• Title/Summary/Keyword: 레이저광통신

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An Undergraduate Level Polarimeter and Specific Rotation at 543 nm of Sucrose (학부용 편광계와 543 nm에서 설탕의 비회전 측정)

  • Jung, Semin
    • Korean Journal of Optics and Photonics
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    • v.23 no.6
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    • pp.241-245
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    • 2012
  • Measurements of the optical activity become very important issues in fields related to polymers, optical communications, astronomy, physics and many more. Hence it need to introduce this subject in our regular curriculum. In this experiment, an inexpensive, reliable, motorized polarimeter system which is suitable for undergraduate courses is constructed with PASCO's well-known Science Workshop 750 and a rotational motion sensor and light sensor, and the system is presented along with its experimental formulas. After responsivity of this system was checked by a half wave plate, and some repetitive experiments with 30% sucrose solution at 543.8 nm were performed. Comparing the experimental result with two calculated values from CRC data[1] showed that the specific rotation of the sucrose sample could be strongly suggested to be around +76 deg.cc/g.dm and it was an amply acceptable result for most undergraduate level courses.

A Study on the Measurement and Application of Long Gauge fiber Brags Grating Sensors (긴 게이지 길이 광섬유 격자 센서의 측정과 응용)

  • Kim, Ki-Soo
    • Journal of the Korean Society for Nondestructive Testing
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    • v.25 no.5
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    • pp.343-349
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    • 2005
  • In this research, the fiber Bragg grating sensors with long gauge for displacement measurement in the long distance is developed and tested. The sensors show an accuracy and a capability for displacement measurement oin long distance. Monitoring using static logger of system of FBG sensor with strained optical fiber shows the capability of measurement in the harsh environment such as strong wind. Measurement of long distance displacement by optical fiber sensor if use $250{\mu}m$ optical fiber and impose some strong pre-tension shows possibility in monitoring of nuclear containment structure.

Analysis of Electrical and Optical Characteristics of Silicon Based High Sensitivity PIN Photodiode (Silicon기반 고감도 PIN Photodiode의 전기적 및 광학적 특성 분석)

  • Lee, Jun-Myung;Kang, Eun-Young;Park, Keon-Jun;Kim, Yong-Kab;Hoang, Geun-Chang
    • Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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    • v.18 no.6
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    • pp.1407-1412
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    • 2014
  • In order to improve spectrum sensitivity of photodiode for detection of the laser at 850 nm ~ 1000 nm of near-infrared wavelength band, this study has produced silicon-based fast film PIN photodiode and analyzed electrical and optical properties. The manufactured device is packaged in TO-18 type. The electrical properties of the dark currents both Anode 1 and Anode 2 have valued of approximately 0.055 nA for 5 V reverse bias, while the capacitance showed 19.5 pF at frequency range of 1 kHz and about 19.8 pF at the range of 200 kHz for 0 V. In addition, the rising time of output signal was verified to have fast response time of about 30 ns for 10 V. For the optical properties, the best spectrum sensitivity was 0.66 A/W for 880 nm, while it was relatively excellent value of 0.45 A/W for 1,000 nm.

Characterization of InAs Quantum Dots in InGaAsP Quantum Well Grown by MOCVD for 1.55 ${\mu}m$

