• Journal of Oral Medicine and Pain
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• 제12권1호
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• pp.5-16
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• 1987

레이저의 의학적 이용은 고출력 레이저의 외과적 이용과 더불어 많은 진전을 하게 되었다. 근래에는 인체에 손상을 주는 고출력 레이저 외에도 조직의 파괴없이 인체조직에 유용한 효과를 줄 수 있는 저출력 레이저에 대한 연구가 적극적으로 시도되고 있다. 본 연구는 치은염을 가진 13명의 대상에 대해 Split-mouth design으로 대조군 및 실험군을 설정하여 실험군의 치은에 저출력 레이저(Biotherapy dental Laser 3DL)를 격일로 4회 조사한 후 plaque index, pocket depth, sulcus bleeding index, supragingival과 subgingival plaque의 bacterial morphotype의 비율 및 광학현미경을 통한 조직학적 염증 침윤상을 측정 평가하여 다음과 같은 결과를 얻었다. 1) 레이저 조사후 SBI(p<0.01)는 감소하였으나 PI는 별다른 변화가 없었다. 2) 레이저 조사에 따라 spirochetes(p<0.01)를 포함하여 motiles(p<0.05, p<0.01)은 감소된 반면 nommotiles(p<0.05, p<0.01) 증가하였다. 3) 레이저 조사 치은에서는 염증세포 침윤이 Dental(p<0.05) 및 oral(p<0.01) 양측 모두 감소되었다.

• Restorative Dentistry and Endodontics
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• 제27권6호
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• pp.555-560
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• 2002

치근부 민감성 (hypersensitivity)은 부분적으로 치근면에서의 개방된 상아세관이 존재하는 것에 기인한다고 생각되며 이러한 치근부의 개방된 상아세관은 치경부 병소 (cervical lesion)에 주로 존재하는데 이는 칫솔질에 의한 마모(toothbrush abrasion), 화학적 침식 (chemical erosion), 또는 abfraction 등의 결과로 나타난다고 한다. 이미 Nd-YAG 레이저를 이용한 실험에서 레이저를 조사한 상아질 표면의 상아 세관 구경이 감소되고 상아세관의 폐쇄가 많이 증가되는 양상을 관찰한 바 있다. 이 실험의 목적은 고출력레이저인 Nd-YAC 레이저를 이용한 상아질 표면처치의 임상사용가능성을 좀 더 상세히 평가하기 위해 상아질에 레이저를 처리한 후 기계적으로 마모시킨 경우 상아질 표면의 변화를 관찰하는 것이다. 50개의 발치된 치아의 상아질을 노출시켜 표면을 연마한 후 대조군에서는 37% 인산으로 산부식하여 상아 세관을 노출시킨 후 레이저를 조사하였고, 실험군에서는 대조군과 같은 조건으로 산과 레이저로 처리된 상아질 표면을 15, 45, 90 그리고 180분 동안 전동 칫솔로 기계적으로 마모시켜 그 표면을 주사전자현미경으로 관찰한 결과, 대조군, 칫솔질을 15, 45분간 시행한 실험군에서는 상아 세관 입구가 10% 이내에서 노출되었고 50 그리고 180분간 칫솔질을 시행한 실험군에서는 45 그리고 48%의 상아세관 입구의 노출이 관찰되었다. 그러므로 Nd-YAC레이저의 조사는 상아질 표면에서 축적 시간이 45분 이상에서 90분 이하인 기계적 마모에 의한 상아 세관 입구의 노출을 억제할 수 있을 것이라 사료된다.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제3권3호
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• pp.187-194
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• 1990

광자기 메모리용 재료인 비정질 TbFe 박막을 대상으로 열자기 기록시 박막에 분포하는 온도와 이때 만들어지는 bit의 크기간에 상호관련성을 조사하였다. 레이저 조사에 의해 가열된 박막의 온도분포는 유한요소법을 이용한 열전달 해석에 의해 계산하였다. 레이저 가열종료 직전 박막 면에 분포하는 온도 contour로 부터 bit 크기를 예측하였다. 여기서 bit 크기는 온도 상승에 따라 보자력이 약화되어 외부자계와 박막반자장의 합력이 역자구를 만들어 준다고 가정하여 이 경계가 되는 온도(Tcrit)로 이루어지는 등온선의 크기로부터 정하였다. 열자기 기록 실험으로부터 기록 bit의 크기(Dmeas.)을 측정하여 레이저조사조건별로 예측한 bit크기(Dpred.)와 비교하였다. 특히, 레이저 pulse시간 변화에 따른 여러온도의 등온선 contour 직경변화를 조사하여 실측한 bit크기와 비교 검토함으로써 bit형성에 미치는 온도분포의 영향을 조사하였다. 이 결과 레이저 pulse시간이 길어지거나 레이저 power가 상대적으로 작을때 실측한 bit크기가 예측된 bit크기보다 커지는 것으로 나타났으며 이는 Tcrit 온도구배가 완만해질수록 bit경계가 되는 온도가 낮아지는 것으로 해석된다.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제4권2호
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• pp.41-46
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• 1997

