• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2000년도 제18회 학술발표회 논문개요집
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• pp.61-61
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• 2000

Device의 고성능화를 위하여 소자의 고속화, 고집적화가 가속됨에 따라 SALICIDE Process가 더욱 절실하게 요구되고 있다. 이러한 SALICIDE Process의 재료로써는 metal/silicide 중에서 비저항이 가장 낮은 TiSi2(15-25$\mu$$\Omega$cm), CoSi2(17-25$\mu$$\Omega$cm)가 일반적으로 많이 연구되어 왔다. 그러나 Ti-silicide의 경우 Co-silicide는 배선 선폭의 감소에 따른 면저항 값의 변화가 작으며, 고온에서 안정하고, 도펀트 물질과 열역학적으로 안정하여 화합물을 형성하지 않는다는 장점이 있으마 Ti처럼 자연산화막을 제거할 수 없어 Si 기판위에 자연산화막이 존재시 균일한 실리사이드 박막을 형성할 수 없는 단점등을 가지고 있다. 본 연구에서는 Ti Capping layer 에 의한 균일한 Co-silicide의 형성을 일반적인 Si(100)기판과 SCl 방법에 의하여 chemical Oxide를 성장시킨 Si(100)기판의 경우에 대하여 연구하였다. 스퍼터링 방법에 의해 Co를 150 증착후 capping layer로써 TiN, Ti를 각각 100 씩 증착하였다. 열처리는 RTP를 이용하여 50$0^{\circ}C$~78$0^{\circ}C$까지 4$0^{\circ}C$ 구간으로 N2 분위기에서 30초 동안 열처리를 한후, selective metal strip XRD, TEM의 분석장비를 이용하여 관찰하였다. lst RTP후 selective metal strip 후 면저항의 측정과 XRD 분석결과 낮은 면저항을 갖는 CoSi2로의 상전이는 TiN capping과 Co 단일박막이 일반적인 Si(100)기판과 interfacial oxide가 존재하는 Si(100)기판위에서 Ti capping의 경우보다 낮은 온도에서 일어났다. 또한 CoSi에서 CoSi2으로 상전이는 일반적인 Si(100)기판위에서 보다 interfacial Oxide가 존재하는 Si(100)기판 위에 TiN capping과 Co 단일박막의 경우 열처리 후에도 Oxide가 존재하는 불균인한 CoSi2박막을 관찰하였으며, Ti capping의 경우 Oxise가 존재하지 않는 표면과 계면이 더 균일한 CoSi2 박막을 형성 할 수 있었다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2012년도 제42회 동계 정기 학술대회 초록집
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• pp.308-308
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• 2012

현재 결정질 태양전지 제작에 있어 공정 단가 및 재료비 절감을 위해 실리콘 웨이퍼의 두께가 점점 얇아지는 추세이며, 이에 따른 장파장 영역 흡수 손실을 감소시키기 위한 방안으로 후면 패시베이션에 관한 연구가 활발히 진행되고 있다. 후면 패시베이션층으로는 SiO2, SiNx, a-Si:H, SiOxNy 등의 물질이 사용되고 있으며, 본 연구에서는 SiO2/SiNx/SiO2 (ONO)의 삼중막 구조를 패시베이션층으로 하여 SiNx 단일막 구조와의 열처리 온도에 따른 소수캐리어 수명(${\tau}eff$), 후면 재결합속도(Seff), 확산거리(LD) 등의 파라미터 변화를 비교하였다. 증착 직후와 $350^{\circ}C$에서의 Forming Gas Annealing (FGA), 그리고 $800^{\circ}C$의 고온에서의 fast firing 후의 각각의 파라미터 변화를 관찰하였다. 증착 직후 SiNx 단일막과 ONO 삼중막의 소수캐리어 수명은 각각 $108{\mu}s$와 $145{\mu}s$를 보였다. 후면 재결합속도는 65 cm/s와 44 cm/s를 보였으며, 확산거리는 각각 $560{\mu}m$와 $640{\mu}m$를 나타내었다. FGA와 firing 열처리 후 세 파마미터는 모두 향상된 값을 보였으며 최종 firing 처리 후 단일막과 삼중막의 소수캐리어 수명은 각각 $196{\mu}s$와 $212{\mu}s$를 보였다. 또한 후면 재결합속도는 28 cm/s와 24 cm/s를 보였으며, 확산거리는 각각 $750{\mu}m$와 $780{\mu}m$를 보여 ONO 삼중막 구조의 경우에서 보다 우수한 특성을 보였다. 본 실험을 통해 SiNx 단일막보다 ONO 패시베이션 구조에서의 열적안정성이 우수함을 확인하였으며, 또한 ONO 패시베이션 구조는 열적 안정성뿐 아니라 n-type 도핑을 위한 Back To Back (BTB) 도핑 공정 시 후면으로 의 도펀트 침투를 막는 차단 층으로서의 역할도 기대할 수 있다.

