• Proceedings of the Korean Society of Precision Engineering Conference
• /
• 2008.06a
• /
• pp.943-944
• /
• 2008

• Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers B
• /
• v.36 no.10
• /
• pp.1011-1017
• /
• 2012

We report the development of an optical micro-nanolithography method by using a roll-type mask. It includes phase-shift lithography and photolithography for realizing various target dimensions. For sub-wavelength resolution, a structure is achieved using the near-field exposure of a photoresist through a cylindrical phase-mask, allowing high-throughput continuous patterning. By using a film-type metal mask, continuous photolithography was achieved, and this method could be used to control the period of resultant patterns in real time by changing the rotating speed of the cylinder mask. As an application, we present the fabrication of a transparent electrode in the form of a metallic mesh by using the developed roll-type photolithography process. As a result, a transparent conductor with good properties was achieved by using a recently built cylindrical phase-shift lithography prototype, which was designed for patterning on 100-mm2 substrates.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
• /
• v.43 no.8 s.350
• /
• pp.1-5
• /
• 2006

At-wavelength inspection system of extreme Ultra-violet lithography was developed and the inspection results were compared with the optical mask inspection system by cross correlation experiments. In at-wavelength EUV mask inspection system, a raster scan of focused euv light is used to illuminate euv light to mask blank and specularly and non-specularly reflected euv light are detected by photo diode and microchannel plate. The cross correlation results between at-wavelength inspection tool and optical inspection tool shows strong correlation. Far-field scattering fringe pattern from programmed phase and opqque defect, which were detected by phosphor plate and CCD camera shows that distinct diffraction fringes were observed with fringe spacing dependent on the defect size.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
• /
• 2010.02a
• /
• pp.460-460
• /
• 2010

단결정 수정은 높은 자외선(UV) 투과성, 화학정 내성, 압전성 등의 특성을 가지고 있으며, 이로 인해 UV 나노임프린트 리소그래피의 스탬프, 광학 리소그래피의 마스크, MEMS 능동소자 등의 다양한 분야에 응용되고 있다. 단결정 수정의 응용분야를 넓히기 위해서 수정과 수정을 접합하는 것은 매우 유용하다. 수정과 수정의 접합은 무결정 유리, 금속등의 중간층을 이용한 접합이 소개되었으나, 접합 시 접합 계면의 평평도가 낮아 지거나, 중간 금속층의 내화학성이 낮은 단점이 있다[1,2]. 이를 극복하기 위해 중간층을 사용하지 않고, 습식 화학적 에칭을 통한 수정-수정의 직접 접합 방법이 소개되었다[3]. 이 방법은 UV 투과성과 내화학성이 높은 접합을 형성할 수 있으나 500도씨 이상의 고온의 어닐링이 필요한 단점이 있다. 본 연구에서는 플라즈마를 이용하여 저온(200도씨)에서 수정-수정의 직접 접합을 형성하였다. 플라즈마 처리를 통해 수정-수정 직접 접합의 접합 강도가 향상되는 것을 확인하였다. 플라즈마 시간과 수정의 표면 거칠기가 접합 강도에 미치는 영향을 분석하였다. 이 방법을 이용하여 나노 임프린트 리소그래피용 스탬프를 제작하였으며, 성공적으로 나노임프린트를 수행하였다. 이 방법은 MEMS 능동 소자 제작, UV 나노임프린트 리소그래피 스탬프 등 다층 수정구조 제작에 등에 응용될 것으로 기대된다.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
• /
• 2011.05a
• /
• pp.30.2-30.2
• /
• 2011

태양광을 이용하는 태양전지의 경우, 태양전지에 도달하는 입사광량은 태양전지의 효율과 직접적인 연관이 있다. 이러한 입사광량을 증가시키기 위해서 다양한 연구가 진행되고 있다. 표면에서의 광손실을 줄이기 위해 반사방지층을 형성하고, 광경로 확장 및 광트랩을 위한 기판 텍스처링 방법은 태양전지의 효율을 증가시키기 위해 꾸준히 연구되어 왔다. 본 연구에서는 불규칙적인 배열을 갖는 마이크로-나노급 패턴을 박막 태양전지용 유리기판 위에 형성함으로써 기판의 확산 투과율을 향상시키고, 광확산에 의한 내부 광경로 확장 효과로 태양전지의 효율을 증가시키고자 한다. 박막 태양전지용 유리기판에 불규칙적인 배열을 갖는 마이크로-나노급 패턴을 형성하기 위해, 기존의 패턴 형성 기술에 비해 공정이 간단하고 비용이 저렴한 나노 임프린트 리소그래피 기술을 이용하였다. 실험순서는 제작된 마스터 템플릿의 확산 패턴을 역상을 복제 하여 임프린트용 mold를 제작하고, 이 mold를 이용하여 박막 태양전지용 유리기판 위에 확산 패턴을 형성하였다.

• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
• /
• 1995.06a
• /
• pp.59-67
• /
• 1995

부분간섭조명과 central obscuration의 Optical Transfer Function(OTF) 에의 영향을 조사해보고, 이의 programing 기법을 소개하며, 모든 3차 수차와 5차 구면수차가 제거된 5반사광학계에 적용하여 축소배율(M = +1/5)을 갖는 리소그래피용 광학계로서의 가능성을 알아보았다. 이렇게 하여 얻어진 광학계 central obscuration이 약 31%이고 과월을 ArF excimer 레이저( 파장 0.193$\mu$m) 로 하는 nearly inchorent illumination($\sigma$ = 1.0)인 경우 NA가 0.45이며 분해능이 50% MTF 기준치와 초점심도 0.8$\mu$m에 대해 약 600cycles/mm 정도인 성능을 갖는 시스템이 되었다.

• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
• /
• 2008.02a
• /
• pp.279-280
• /
• 2008

극자외선 영역(${\lambda}$=13.5 nm)에서 기하학적 그림자 효과를 줄이기 위해 ITO 박막을 RF 스퍼터링을 사용하여 증착하였다. 이를 러더퍼드 후방산란 분석법과 X-선 반사율 분석법을 이용하여 극 자외선 영역에서 ITO 박막의 광학상수를 결정하였다.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
• /
• 2009.05a
• /
• pp.55.1-55.1
• /
• 2009

나노 임프린트 리소그래피 기술은 고집적된 나노 구조물을 경제적으로 형성시킬 수 있는 유망한 차세대 리소그래피 기술 중 하나로써 광학 소자 뿐만 아니라 반도체, 디스플레이, 바이오 소자 등 다양한 분야에 적용이 가능하다. 본 연구에서는 태양전지 보호층으로 사용되는 유리 기판의 투과도 향상을 위해 나노 크기의 패턴을 형성하여 표면 반사를 최소화 하였으며, 보호층의 유지보수 부담을 줄이기 위해 패턴 표면에 방오 기능을 갖는 hydrophobic SAM(Self Assembled Mono-layer)을 형성하였다. 또한, SAM coated nano-sized pattern 형성을 위해 사용 된 $SiO_2$ 증착층과 SAM이 투과도에 끼치는 영향을 확인하기 위하여 bare glass, $SiO_2$ deposited glass, SAM coated glass 그리고 SAM/$SiO_2$ coated glass를 제작하였으며, 각각의 투과도를 측정하여 비교 분석 하였다. 투과도를 측정하기 위해 UV-Vis spectrophotometer를 사용하였으며, 방오 기능을 측정하기 위해 접촉각 측정장치를 사용하였다. 접촉각의 측정을 통해 이형처리(SAM coating)를 한 기판 표면이 소수성으로 바뀌어 물이나 먼지가 잘 묻지 않게 되는 것을 확인하였다.

• Journal of the Korean Vacuum Society
• /
• v.12 no.3
• /
• pp.182-192
• /
• 2003

A new Monte Carlo (MC) simulator for electron beam lithography process in the multi-layer resists and compound semiconductor substrates has been developed in order to fabricate and develop the high-speed PHEMT devices for millimeter-wave frequencies. For the accurate and efficient calculation of the transferred and deposited energy distribution to the multi-component and multi-layer targets by electron beams, we newly modeled for the multi-layer resists and heterogeneous multi-layer substrates. By this model, the T-shaped gate fabrication process by electron beam lithography in the PHEMT device has been simulated and analyzed. The simulation results are shown along with the SEM observations in the T-gate formation process, which verifies the new model in this paper.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
• /
• v.41 no.5
• /
• pp.23-36
• /
• 2004

A computationally efficient and accurate Monte Carlo (MC) simulator of electron beam lithography process has been developed for sub-0.l${\mu}{\textrm}{m}$ T-shaped gate formation in the HEMT devices for millimeter-wave frequencies. For the exposure process by electron to we newly and efficiently modeled the inner-shell electron scattering and its discrete energy loss with an incident electron for multi-layer resists and heterogeneous multi-layer targets in the MC simulation. In order to form the T-gate shape in resist layers, we usually use the different developer for each resist layer to obtain good reproducibility in the fabrication of HEMT devices. To model accurately the real fabrication process of electron beam lithography, we have applied the different developers in trilayer resist system By using this model we have simulated and analyzed 0.l${\mu}{\textrm}{m}$ T-gate fabrication process in the HEMT devices, and showed our simulation results with the SEM observations of the T-shaped gate process.