• Proceedings of the KWS Conference
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• 2009.11a
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• pp.116-116
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• 2009

마그네슘 합금은 구조용으로 사용 가능한 금속 재료 중 가장 가벼운 소재이며, 동시에 비강도 및 비강성과 같은 기계적 특성이 우수하여 알루미늄 합금의 뒤를 이을 차세대 경량 재료로써 주목을 받고 있다. 더욱이 석유자원의 대부분을 소비하고 있는 운송기기 분야에서는 경량화를 통한 연비향상과 배출가스 저감이 가장 큰 과제이며, 이 문제를 해결하기 위한 노력의 일환으로 최경량 소재인 마그네슘 합금의 사용량은 더욱 증가할 것으로 기대된다. 한편 기존의 마그네슘 합금 관련 연구는 새로운 합금의 개발에 치우쳐 있었으며, 상대적으로 이들 합금을 활용하기 위한 가공기술, 특히 용접에 대한 연구는 아직까지 많이 부족한 실정이다. 이는 철강재와 비교하여 마그네슘 합금의 고유물성이 용접의 관점에서는 상당히 열악하기 때문으로, 마그네슘은 융점 및 비점은 낮은 반면, 증기압과 열전도율은 높고 표면장력 및 점성은 낮은 특성을 가지고 있다. 그러므로 타 공법에 비해 상대적으로 입열이 적고 고속용접이 가능한 레이저의 적용이 최적으로 판단된다. 따라서 본 연구에서는 Nd:YAG 레이저를 사용하여 압연판재로 상용화되어 있는 AZ31B 마그네슘 합금의 맞대기 용접성을 조사하였으며, 용접부의 미세조직과 용접조건에 따른 용접부의 기계적 특성을 비교 및 검토하였다. 용접부의 기계적 특성은 인장 및 경도시험을 통해 평가하였다. 그 결과 레이저 출력 1.2kW를 적용한 경우에 안정적인 강도를 얻을 수 있었으며 레이저 출력 1.5kW, 용접속도 80mm/sec의 조건에서 모재 인장강도 대비 103% 그리고 연신율 대비 47.1%의 최적의 결과가 얻어졌다. 또한 용접부의 경도는 모재와 동등하거나 다소 높은 수준이었다. 이는 용접시 용접부내 잔류하는 알루미늄에 의한 고용 강화 효과와 금속간화합물의 석출 빈도 증가, 그리고 레이저 용접의 특징인 급열급랭 공정에 기인한 결정립 미세화의 영향 때문으로 사료된다. 한편 용접부 미세조직을 관찰한 결과, 열영향부의 존재는 두드러지지 않았으며 용융경계부에서는 주상정이, 그리고 용접부 가운데에서는 등축정이 관찰되었다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2014.02a
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• pp.287.1-287.1
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• 2014

본 연구에서는 현재 디스플레이에서 가장 널리 이용되는 저온 polycrystalline silicon (poly-Si)의 결정화 방법에 따른 thin-film transistor (TFT)의 전기적 특성을 분석하였다. 분석에 이용된 결정화 방식은 Excimer Laser Annealing (ELA)와 Metal Induced Crystallization (MIC)이다. ELA와 MIC TFTs의 전기적 특성 측정을 통한 분석결과 ELA와 MIC poly-Si TFTs의 전기적 특성 [field-effect mobility (${\mu}_{FE}$), on/off current ratio ($I_{ON}/I_{OFF}$), sub-threshold swing (SS)]은 큰 차이는 없지만, ELA를 이용한 poly-Si TFT의 전기적 특성이 조금 우수하다. 하지만, MIC poly-Si TFT의 경우 threshold voltage ($V_{TH}$)가 0V에 보다 가까울 뿐만 아니라, 전기적 스트레스를 통한 신뢰성 확인 시 ELA poly-Si TFT보다 조금 더 안정적이다. 이는 ELA의 경우 좁은 면에 선형 레이저 빔으로 조사하면서 생기는 hill-lock의 영향으로 표면이 거칠고 균일하지 못하여 바이어스 인가시 생기는 문제이다. 또한 MIC는 금속 촉매를 이용해 결정립 경계를 확장하고 결정 크기를 키워 대면적화에 유리하다. Thermal Stress에서는 (from 293K to 373K) TFT에 점차 높은 온도를 가하자 MIC poly-Si TFT의 경우 off 상태에서 누설 전류 값이 증가하며 열에 민감한 반응을 보이는 것을 확인하였다.