• 한국재료학회지
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• 제16권4호
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• pp.253-256
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• 2006

The blue emitting OLEDs using GDI host-dopant phosphors have been fabricated and characterized. In the device fabrication, 2-TNATA [4,4',4'-tris(2-naphthylphenyl-phenylamino)- triphenylamine] as a hole injection material and NPB [N,N'-bis(1-naphthyl)-N,N'-diphenyl-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine] as a hole transport material were deposited on the ITO(indium thin oxide)/glass substrate by vacuum evaporation. And then, blue color emission layer was deposited using GDI602 as a host material and GDI691 as a dopant. Finally, small molecule OLEDs with structure of ITO/2-TNATA/NPB/GDI602:GDI691/Alq3/LiF/Al were obtained by in-situ deposition of Alq3, LiF and Al as the electron transport material, electron injection material and cathode, respectively. Blue OLEDs fabricated in our experiments showed the color coordinate of CIE(0.14, 0.16) and the maximum power efficiency of 1.1 lm/W at 11 V with the peak emission wavelength of 464 nm.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제20권2호
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• pp.124-129
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• 2007

Dielectric and piezoelectric properties of $0.57Pb(Sc_{1/2}Nb_{1/2})O_{3}-0.43PbTiO_{3}$, which is the morphotropic phase boundary composition for the PSN-PT system, were investigated as a function of $Fe_{2}O_{3},\;Nb_{2}O_{5}\;and\;MnO_{2}$ addition 0 wt% to 0.9 wt%. The maximum dielectric constant of ${\varepsilon}_{33}/{\varepsilon}_{o}=2054$ and the minimum dielectric loss of $tan{\delta}=0.37\;%$ at room temperature were obtained at 0.1 wt% of $Fe_{2}O_{3}$ and 0.5 wt% of $MnO_{2}$ addition, respectively. With addition of 0.5 wt% $Nb_{2}O_{5}$ and $0.5\;wt%\;MnO_{2}$, the electromechanical coupling factor $k_{p}$ and mecanical quality factor $Q_{m}$ were significantly increased, respectively. The maximum electromechanical coupling factor $k_{p}=61.5\;%$ was obtained by addition of $Nb_{2}O_{5}$ and high mechanical quality factor $Q_{m}=919$ was obtained by addition of $MnO_{2}$. The $Q_{m}(=919)$ value is 3.3 times larger than that of non-doped 0.57PSN-0.43PT ceramics.

• 대한전자공학회논문지
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• 제27권2호
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• pp.73-80
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• 1990

Si의 기판상태, 불순물의 종류와 양, 어닐링온도 등을 달리하여 Ti-silicides를 형성시켰을 때 면 저항과 두께측정, 불순물들의 분포와 미세구조 관찰을 통하여 Ti-silicides 형성반응을 조사하였다. 기판상태, 불순물의 농도, 어닐링온도가 Ti-silicides 형성에 직접적으로 영향을 미쳤다. Amorphous Si 기판상에서 Ti-silicides가 형성되었을 때 $TiSi_2/Si$ 계면편평도가 보다 향상되었다. Poly-Si내 불순물의 농도가 $1{\times}10^{16}ions/cm^2$ 이상일 때 $TiSi_2$ 형성이 크게 억제되었고 면저항이 증가하였다. 불순물의 out-diffusion에 영향을 미치는 인자 중의 하나는 이온주입에너지에 의해 결정되는 초기 불순물의 분포였다. 이온주입 공정보다 $POCI_3$ 공정에서 불순물의 out-diffusion이 적게 나타났다.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제13권4호
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• pp.71-75
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• 2006

GDI602:Rubrene(10%) 형광 시스템을 이용하여 황색 발광 OLED를 제작하고 그 특성을 평가하였다. 소자 제작에서 ITO/glass 위에 정공 주입층으로 2-TNATA[4,4',4'-tris(2-naphthylphenyl-phenyl-amino)-triphenylamine]를, 정공 수송층으로 NPB[N,N'-bis(1-naphthyl)-N,N'-diphenyl-1,1'-biphenyl-4,4-diamine]를 진공 증착하였다. 황색 발광층으로는 GDI602를 호스트로, Rubrene를 도펀트로 사용하였다. 또한, 전자 수송층으로는 $Alq_{3}$를, 전자 주입층으로는 LiF를 사용하여 $ITO/2-TNATA/NPB/GDI602:Rubrene(10%)/Alq_{3}/LiF/Al$ 구조의 저분자 OLED를 제작하였다. 본 실험에서 제작된 황색 OLED는 562nm의 중심 발광 파장을 가지며, CIE(0.50, 0.49) 색순도, 그리고 10V의 동작전압에서 $2300\;Cd/m^{2}$ 휘도와 0.7 lm/W의 전력 효율을 나타내었다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2011년도 제41회 하계 정기 학술대회 초록집
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• pp.320-320
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• 2011