  • Choe, Jang-Hui;Han, Won-Seok;Song, Jeong-Ho;Lee, Dong-Han
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2011.08a
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    • pp.134-135
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    • 2011
  • 양자점은 전자와 양공을 3차원으로 속박 시키므로 기존의 bulk나 양자우물보다 양자점을 이용한 레이저 다이오드의 경우 낮은 문턱 전류, 높은 미분이득 및 온도 안전성의 장점이 있을 거라 기대되고 있다. 그러나, 양자점은 낮은 areal coverage 때문에 높은 속박효율을 얻지 못하고 있다. 이러한 양자점의 문제점을 해결하기 위해 양자점을 양자우물 안에 성장시켜 운반자들의 포획을 향상시키는 방법들이 연구되고 있다. 양자우물 안에 양자점을 넣으면 양자우물이 운반자들의 포획을 증가 시키고, 열적 방출도 억제하여 온도 안정성이 향상 되는 것으로 알려져 있다. 광통신 대역의 1.3 ${\mu}m$ 경우, GaAs계를 이용하여 InAs 양자점을 strained InGaAs 박막을 우물층으로 한 dot-in-a-well 구조의 연구는 몇몇 보고된 바 있다. 그러나 InP계를 사용하는 1.55 ${\mu}m$ 대역에서 dot-in-a-well구조의 연구는 아직 미미하다. 본 연구에서는 유기 금속 화학 증착법(metal organic chemical vapor deposition)을 이용하여 InP 기판 위에 InAs 양자점을 자발성장법으로 성장하였으며 dot-in-a-well 구조에서 우물층으로 1.35 ${\mu}m$ 파장의 $In_{0.69}Ga_{0.31}As_{0.67}P_{0.33}$ (1.35Q)를, 장벽층으로는 1.1 ${\mu}m$ 파장의 $In_{0.85}Ga_{0.15}As_{0.32}P_{0.68}$(1.1Q)를 사용하였다. 양자우물층과 장벽층은 모두 InP 기판과 격자가 일치하는 조건으로 성장하였다. III족 원료로는 trimethylindium (TMI)와 trimethylgalium (TMGa)을 사용하였으며 V족 원료 가스로는 $PH_3$ 100%, $AsH_3$ 100%를, carrier gas로는 $H_2$를 사용하였다. InP buffer층의 성장 온도는 640$^{\circ}C$이며 양자점 성장 온도는 520$^{\circ}C$이다. 양자점 형성은 원자력간 현미경(Atomic force microscopy)를 이용하여 확인하였으며, 박막의 결정성은 쌍결정 회절분석(Double crystal x-ray deffractometry)를 이용하여 확인하였다. 확인된 성장 조건을 이용하여 양자점 시료를 성장하였으며 광여기분광법(Photoluminescence)을 이용하여 광특성을 분석하였다. Fig. 1은 dot in a barrier 와 dot-in-a-well 시료의 성장구조이다. Fig. 1(a)는 일반적인 dot-in-a-barrier 구조로 InP buffer층을 성장하고 1.1Q를 100 nm 성장한 후 양자점을 성장하였다. 그 후 1.1Q 100 nm와 InP 100 nm로 capping하였다. Fig. 1(b)는 dot-in-a-well 구조로 InP buffer층을 성장하고 1.1Q를 100 nm 성장 후 1.35Q 우물층을 4 nm 성장하였다. 그 위에 InAs 양자점을 성장하였다. 그 후에 1.35Q 우물층을 4 nm 성장하고 1.1Q 100 nm와 InP 100 nm로 capping하였다. Fig. 2는 dot-in-a-barrier 시료와 dot-in-a-well 시료의 상온 PL data이다. Dot-in-a-barrier 시료의 PL 파장은 1544 nm이며 반치폭은 79.70 meV이다. Dot-in-a-well 시료의 파장은 1546 nm이며 반치폭은 70.80 meV이다. 두 시료의 PL 파장 변화는 없으며, 반치폭은 dot-in-a-well 시료가 8.9 meV 감소하였다. Dot-in-a-well 시료의 PL peak 강도는 57% 증가하였으며 적분강도(integration intensity)는 45%가 증가하였다. PL 데이터에서 높은 에너지의 반치폭 변화는 없으며 낮은 에너지의 반치폭은 8 meV 감소하였다. 적분강도 증가에서 dot-in-a-well 구조가 dot-in-a-barrier 구조보다 전자-양공의 재결합이 증가한다는 것을 알 수 있으며, 반치폭 변화로부터 특히 높은 에너지를 갖는 작은 양자점에서의 재결합이 증가 된 것을 알 수 있다. 이는 양자우물이 장벽보다 전자-양공의 구속력을 증가시키기 때문에 양자점에 전자와 양공의 공급을 증가시키기 때문이다. 따라서 낮은 에너지를 가지는 양자점을 모두 채우고 높은 에너지를 가지는 양자점까지 채우게 되므로, 높은 에너지를 가지는 양자점에서의 전자-양공 재결합이 증가되었기 때문이다. 뿐만 아니라 파장 변화 없이 PL peak 강도와 적분강도가 증가하고 낮은 에너지 쪽의 반치폭이 감소한 것으로부터 에너지가 낮은 양자점보다는 에너지가 높은 양자점에서의 전자-양공 재결합율이 급증하였음을 알 수 있다. 우리는 이와 같은 연구에서 InP계를 이용해 1.55 ${\mu}m$에서도 dot in a well구조를 성장 하여 더 좋은 특성을 낼 수 있으며 앞으로 많은 연구가 필요할 것이라 생각한다.