• The Journal of Korean Academy of Prosthodontics
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• v.59 no.2
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• pp.248-260
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• 2021

Cobalt-chromium alloys are used to fabricate various dental prostheses, and have advantages of low cost and excellent mechanical properties compared to other alloys. Recently, selective laser melting, which is an additive manufacturing method, has been used to overcome the disadvantages of the conventional fabrication method. A local rapid heating and cooling process of selective laser melting induces fine microstructures, grain refinement, and reduction of porosities of the alloys. Therefore, it can improve mechanical properties compared to the alloys fabricated by the conventional method. On the other hand, layering process and rapid heating and cooling cause accumulation of a large amount of residual stresses that can adversely affect the mechanical properties. A heat treatment for removing residual stresses through recovery and recrystallization process caused complicated changes in mechanical properties induced by phase transformation, precipitate and homogenization of the microstructures. The purpose of this review was to compare the manufacturing methods of Co-Cr alloys and to investigate the characteristics of Co-Cr alloys fabricated by selective laser melting.

• Korean Journal of Optics and Photonics
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• v.19 no.1
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• pp.54-59
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• 2008

We report on the measurements of absorption spectra from acetylene ($^{12}C_2H_2$) and hydrogen cyanide ($H^{13}C^{14}N$) for wavelength reference in the C-band (conventional band) region using a supercontinuum optical source generated from a mode-locked $Cr^{4+}$:YAG laser. The center wavelength of the mode-locked $Cr^{4+}$:YAG laser was 1510 nm and the pulse duration was 75 fs at 100 MHz repetition rate. The supercontinuum source achieved a flatness of ${\pm}5dB$ over a wavelength range of more than 400 nm, using a 20 m long photonic crystal fiber. The measured absorption spectra from acetylene ($^{12}C_2H_2$) and hydrogen cyanide ($H^{13}C^{14}N$) had more than 50 lines and were analyzed for wavelength standardization.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2007.06a
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• pp.166-166
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• 2007

PRAM (phase-change random access memory)은 전류 펄스 인가에 따른 기록매질의 비정질-결정질 간 상변화와 그에 동반되는 저항변화를 이용하는 차세대 비휘발성 메모리 소자로서 연구되어지고 있다. 본 논문에서는 $(Ge_2Sb_2Te_5)_{1-x}Se_x$ (x=0,0.05,0.1,0.15) 조성에 대한 벌크 및 박막시료를 제작하고 각 조성에 대한 상변화 특성을 분석하였다. XRD를 통해 열처리 온도에 따른 구조적 분석을 실시하였고 UV-Vis-IR spectrophotometer를 사용하여 박막의 광학적 특성을 분석하였다. 또한 각 조성의 결정화 속도를 비교하기 위해 static tester를 사용하여 레이저 펄스 시간에 대한 반사도 변화를 측정하였고 DSC를 통해 결정화 온도를 측정하였다.

• Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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• v.6 no.1
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• pp.58-63
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• 2005

PTFE (polytetrafluoroethylene) thin films were prepared from the pellets of the graphite doped PTFE via pulsed laser ablation with 1064 nm Nd:YAG laser. The graphite powder converts the absorbed photon energy into thermal energy which is transmitted to nearby PTFE. The PTFE is decomposed by thermal process. The deposited films were transparent and crystalline. SEM (scanning electron microscopy) and AFM (atomic force microscopy) analyses indicated that the film surface morphology changed to fibrous structure with increasing thickness. The fluorine to carbon ratios of the film were 1.7 and molecular axis was parallel with (100) Si-wafer substrate. These results obtained by XPS (X-ray photoelectron spectroscopy), FTIR (fourier transform infrared spectroscopy) and XRD (X-ray diffraction).

