• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2018.07a
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• pp.476-477
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• 2018

최근 휴대폰 등 DC 가전기기의 증대와 에너지 시간 이동이 가능한 저장장치를 겸비한 스마트그리드 출현으로 에너지를 저장하는 장치의 수요가 증가하고 있다. 본 논문에서는 충전시간이 많이 소요되는 정전압 충전 방식을 제거하고 정전류 충전방식으로만 배터리 충전을 완료할 수 있는 충전기법을 제안한다. 이를 위해 정전류 충전에 필요한 배터리 파라미터를 실시간으로 추정하여 배터리 전압을 추정할 수 있는 간략화된 알고리즘을 제안한다.

• The Journal of the Acoustical Society of Korea
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• v.10 no.6
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• pp.43-51
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• 1991

본 논문에서는 초음파 의료 진단기용 선형 배열 변환기의 설계 및 제작을 수행하였다. 설계시에 는 펄스 인가시의 경우 유용한 등가회로인 KLM 모델을 이용한 전산기의 모의실험을 행하였다. 설계된 변환기는 동작 주파수 3.5MHz, 길이 120mm인 변환기이며 폭은 13mm이며 8개의 부소자로 이루어진 64 개의 소자를 갖는 변환기이다. 설계, 제작된 변환기는 효율적인 에너지 전달과 광대역 특성을 갖도록 하 기 위하여 2개의 음향 정합창을 갖도록 하였으며 압전 물질의 형태에 의해 집속되도록 하였다. 제작된 변환기의 성능 비교를 위해 제작된 변환기와 상용의 변환기의 성능을 동일한 조건에서 측정하였다. 측 정결과, 제작된 변환기는 우수한 성능을 갖는 것을 확인하였으며 실제 초음파 영상진단기에 사용할 경 우 좋은 상을 얻을 수 있다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2006.07b
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• pp.1287-1288
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• 2006

본 연구에서는 2-port probe를 설계, 제작하고, 이를 이용하여 유전율과 투자율을 동시에 측정해내는 기법을 연구하였다. 기존에는 유전율 측정을 위해 끝이 open되어 있는 1-port probe를 주로 이용하였지만 이는 유전율만이 측정이 가능하고 주파수 대역에 한계가 있었다. 2-port probe는 유전율과 투자율이 동시에 측정이 가능하며 주파수의 한계를 극복하였다. 2-port probe를 등가화 하여 이를 수식적으로 해석했을 경우 수많은 변수들이 발생되는데 이것을 여러 수치기법들을 이용하여 정리한 후, 유전율을 알고 있는 용액들을 이용하여 보정하였다. 또한 2-port probe에 약간의 길이 변화를 주어 주파수대역의 변화를 실험을 통해 비교 분석하였다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2006.07d
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• pp.2253-2254
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• 2006

본 연구에서는 2-port probe를 설계, 제작하고, 이를 이용하여 유전율과 투자율을 동시에 측정해내는 기법을 연구하였다. 기존에는 유전율 측정을 위해 끝이 open되어 있는 1-port probe클 주로 이용하였지만 이는 유전율만이 측정이 가능하고 주파수 대역에 한계가 있었다. 2-port probe는 유전율과 투자율이 동시에 측정이 가능하며 주파수의 한계를 극복하였다. 2-port probe를 등가화 하여 이를 수식적으로 해석했을 경우 수많은 변수들이 발생되는데 이것을 여러 수치기법들을 이용하여 정리한 후, 유전율을 알고 있는 용액들을 이용하여 보정하였다. 또한 2-port probe에 약간의 길이 변화를 주어 주파수대역의 변화를 실험을 통해 비교 분석하였다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2006.07d
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• pp.2031-2032
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• 2006

고압 배전선로를 전력선통신망으로 활용하기 위하여는 고압 배전선로에 대한 입력 임피던스에 대한 정확한 이론적 고찰과 실선로에서의 측정을 통한 검증이 요구된다. 본 논문에서는 고압 배전선로용 신호결합장치의 등가회로를 바탕으로 고압 전력선통신시스템의 입출력 모뎀을 제안한다. 제안된 시스템입출력 모델을 바탕으로 고압 배전선로의 고주파(2-30MHz) 대역의 입력 임피던스를 계산한다. 고압 배전선로 통신 입출력 모델에서 지면의 유전상수, 전력선의 길이, 지면의 도전율에 따른 배전선로 입력 임피던스의 이론적 분석과 실 선로에서의 입력 임피던스 측정 결과를 소개한다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2006.07a
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• pp.621-622
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• 2006

