• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2002년도 추계학술대회 논문집 Vol.15
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• pp.342-345
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• 2002

As the size of chip components and module decreases, new patteming method for fine line and geometry is needed. So far, in LTCC(Low Temperature Cofired Ceramic) process, screen printing method has been used generally. But screen printing method has some disadvantages as follows. First, the geometry including line, vias, etc. smaller than $100{\mu}m$ can't be evaluated easily. Second, the patterned dimension is different from designed value, which makes distortion in charactersitics of not only chip components but also modules. Thick film lithography has advantages of thick film screen printing process, low cost and thin film process, fine line feasibility. Using this method, the line with $30{\mu}m$ width and the geometry with expected dimension can be evaluated. In this study, the fine line with $35{\mu}m$ line/space is formed and the embedded capacitor with very small tolerance is developed using thick film lithography.

• 한국재료학회지
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• 제20권10호
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• pp.550-554
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• 2010

This work presents a fabrication procedure to make large-area, size-tunable, periodically different shape metal arrays using nanosphere lithography (NSL) combined with ashing and annealing. A polystyrene (PS, 580 ${\mu}m$) monolayer, which was used as a mask, was obtained with a mixed solution of PS in methanol by multi-step spin coating. The mask morphology was changed by oxygen RIE (Reactive Ion Etching) ashing and temperature processing by microwave heating. The Au or Pt deposition resulted in size tunable nano patterns with different morphologies such as hole and dots. These processes allow outstanding control of the size and morphology of the particles. Various sizes of hole patterns were obtained by reducing the size of the PS sphere through the ashing process, and by increasing the size of the PS sphere through annealing treatment, which resulted in tcontrolling the size of the metallic nanoparticles from 30 nm to 230 nm.

• Elastomers and Composites
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• 제43권2호
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• pp.63-71
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• 2008

종래의 고무는 대부분 수송 수단인 타이어의 재료로 사용되어 왔으며, 타이어 산업이 곧 고무 산업이라는 인식이 깊다. 본 고에서는 고무를 포함하는 고분자 엘라스토머의 새로운 응용 분야를 조명하고자 한다. 외부의 자극에 반응하는 엘라스토머의 탄성력을 이용하는 액추에이터(actuator), 종이접기의 기술을 이용하여 프로그램된 엘라스토머 이차원 구조를 삼차원으로 변환 시키는 오리가미(origami), 그리고 리소그라피 기술을 이용하여 제조된 엘라스토머 마이크로 렌즈 등의 최신 연구 분야에서의 고분자 엘라스토머의 활용을 알아보고자 한다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1994년도 하계학술대회 논문집 C
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• pp.1246-1249
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• 1994

Thin amorphous film of $a-Se_{75}Ge_{25}$ acts as a positive resist in ion beam lithography. Previously, we reported the optical characteristics of amorphous $Se_{75}Ge_{25}$ thin film by the low-energy ion beam exposure and presented analytically calculated values such as ion range, ion concentration and ion transmission coefficient, etc. As the calculated results of analytical calculation, the energy loss per unit distance by $Ga^+$ ion is about $10^3[keV/{\mu}m]$ and nearly constant for all energy range. Especially, the projected range and struggling for 80 [KeV] $Ga^+$ ion energy are 0.0425[${\mu}m$] and 0.020[${\mu}m$], respectively. Hear, we present the results of Monte-Carlo computer simulation of Ga ion scattering, exposure and development in $a-Se_{75}Ge_{25}$ resist film for focused ion beam(FIB) lithography. Monte-Carlo method is based on the simulation of individual particles through their successive collisions with resist atoms. By the summation of the scattering events occurring in a large number N(N>10000) of simulated trajectories within the resist, the distribution for the range parameters is obtained. Also, the deposited energy density and the development pattern by a Gaussian or a rectangular ion beam exposure can be obtained.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제8권3호
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• pp.69-75
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• 2001

후막광식각 기술은 스크린 인쇄 등의 일반적 후막공정에 노광 및 현상등의 리소그라피 공정 을 접목시킨 새로운 기술이다. 그린시트를 적층한 후 감광성 Ag 페이스트를 도포하고, 패턴을 노광, 현상, 동시소성하여 스크린 인쇄법으로는 어려운 25 $\mu\textrm{m}$ 선폭과 25 $\mu\textrm{m}$ 선간공백을 구현하였다. 알루미나 기판을 사용하였을 경우에도 유사한 방법으로 20 $\mu\textrm{m}$에 가까운 선폭이 구현 가능하였으며, 노광량과 현상시간이 미세라인 형성에 있어서 가장 중요한 공정변수임을 확인하였다. 또한, 광식각 기술을 이용하여 정밀도가 높고 고주파 대역에서 전송특성이 우수한 microstrip 전송선로와 series gap 공진기를 제작하여, 이로부터 기판의 유전률 및 유전손실을 계산하였다.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제7권5호
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• pp.389-396
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• 1994

The bilayer film of Ag/a-S $e_{75.G}$ $e_{25}$ and the monolayer film of a-S $e_{75.G}$ $e_{25}$ act as a negative-type and a positive-type resist in focused ion beam lithography, respectively. Using a model which takes into account the ion stopping power, the ion projected range, the ion concentration implanted into resists and the ion transmission coefficient, etc., the ion resist parameters are calculated for a broad range of ion energies and implanted doses. Ion sources of A $r^{+}$, S $i^{++}$ and G $a^{+}$ are used to expose resists. As the calculated results, the energy loss per unit distance by Ga'$^{+}$ ion is about 10$^{3}$[keV/.mu.M] and nearly constant for all energy range. Especially, the projected range and struggling for 80[keV] G $a^{+}$ ion energy are 0.0425[.mu.m] and 0.020[.mu.m], , respectively and the resist thickness of a-S $e_{75}$ G $e_{25}$ to minimize the ion penetration rate into a substrate is 0.118[.mu.m].u.m]..u.m].