• Journal of the Korean Society for Nondestructive Testing
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• v.19 no.1
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• pp.16-24
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• 1999

Residual stress is one of the causes which make defects in engineering components and materials. And interest in the measurement of residual stress exists in many industries. There are commonly used methods by which residual stresses are currently measured. But these methods have a little demerits. time consumption and other problems. Therefore we devised a new experimental technique to measure residual stress in materials with a combination of laser speckle pattern interferometry, finite element method and spot heating. The speckle pattern interferometer measures in-plane deformations while the heating provides for very localized stress relief. FEM is used for determining heat temperature and other parameters. The residual stresses are determined by the amount of strain that is measured subsequent to the heating and cool-down of the region being interrogated. A simple model is presented to provide a description of the method. In this paper, the ambiguity problem for the fringe patterns has solved by a phase shifting method.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.02a
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• pp.144-144
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• 2010

다결정 실리콘 박막트랜지스터 (poly-Si TFTs)는 벌크실리콘을 이용한 MOSFET소자에 비해 실리콘 박막의 형성이 간단하므로 대면적의 공정이 가능하며 다양한 기판위에 적용이 가능하여 LCD, OLED 등의 디스플레이 기기에 많이 이용되고 있다. 또한 poly-Si TFT는 3차원으로 적층된 소자의 제작이 가능하여 고집적의 한계를 극복할 소자로 주목받고 있다. 최근, DRAM은 캐패시터의 축소화와 구조적 공정이 한계점에 도달했으며 이를 극복하기 위하여 SOI 기판을 사용한 하나의 트랜지스터로 DRAM의 동작을 수행하는 1T-DRAM의 연구가 활발히 진행 중이다. 이러한 1T-DRAM 소자를 대면적과 다층구조의 공정이 가능한 poly-Si TFT를 이용하여 구현하면 초고집적의 메모리 소자를 제작 가능할 것이다. 따라서, 본 연구에서는 다결정 실리콘 박막트랜지스터 (poly-Si TFTs)를 이용한 1T-DRAM의 동작 특성을 연구하였다. 소자의 제작 방법으로는 200 nm의 열산화막이 성장된 p-type 실리콘 기판위에 상부실리콘으로 사용될 비정질 실리콘 박막을 LPCVD 방법으로 증착하였다. 다음으로 248 nm의 파장을 가지는 KrF 레이저를 이용한 eximer laser annealing (ELA) 공정을 통하여 결정화된 상부실리콘층에 TFT 소자를 제작하여 전기적 특성을 평가하였다.

• 전자공학회논문지 IE
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• v.43 no.2
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• pp.11-15
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• 2006

In this paper characteristics of polycrystalline silicon crystallized by excimer laser on plastic substrate under 150$^{\circ}C$ is investigated. Amorphous silicon is deposited by rf-magnetron sputter in atmosphere of Ar and He for preventing depletion effect by dehydrogenation as deposition by PECVD. After annealing by 308 nm, 30 Hz, double pulse type XeCl excimer laser, p-chnnel low temperature polycrystalline silicon TFT which maximum mobility is $64cm^2/V{\cdot}s$ at $344mJ/cm^2$ is fabricate.

• Proceedings of the Korean Society for Technology of Plasticity Conference
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• 2005.10a
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• pp.171-174
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• 2005

To improve the strength of glass is being studied in order to contribute to weight saving of flat panel displays. Generally, the strength achieved of glass-ceramics is higher as is the fracture toughness by the formation of a heterogeneous Phase inside glass. In this study, Ag-doped $45SiO_2-24CaO-24Na_2O-4P_2O_5$ glasses were irradiated to strengthen by crystallization using femto-second laser pulse. UV/VIS, Spectroscope, XRD, nano-indenter and SEM etc. irradiation of laser pulse without heat-treated samples was analyzed. Samples irradiated by laser had higher value$(4.4\~4.56{\ast}10-3Pa)$ of elastic modulus which related with strength of glass than values heat-treated samples and these are $1.2\~1.5$ times higher values than them of mother glass. This process can be applicable to the strengthening of thinner glass plate, and it has an advantage over traditional heat-treatment and ion-exchange method.