• 전자진흥
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• 제11권5호
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• pp.51-57
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• 1991

• 전자공학회지
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• 제14권4호
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• pp.40-48
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• 1987

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제19권5호
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• pp.10-16
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• 2006

• 전자진흥
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• 제4권12호
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• pp.96-100
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• 1984

• ETRI Journal
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• 제11권4호
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• pp.67-74
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• 1989

n-GaAs/A1GaAs계의 화합물 반도체 접합에 형성되는 이차원 전자 가스를 캐패시턴스-전압(C-V), 각도 의존 자기저항(SdH), 전자 빔 반사(EBER)등의 측정 방법을 통하여 A1GaAs 조성비(x)는 0.281, 전도대와 가전도대의 밴드 불연속은 각각 밴드 갭($E_g$)의 69%와 31%임을 알았고, 여기에 존재하는 이차원 전자가스의 면농도는 $5.4\times10^11cm^-2, 페르미 준위 $E_F$는 25mev임을 알았다. 또한 도핑 된 A1GaAs층에서 흔히 나타나는 Franz-Keldysh진동은 불순물의 활성화도가 작으면 형성되는 전기장의 약화로 나타나지 않는다는 것을 발견하였다.