• ETRI Journal
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• v.11 no.1
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• pp.123-135
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• 1989

본 논문에서는 $0.5\mum$의 최소선폭을 가지는 초고집적 소자제조에 필요한 레지스트 재료의 특성 및 레지스트 공정을 살펴보았다. 일반적인 레지스트 특성변수들 중에서 소자의 고집적화에 따라 중요한 미세형상 정의 및 건식식각에 의한 패턴전사에 관련된 변수들을 깊이 살펴보았다. 미세형상 정의에 필요한 레지스트 특성의 한계는 회절에 의한 분해능 한계 이론을 적용하였고, 패턴전사에 필요한 한계는 반응성 이온식각 과정을 고려하여 유추하였다. 마지막으로 굴곡이 있는 기판 상에서의 초미세 형상 정의를 위한 여러가지 레지스트 공정을 간단하게 비교 검토하였다.

• Proceedings of the Korean Society Of Semiconductor Equipment Technology
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• 2007.06a
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• pp.81-85
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• 2007

반도체 공정에서 식각 공정을 위한 패턴 형성 시, 현상을 위해 포토레지스트를 도포한다. 이 포토레지스트는 일정한 두께로 도포 되어야 하기 때문에 고도의 정밀성이 요구되는 공정이며, 공정 불량이 빈번하게 발생한다. 이러한 공정 불량 발생 시 현재 양산에서는 매엽식 장비로 애싱 전 처리 한 후, 약액 처리를 위해 낱장의 웨이퍼를 일정량 모아서 배치식 장비로 처리한다. 이렇게 되면 공정 불량 발생시, 약액의 소모를 줄이기 위해서는 일정량 모아질 때까지 대기하여 처리하여 시간 소모가 커지며, 시간 소모를 줄이기 위해서는 낱장으로 처리하여야 하기 때문에 약액 손실이 커져 비경제적일 수 밖에 없다. 따라서 본 연구에서는 이러한 문제점을 해결하기 위해, 매엽식 장비로 무기 용제를 이용하여 효율적으로 포토레지스트를 제거하는 방법에 대해서 평가를 실시하였다. 평가 결과 krF 포토 레지스트 웨이퍼에 대해서 완전 박리하는 결과를 얻었으며, 160nm 기준 파티클 50개 미만의 결과를 얻었다.

• Applied Chemistry for Engineering
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• v.17 no.2
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• pp.158-162
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• 2006

Poly[4-hydroxystyrene-co-2-(4-methoxybutyl)-2-adamantyl methacrylate] was synthesized and evaluated as a matrix resin for extreme UV (EUV) chemically amplified resist. The resist system formulated with this polymer resolved 120 nm line and space (pitch 240 nm) positive patterns using a KrF excimer laser scanner (0.60 NA). The well defined 50 nm line positive patterns (pitch 180 nm) were obtained using an EUV lithography tool. The dry etching resistance of this resist for a $CF_{4}$-based plasma was 1.1 times better than that of poly(4-hydroxystyrene).

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2010.05a
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• pp.795-797
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• 2010

습식 식각은 식각용액으로서 화학용액을 사용하는 공정으로 반응물이 기판표면에서 화학반응을 일으켜 표면을 식각하는 과정이며, 표면결합의 제거를 위한 식각연마와 폴리싱을 위한 식각, 그리고 구조적 형상 패턴등이 있다. 여기서 화학용액은 산화제 또는 환원제 역할을 하는 혼합용액으로 구성된다. 습식 식각 시 수${\mu}m$의 해상도를 얻기 위해서는 그 부식액의 조성이나, 에칭시간, 부식액의 온도 등을 고려하여야 한다. 또한 습식 식각 후 포토 레지스트를 제거하는 과정에서 포토 레지스트를 깨끗이 제거해야 하며, 제거공정 자체가 a-Si:H 박막을 부식 하지 않을 조건으로 행하여야 한다. 포토레지스트 제거 후 잔류 포토 레지스트를 제거하기 위해서 본 실험에서는 RCA-I 세척 기법을 사용한 후 D.I 로 린스 하였다. 본 실험에서 사용한 금속은 Cr, Al, ITO 로 모두 DC sputter 방법을 사용해서 증착하여 사용하였다. Cr박막은 $1300\AA$ 정도의 두께를 사용하였고, ITO (Indium Tin Oxide) 박막은 가시광 영역에서 투명하고 (80% 이상의 transmittance), 저저항 (Sheet Resistance : $50{\Omega}/sq$ 이하) 인 박막을 사용하였으며, 신호선으로 주로 사용되는 Al등의 증착조건에 따른 wet etching 특성을 조사하였다.