본 연구에서는 2-port probe를 설계, 제작하고, 이를 이용하여 유전율과 투자율을 동시에 측정해내는 기법을 연구하였다. 기존에는 유전율 측정을 위해 끝이 open되어 있는 1-port probe를 주로 이용하였지만 이는 유전율만이 측정이 가능하고 주파수 대역에 한계가 있었다. 2-port probe는 유전율과 투자율이 동시에 측정이 가능하며 주파수의 한계를 극복하였다. 2-port probe를 등가화 하여 이를 수식적으로 해석했을 경우 수많은 변수들이 발생되는데 이것을 여러 수치기법들을 이용하여 정리한 후, 유전율을 알고 있는 용액들을 이용하여 보정하였다. 또한 2-port probe에 약간의 길이 변화를 주어 주파수대역의 변화를 실험을 통해 비교 분석하였다.

• Proceedings of the International Microelectronics And Packaging Society Conference
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• 2000.04a
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• pp.69-72
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• 2000

기판과의 동시소성에 의한 고주파 MCM-C(Multi-Chip-Module-Cofired)용 저항을 제작하고 6 GHz 까지의 RF 특성을 측정하였다. 기판은 저온 소성용 기판으로서 총 8층으로 구성하였으며, 7층에 저항체 및 전극을 인쇄하고 Via를 통하여 기판의 최상부까지 연결되도록 하였다 저항체 Pastes, 저항체의 크기, Via의 길이 변화에 따라서 저항의 RF 특성은 고주파일수록 더욱 DC 저항값에서부터 변화되는 양상을 보였다. 내부저항의 등가회로를 구현한 결과, 저항은 전송선로, Capacitance 성분이 혼재되어 있는 것으로 나타났으며 전극의 형태에 따라 Capacitance 성분이 많은 차이를 나타내었다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2004.11a
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• pp.289-292
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• 2004

전극 양단에 캐패시터를 포함한 냉음극 형광램프와 외관전극의 용량성 결합으로 동작되는 외부전극 형광램프는 동일한 전류-전압 특성을 갖는다. 냉음극 형광램프 양단에 부착하는 캐패시터의 크기는 외부전극 형광램프의 전극의 길이와 등가적으로 대응되며, 캐패시터가 클수록 그리고 외관 전극의 길이가 길수록 저 전압에서 고 휘도를 얻는다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2006.07c
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• pp.1747-1748
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• 2006

본 연구에서는 2-port probe를 설계, 제작하고, 이를 이용하여 유전율과 투자율을 동시에 측정해내는 기법을 연구하였다. 기존에는 유전율 측정을 위해 끝이 open되어 있는 1-port probe를 주로 이용하였지만 이는 유전율만이 측정이 가능하고 주파수 대역에 한계가 있었다. 2-port probe는 유전율과 투자율이 동시에 측정이 가능하며 주파수의 한계를 극복하였다. 2-port probe를 등가화 하여 이를 수식적으로 해석했을 경우 수많은 변수들이 발생되는데 이것을 여러 수치기법들을 이용하여 정리한 후, 유전율을 알고 있는 용액들을 이용하여 보정하였다. 또한 2-port probe에 약간의 길이 변화를 주어 주파수대역의 변화를 실험을 통해 비교 분석하였다.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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• v.42 no.12
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• pp.1-8
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• 2005

The gate length-dependence of cutoff frequency is modeled by using scaling parameter equations of equivalent circuit parameters extracted from measured S-parameters of Nano-scale MOSFETs. It is observed that the modeled cutoff frequency initially increases with decreasing gate length and then the rate of increase becomes degraded at further scale-down. This is because the extrinsic charging time slightly decreases, although the intrinsic transit time greatly decreases with gate length reduction. The new gate length-dependent model will be very helpful to optimize RF performances of Nano-scale MOSFETs.