지향성이 좋고 에너지밀도가 높고 집광성이 뛰어난 Nd:YAG레이저를 이용해서 원거 리 레이저 조사를 통한 서미스터의 PTCR 특성을 관찰하여 원격 제어를 시도를하였다. 1064nm의 Nd:YAG레이저 광선을 BaTiO3 서미터 표면에 1m 거리에서 5mm2 빔 사이즈로 50~200mJ/pulse, 10Hz의 조건에서 조사하였을 때 서미스터의 전기저항변화는 약 103 정도 로 레이저 조사에 의하여 원격으로 PTCR 특성을 제어 할수 있었다.

• 한국광학회지
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• 제3권1호
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• pp.50-54
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• 1992

마스크를 사용하지 않고 레이저 $(CW Ar^+$ laser, $\lambda=514.5nm)$ 광속을 이용하여 불산 용액이 첨가된 황산구리 전해질 용액내의 실리콘(Si, 100) 단결정 표면에 구리를 침착시켰으며, 이들 사이에서 일어나는 화학 반응식을 도금에서와 같이 양극 반응과 음극 반응으로 구분 하여 제안하였다. 또한 침착 되는 구리점의 직경을 전해질 용액에 첨가되는 불산용액의 양, 레이저 광속의 조사 시간과 관속의 세기에 따라 측정 분석하였다. p형 실리콘 단결정의 경우, 연속형 $Ar^+$ 레이저를 조사하였을때 구리 침착이 일어나고 펄스형 레이저 광속(Nd:YAG 레이저에 KDP결정을 사용하여 얻은 2차 고조파, $\lambda=530nm, $\tau=25nsce$)을 조사하였을 경우에는 침착이 일어나지 않았다. 그와는 반대로 n형 실리콘 단결정의 경우, 연속형 $Ar^+$ 레이저를 조사하였을 때는 구리 침착이 일어나지 않았으나, 펄스형 레이저 광속을 조사시켰을 경우에는 구리 침착이 일어남을 관찰하였다.

• 대한기계학회논문집A
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• 제39권1호
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• pp.105-109
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• 2015

고출력 레이저에 의한 영상 센서의 손상 분석 연구를 수행하였다. 고출력 레이저에 의한 금속의 손상에 관한 연구는 많이 이루어져 있지만, 상대적으로 고출력 레이저에 취약한 영상 시스템의 손상 연구는 미비한 상태이다. 본 논문에서는 CMOS 영상 센서에 고출력 레이저가 조사 되었을 때, 영상 센서가 받는 손상에 대해 실험적으로 분석하였다. 고출력 레이저 소스로는 근적외선대역의 연속발진 광섬유 레이저를 사용하였으며, 레이저 세기와 조사시간에 따른 CMOS 영상 센서의 영구적 손상 및 영상 품질을 분석하였다. 그 결과 조사시간과 레이저세기가 증가함에 따라 먼저 색상 손상이 나타나고 이후 작동불능 상태가 되었으며, 이러한 손상은 조사시간보다 레이저 세기에 더 큰 영향을 받는 것으로 나타났다.

• Journal of Oral Medicine and Pain
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• 제24권3호
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• pp.269-280
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• 1999

구강안면동통환자의 발통점에 대한 보존적 치료방법중 저출력레이저의 효과를 평가하기 위해 교근, 측두근과 승모근에 발통점을 가진 치과대학생 69명을 무작위로 분류하여 37명에게는 GaAlAs 반도체 레이저를 조사하였고 나머지 32명은 레이저를 실제로 조사하지 않고 대조군으로 삼았다. 50mW, 820nm의 GaAlAs 반도체 레이저를 이용하여, 4주 동안 첫 주는 2회, 이후 3주 동안 1회씩 총 5회 조사하였고 전자통각계를 이용하여 압력통각역치를 측정한 후 이를 대조군과 비교한 바 다음과 같은 결과를 얻었다. 1. 남녀 및 조사군과 비조사군의 치료 전 압력통각역치는 차이가 없었다. 2. 조사군의 각 근육에서 측정한 압력통각역치는 레이저 치료 2주 후부터 유의하게 높아졌으나 비조사군에서는 차이가 없었다, 3. 비조사군의 치료 전, 후 압력통각역치에는 성 차가 없었다. 반면 종사군의 압력통각역치는 치료 전에는 성 차가 없었으나 치료 후에는 남성이 여성보다 유의하게 높았다.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2009년도 춘계학술발표대회
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• pp.41.1-41.1
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• 2009