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Development of 3D Printing System for Human Bone Model Manufacturing Using Medical Images (의료 영상을 이용한 인체 골 모형 제작의 3차원 프린팅 시스템 개발)

  • Oh, Wang-Kyun
    • Journal of radiological science and technology
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    • v.40 no.3
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    • pp.433-441
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    • 2017
  • The 3D printing selective laser sintering (SLS) and stereo lithography apparatus (SLA) method used for bone model production has good precision and resolution, but the printers are expensive and need professional knowledge for operation. The program that converts computed tomography digital imaging and communications in medicine (DICOM) file into STL (stereolithography) file is also expensive so requesting 3D printing companies takes a lot of time and cost, which is why they are not generally utilized in surgery. To produce bone models of fractured patients, the use of 3D imaging conversion program and 3D printing system should be convenient, and the cost of device and operation should be low. Besides, they should be able to produce big size bone models for application to surgery. Therefore, by using an fused deposition modeling (FDM) method 3D printer that uses thermoplastic materials such as DICOM Viewer OsiriX and plastic wires, this study developed 3D printing system for Fracture surgery Patients customized bone model production for many clinics to use for surgery of fracture patients by universalizing with no limit in printing sizes and low maintenance and production cost. It is expected to be widely applied to the overall areas of orthopedics' education, research and clinic. It is also expected to be conveniently used in not only university hospitals but also regular general hospitals.

Fabrication and optical characteristics of 50 ㎓ narrow band pass filter for fiber optical communication using dual ion beam sputtering technique (이중 이온빔 스퍼터링 방식을 사용한 채널 간격 50 ㎓ 광통신용 협대역 투과 필터의 제작 및 특성)

  • 김회경;김명진
    • Korean Journal of Optics and Photonics
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    • v.14 no.3
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    • pp.331-337
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    • 2003
  • This paper represents 50 ㎓ narrow band pass filters for fiber optical communication fabricated by dual ion beam sputtering method. We have analyzed the characteristics of the TA$_2$ $O_{5}$ and $SiO_2$ single layers in order to optimize the process conditions for the 50 ㎓ narrow band pass filters, and controlled the film thickness uniformity to less than 0.1 nm deviation by dual peak spike filter pre-deposition. We designed and fabricated 50 ㎓ narrow band pass filters that consist of 216 layers including 4 cavities based on quarter wave optical thickness. Class substrates with high thermal expansion coefficients were used to reduce the film stress. Anti-reflection coating at the rear side of the substrate was also needed to reduce the optical thickness errors of the Optical Monitoring System caused by multiple beam interference between the front side and the rear side of substrate. The optical characteristics of this 50 ㎓ narrow band pass filters are insertion loss of 0.40 ㏈, pass band ripple of 0.20 ㏈, and pass bandwidth at -0.5 ㏈ of 0.20 nm. and isolation bandwidth at -25 ㏈ of 0.6 nm, which satisfy specifications of dense WDM system in fiber optical communications.tions.