부족으로 인한 에너지 수급의 불균형, 자연환경의 파괴로 인해 대체에너지 개발이 절실히 요구되고 있다. 이러한 문제점을 극복하기 위한 방안으로 태양전지에 대한 관심이 높아지고 있다. 기존 결정형 실리콘 태양전지와 비교해 화합물 반도체를 기반으로 한 박막형 태양전지는 친환경적인 제품이면서 제조원가를 절감시킬 수 있고, 반영구적인 수명 및 값싼 기판을 활용할 수 있는 장점으로 인해 활발한 연구가 진행되고 있다. 본 실험에서는 Co-sputtering법으로 제작된 $CuInSe_2$(CIS)를 광활성층으로 한 박막형 태양전지에서 실온 ${\sim}550^{\circ}C$의 다양한 온도에서 후열 처리된 CIS 박막들의 전기적, 구조적, 광학적인 특성들을 분석하였다. 제작된 박막들 가운데 Hall Effect 측정결과 $550^{\circ}C$에서 후열 처리된 박막이 가장 높은 1.227E+22(/$cm^3$)의 캐리어 농도와 1.581(cm/$V{\cdot}s$)의 홀 이동도를 가지며, 3.092E-4(${\Omega}{\cdot}cm$)의 가장 낮은 비저항 값을 갖는 것으로 나타났다. EFM 측정결과 열처리 하지 않은 박막에 비해 후열처리된 CIS 박막의 전도성이 전체적으로 높아졌다. 특히, $550^{\circ}C$에서 후열 처리된 박막의 표면은 전체적으로 전기 전도성이 높은 결정립들이 골고루 분포하며 가장 높은 표면 포텐셜 에너지 값을 갖는 것으로 나타났다. 박막들의 구조적 특성을 분석하기 위해 SEM과 XRD를 측정한 결과, $350^{\circ}C$에서 후열 처리된 박막들은 열처리 되지 않은 박막과 비교해 표면형상 변화가 일어났으며, $550^{\circ}C$에서 후열 처리된 CIS 박막들은 $CuInSe_2$(112) 방향이 향상된 chalcopyrite-like 구조를 가지면서 박막 밀도가 높고 결정립의 크기가 증가된 것을 확인하였다. 이는 박막 성장시 기판온도의 상승으로 CIS 박막 내에서 셀레늄의 확산과 상호작용으로 3원 화합물이 재결정화되어 구조적인 특성향상에 기여하였기 때문이다. 결론적으로 본 연구는 CIS 광활성층에서 후열 처리의 효과들 뿐만아니라 박막 증착시 co-sputtering법을 이용함으로써 증착시간의 감소 및 대면적화와 대량생산으로도 적용 가능함을 제시하고자 한다.

• Korean Journal of Materials Research
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• v.4 no.8
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• pp.895-905
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• 1994

The solid phase crystallization behavior of undoped amorphous $Si_{1-x}Ge_{x}$ (X=O to 0.53) alloyfilms was studied by X-ray diffractometry(XRD) and transmission electron microscopy(TEM). Thefilms were deposited on thermally oxidized 5" (100) Si wafer by MBE(Mo1ecular Beam Epitaxy) at 300'C and annealed in the temperature range of $500^{\circ}C$ ~ $625^{\circ}C$. From XRD results, it was found that the thermal budget for full crystallization of the film is significantly reduced as the Ge concentration in thefilm is increased. In addition, the results also shows that pure amorphous Si film crystallizes with astrong (111) texture while the $Si_{1-x}Ge_{x}$ alloy film crystallzes with a (311) texture suggesting that the solidphase crystallization mechanism is changed by the incorporation of Ge. TEM analysis of the crystallized filmshow that the grain morphology of the pure Si is an elliptical and/or a dendrite shape with high density ofcrystalline defects in the grains while that of the $Si_{0.47}Ge_{0.53}$ alloy is more or less equiaxed shape with muchlower density of defects. From these results, we conclude that the crystallization mechanism changes fromtwin-assisted growth mode to random growth mode as the Ge cocentration is increased.ocentration is increased.

• Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers A
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• v.37 no.2
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• pp.233-239
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• 2013

In this paper, a method of combining numerical analyses and experimental tests is used to evaluate fracture toughness of copper thin films of $15{\mu}m$ thickness. Far-field loadings of a global-local finite element model are inversely estimated by matching crack opening profiles in experiments with numerical results. The fracture toughness is then evaluated using the J-integral for cracks in thin films under far-field loadings. In experiments, Cu thin films attached to Aluminum sheets are loaded indirectly, and crack opening profiles are observed by microscope camera. Stress versus strain curves of Cu thin films are obtained through micro-tensile tests, and the grain size of Cu thin films is observed by TEM analysis. The results show that the fracture toughness of Cu thin films with $500nm{\sim}1{\mu}m$ sized grains is $6,962J/m^2$.