• Journal of Biomedical Engineering Research
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• v.23 no.1
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• pp.39-47
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• 2002

The objective of this study is to provide a Precise form of spatial normalization with affine transformation. The quantitative comparison of the brain architecture across different subjects requires a common coordinate system. For the common coordinate system, not only global brain but also a local region of interest should be spatially normalized. Registration using mutual information generally matches the whose brain well. However. a region of interest may not be normalized compared to the feature-based methods with the landmarks. The hybrid method of this Paper utilizes feature information of the local region as well as intensity similarity. Central gray nuclei of a brain including copus callosum, which is used for feature in Schizophrenia detection, is appropriately normalized by the hybrid method. In the results section. our method is compared with mutual information only method and Talairach mapping with schizophrenia Patients. and is shown how it accurately normalizes feature .

• Polymer(Korea)
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• v.31 no.5
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• pp.374-378
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• 2007

Water-soluble terpolymer of acrylamide, diacetone acrylamide, and acrylic acid was prepared by redox initiators in aqueous medium. One component photoresist was synthesized by reaction of terpolymer with 4-azidoaniline. By blending the aqueous acrylamide/diacetone acrylamide copolymer solution with bisazide, 4,4'-diazidostilbene -2,2'-disulfuric acid sodium salt, two component photoresist was prepared. The photosensitivity per azido group unit mole of one component photoresist was 4 times higher than that of two component photoresist. The dot-type pattern was successfully achieved with one component photoresist at low exposure energy, which is prospective to be used as black matrix negative photoresist.

• Proceedings of the Korean Society of Precision Engineering Conference
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• 2004.05a
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• pp.126-126
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• 2004

1996년 Chou 등이 개발한 가열방식의 나노임프린트 리소그래피(nanoimprint lithography, NIL)은 선폭 100nm 이하의 나노구조물을 경제적으로 제작할 수 있는 대표적인 나노패턴닝(nano-patterning) 공정으로 많은 기대가 모아지고 있으나, 열변형에 의해 다층정렬이 어렵다는 점과, 점도가 큰 레지스트(resist)를 임프린트하기 위해서는 고압(∼30 bar)이 필요하다 점 등의 문제점이 있다. 이를 해결할 수 있는 방법으로 UV 나노임프린트 리소그래피(ultraviolet nanoimprint lithography, UV-NIL)를 들 수 있다.(중략)

• Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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• v.22 no.1
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• pp.75-81
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• 2015

In this paper, numerical analysis by finite element method and parameter design by the Taguchi method were used to reduce warpage of a two passive components embedded double side substrate for PoP(Package on Package). The effect of thickness of circuit layers (L1, L2) and thickness of solder resist (SR_top, SR_BTM) were analyzed with 4 variations and 3 levels(minimum, average and maximum thickness) to find optimized thickness conditions. Also, paste effect of solder resist on unit area of top surface was analyzed. Finally, experiments was carried out to prove numerical analysis and the Taguchi method. Based on the numerical and experimental results, it was known that circuit layer in ball side of substrate was the most severe determining deviation for reducing warpage. Buried circuit layer in chip side, solder resist and were insignificant effects on warpage relatively. However, warpage decreased as circuit layer in ball side thickness increased but effect of solder resist and circuit layer in chip side thickness were conversely.

• Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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• v.10 no.3
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• pp.73-82
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• 2003

Recently, PWB(Printed Wiring Board) has been recognized in the field of microelectronic package as core technology for designing or manufacturing. PWB is the structure stacked by several materials with different thermophysical properties, which shows the different CTEs(Coefficient or Thermal Expansions) during the fabrication process and causes a lot of defects such as warpage, shrinkage, dimension, etc. Thermal deformation of PWB is affected mainly by the volume change of solder-resist among fabrication parameters. Therefore, thermal deformation of PBGA and CSP consisting of 2 layers and 4 layers was studied with solder-resist process. When over 30% in volume fraction of solder-resist, thermal deformation of 2-layered PWB was min. 40% higher than that of 4-layered PWB because 4-layered PWB contained the layer with high toughness such as prepreg, which counterbalanced the thermal deformation of solder-resist. Otherwise, when below 30%, PWB showed similar thermal deformation without regard to layers and design.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.13 no.1
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• pp.39-45
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• 2004

Ultraviolet-nanoimprint lithography (UV-NIL) is a promising method for cost-effectively defining nanoscale structures at room temperature and low pressure. A 5${\times}$5${\times}$0.09 in. quartz stamp is fabricated using the etch process in which a Cr film was employed as a hard mask for transferring nanostructures onto the quartz plate. FAS(Fluoroalkanesilane) is used as a material for anti-adhesion surface treatment on the stamp and a thin organic film to improve adhesion on a wafer is formed by spin-coating. The low viscosity resin droplets with a nanometer scale volume are dispensed on the whole area of the coated wafer. The UV-NIL experiments have been performed using the EVG620-NIL. 370 nm - 1 m features on the stamp have been transferred to the thin resin layer on the wafer using the multi-dispensing method and UV-NIL process. We have measured the imprinted patterns and residual layer using SEM and AFM to evaluate the potential of the process.