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2003년도 춘계학술대회 논문집 센서 박막재료 반도체 세라믹
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• pp.240-244
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• 2003

후막 리소그라피 기술은 기판 위에 감광성 페이스트를 도포한 후 자외선과 패턴마스크를 사용하는 광식각(photolithography) 방법을 이용하여 세부 패턴을 형성시키는 기술이다, 이 기술은 후막기술로서는 높은 해상도인 선폭 $30{\mu}m$ 이하의 미세도선을 구현할 수 있어, 후막기술을 이용한 고주파 모듈의 제조에 있어서 새로운 대안으로 주목받고 있다. 본 연구에서는 알루미나 기판 상에 수십 ${\mu}m$ 이하의 마이크로 비아를 가지는 유전체 층을 형성시킬 수 있는 저온소결용 감광성 유전체 페이스트를 개발하였다. 저온소결용 유전체 파우더와 폴리머, 모노머, 광개시제 등의 양을 조절하여 마이크로 비아를 형성할 수 있는 최적 페이스트 조성을 연구하였으며, 노광량 및 현상시간과 같은 공정변수가 마이크로 비아의 해상도에 미치는 영향을 평가하였다. 알루미나 기판에 전면 프린팅 한 후 건조, 노광, 현상, 소성 과정을 거쳐 소결전 $37{\mu}m$, 소결후 $49{\mu}m$의 해상도를 가지는 마이크로 비아를 형성할 수 있었다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2006년도 제37회 하계학술대회 논문집 C
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• pp.1364-1365
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• 2006

본 논문에서는 두께 0.25 mm의 알루미늄 포일 (foil)을 이용해 나노기공 알루미나 주형을 만들었다. 우선 알루미늄 포일 표면의 유기물을 제거한 후, 전해연마 방법을 이용하여 표면을 매끄럽게 하였다. 또, 양극산화를 통해 알루미늄 표면에 나노기공을 형성하였다. 나노기공 알루미나($Al_{2}O_{3}$) 주형 위에 Polymethyl methacrylate (PMMA)를 얇게 도포하여 나노기공 사이로 침투시킨 후 주형을 제거하여 나노기둥인 PMMA를 얻었다. 이것을 나노임프린트 리소그라피 기법을 이용하여 태양전지의 N-type 물질로 맏이 사용되는 티타니아 ($TiO_2$)의 면적을 넓게 할 수 있다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2005년도 제36회 하계학술대회 논문집 C
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• pp.1898-1899
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• 2005

반도체 집적회로 공정에서 사용되는 폴리이미드 포토레지스트(P12723, Dupont)를 감습막으로 사용하는 마이크로 습도센서 소자를 제작하였다. 마이크로 습도센서는 실리콘 웨이퍼 기판 위에 $SiO_2$ 박막을 건식열산화 공정으로 제작하고, Al 박막을 포토리소그라피 공정으로 패터닝 한 IDT (Interdigital Transducer)를 전극 위에 폴리이미드 포토레지스트를 공정변수를 다양하게 조절하면서 감습막으로 제작하였다. 폴리이미드 감습막은 스핀코팅법으로 제작하였으며, 회전수를 조절하여 두께를 변화시켰다. 완성된 마이크로 습도센서 소자의 상대습도 변화$(10{\sim}90% RH)$에 따른 정전용량 값 변화를 항온항습조 내에서 다양한 온도에서 HP4192A Impedance Analyzer를 사용하여 조사함으로써, 폴리이미드 포토레지스트를 사용하는 마이크로 정전용량형 습도센서의 제작 가능성을 검토하였다. 폴리이미드 정전용량형 마이크로 습도센서는 다양한 인가 전원 주파수에서 기준 센서로 사용된 상용 Vaisala Hygrometer와 유사한 감습특성 및 응답특성을 보였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1992년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.30-33
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• 1992

This thesis was investigated on ion-induced characteristics in a-$Se_{75}Ge_{25}$ positive and negative resists for focused-ion-beam microlithogaphy. The exposed a-$Se_{75}Ge_{25}$ inorganic thin film shows an increase in optical absorption after exposure to~$10_{16}$ dose of Ga+. The observed shift in the absorption edge toward longer wavelengths is consistent with that in films exposed to band-gap photons(~$10^{21}$photons/cm2). This result may be related with microstructural rearrangements with in the short range of SeGe network. Due to changes in the short range order, the chemical bonding may be affected, which results in increased chemical dissolution in ion-induced film. Also, this resist exhibits good thermal stability because of its high Tg(~$220^{\circ}C$). When focused ion beams are used for direct exposure of resist over a substrate, unwanted implantation of the substrate may be an issue. A possible way to avoid this is to match the thickness of the resist to the range of ions in the resist. Thin aspect is currently under investigation.