최근 금형은 자동차뿐만 아니라 여러 산업에서 필수적이며 제품의 품질은 물론 제조원가에 막대한 영향을 미친다. 이러한 금형은 침탄, 질화, 고주파담금질등에 의해 표면처리 되어져 왔으나, 이와 같이 기존의 처리 방법은 모두 처리물 전체를 가열하거나 균일한 가열을 하지 못하기 때문에 변형의 문제와 처리후의 후가공의 경비 문제, 그리고 극히 일부분만 경화가 필요한 부품에는 적용하기 어려운 문제점이 있다. 이러한 문제를 해결할 수 있는 표면처리로서 레이저 표면처리 방법이 대두되고 있으며, 레이저 표면처리는 레이저 빔을 피처리물의 표면에 조사하고 적당한 속도로 이동을 하게 되면 레이저조사부위가 급속하게 가열되고 레이저빔이 통과한 후에는 표면의 열이 내부로 열전도 되어 급속히 자기냉각(Self-quenching)됨으로서 표면에 새로운 기계적 성질을 갖게 하는 표면처리법이다. 이와 같이 레이저를 이용한 표면처리로 기존의 CW Nd:YAG 레이저 열원보다 효율이 좋은 HPDL(High Power Diode Laser)를 이용한 고효율, 고기능 금형 표면처리 후 재료적 물성을 평가하고자 한다. 평가방법은 레이저빔의 조사속도 및 온도변화에 따른 표면처리부, 열영향부 그리고 모재 부분에 대한 경도특성 및 미세조직 변화를 관찰하였다. 또한 조사속도 및 온도변화에 대해 경화깊이를 관찰하였다.

• 대한소아치과학회지
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• 제30권3호
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• pp.439-447
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• 2003

레이저의 구강내 산 생성 세균인 S. mutans에 대한 증식 및 기능 억제효과를 평가하기 위하여 S. mutans KCTC 3065가 포함된 세균 pellet에 Er:YAG 레이저와 Nd:YAG 레이저를 비접촉식 방법으로, 조사세기 50mJ, 조사시간 5초, 그리고 pulse repetition rate를 각각 10Hz와 30Hz로 하여 조사하고 세균 군락수, 산 생성능, 불용성 세포외다당류의 합성량을 측정하여 다음과 같은 결과를 얻었다. 1. Chinese ink로 photosensitization을 시행한 후 Nd:YAG 레이저를 조사한 경우가 S. mutans의 증식을 가장 많이 억제하였으며 Er:YAG 레이저 조사도 증식을 억제하였다. 그러나 Chinese ink를 사용하지 않고 Nd:YAG 레이저를 단독으로 조사한 경우는 S. mutans의 증식을 억제하지 못하였다. 레이저 조사조건 중 pulse repetition rate는 전반적으로 세균 증식 억제에 영향을 미치지 못하였다. 2. Chinese ink로 photosensitization을 시행한 후 Nd:YAG 레이저를 조사한 경우가 일정기간 동안 S. mutans의 산생성능을 가장 많이 억제하였으며 Er:YAG 레이저 조사도 산 생성능을 억제하였다. Chinese ink를 사용하지 않고 Nd:YAG 레이저를 단독으로 조사한 경우는 S. mutans의 산생성능을 억제하지 못하였다 Er:YAG 레이저와 Chinese ink로 photosensitization을 시행한 후 Nd:YAG 레이저를 조사한 경우는 pulse repetition rate가 클수록 전반적으로 세균의 산생성능을 더 많이 억제하였다. 3. 레이저 조사는 S. mutans의 불용성 세포외다당류의 합성에 영향을 미치지 못하였다. 이상의 결과로 보아 Er:YAG 레이저와 Chinese ink로 photosensitization을 시행한 후의 Nd:YAG 레이저 조사는 일정시간 동안 S. mutans의 증식과 산 생성능을 억제시키므로써 치아우식증 예방효과를 얻을 수 있다고 사료되나 억제효과가 오래가지 않아 임상적으로 효과를 얻기 위해서는 자주 조사를 해주어야 한다는 문제점을 안고 있어 임상적으로 치아우식증 예방이란 단독 목적으로 사용하기에는 실용성이 크지 않다고 사료된다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2007년도 제38회 하계학술대회
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• pp.1379-1380
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• 2007

본 연구에서는 XeCl 엑시머 레이저를 통해서 GaN를 선별적으로 고농도 도핑 할 수 있는 새로운 방법을 제안했으며, 제안된 방법에 의해 제작된 소자는 낮은 ohmic contact 저항을 나타내었다. 증착된 실리콘 film에 XeCl 엑시머 레이저를 사용하여 GaN 위에 sputtering 함으로써 조사하였으며 레이저에 의해 조사된 영역에는 ohmic contact을 형성하였다. 기존 방법에 의한 ohmic contact 저항이 0.66 ohm-mm이었던 반면, 레이저 도핑 공정에 의한 ohmic contact 저항은 0.27 ohm-mm로 효과적으로 감소되었다. SIMS 분석을 통해 레이저 조사를 하는 동안 높은 에너지에 의해 실리콘이 GaN로 확산되었으며, ohmic contact 저항이 ohmic contact 영역 아래의 도핑 농도 증가로 인해 감소한 것을 확인했다.