차세대 디스플레이로 각광 받고 있는 유기발광소자는 빠른 응답속도, 넓은 시야각 및 얇은 두께로 제작이 가능한 장점들을 가지고 있으나, 고효율 유기발광소자를 제작하기 위하여 엑시톤 형성 효율을 증가시키고 형성된 엑시톤의 소멸을 감소시켜 발광 효율을 증진하는 연구가 활발히 진행되고 있다. 유기발광소자의 발광 효율을 증진하기 위하여 소자의 구조에 대한 구조적 연구와 발광 물질에 대한 재료적 연구 등이 진행되고 있으며, 그 중에서 발광층에 사용하는 인광 물질은 삼중항 상태의 엑시톤을 광자로 천이할 수 있는 특성이 있어서 높은 발광 효율의 유기발광소자 제작이 가능하기 때문에 많은 연구가 진행되고 있다. 그러나 인광 물질을 사용한 유기발광소자의 엑시톤 수명이 형광 물질을 사용한 유기발광소자의 엑시톤 수명보다 길기 때문에, 인광 물질을 사용한 유기발광소자에서 형성된 삼중항 엑시톤끼리 서로 충돌하여 소멸될 확률이 높아지는 문제점이 있다. 또한, 인광물질을 사용한 유기발광소자 동작시에 높은 전류 영역에서 삼중항 엑시톤 형성 양이 많아서 삼중항 엑시톤 소멸 확률이 증가하는 문제점이 있다. 본 연구에서는 고효율 유기발광소자를 제작하기 위하여 유기발광소자의 발광층으로 인광 호스트 물질에 iridium을 포함한 중금속 착화합물 계열의 녹색 인광 도펀트 물질인 tris(2-phenylpyridine) iridium(III) ($Ir(ppy)_3$)를 도핑하였다. 제작된 유기발광소자는 전류 증가에 따른 삼중항 엑시톤 충돌로 인한 발광 효율 감소를 억제하기 위하여 인광 도펀트인 $Ir(ppy)_3$와 같은 lowest unoccupied molecular orbital 준위를 가지는 4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline 전자 수송층을 사용하였다. 전기적 및 광학적 특성 분석 결과 제작된 유기발광소자에서 삼중항 엑시톤 소멸을 최소화하여 발광 효율이 증가한 것을 확인하였다. 본 실험의 결과는 $Ir(ppy)_3$을 도핑한 녹색 인광 유기발광소자의 삼중항 엑시톤 충돌을 억제하여 유기발광소자의 발광 효율을 증진하는 메커니즘을 이해하는데 중요하다.

• 폴리머
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• 제33권3호
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• pp.203-206
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• 2009

화학적 산화중합에 의한 Polyaniline Emeraldine salt(PANI-salt)는 도펀트로 존재하는 HCl과 같은 양성 자산으로 인한 금속성 사출금형 부식이 발생한다. 본 연구에서는 비극성 유기용매인 톨루엔, 포펀트와 계면활성제 역할을 하는 dodecylbenzenesulfonic acid(DBSA)를 사용하여 유화 중합법으로 PANI-salt를 합성한 후, 공용매 toluene에서 PANI-salt와 high impact polystyrene(HIPS)를 다양한 비율로 solution-cast 혼합하여 PANI-HIPS 블렌드를 얻었다. PT-IR과 UV-Vis.로 PANI-salt 구조를 확인하였고, PANI-HIPS 블렌드의 모폴로지, 열적 및 전기적 특성을 확인하였다. PANI(50 mL)와 HIPS(1 g)을 혼합하여 사출온도 $103^{\circ}C$, 사출압력 120 psi 하에서 사출한 PANI-HIPS 사출품에서 가장 높은 전기전도도($6.02{\times}10^{-5}\;S/cm$)가 나타났다.

• 반도체디스플레이기술학회지
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• 제6권2호
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• pp.19-23
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• 2007

The blue emitting OLEDs using TMP-BiP[(4'-Benzoylferphenyl-4-yl)phenyl-methanone-Diethyl(biphenyl-4-ymethyl) phosphonate] host and DJNBD-1 dopant have been fabricated and characterized. In the device fabrication, 2-TNATA [4,4',4"-tris(2-naphthylphenyl-phenylamino)-triphenylamine] as a hole injection material and NPB [N,N'-bis(1-naphthyl)N,N'-diphenyl-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine] as a hole transport material were deposited on the ITO(indium tin oxide)/glass substrate by vacuum thermal evaporation method. Followed by the deposition, blue color emission layer was deposited using TMP-BiP as a host material and DJNBD-1 as a dopant. Finally, small molecule OLEDs with structure of $ITO/2-TNATA/NPB/TMP-BiP:DJNBD-l/Alq_3/LiF/Al$ were obtained by in-situ deposition of $Alq_3$, LiF and Al as the electron transport material, electron injection material and cathode, respectively. The effect of dopant into host material of the blue OLEDs was studied. The blue OLEDs with DJNBD-1 dopant showed that the maximum current and luminance were found to be about 34 mA and $8110\;cd/m^2$ at 11 V, respectively. In addition, the color coordinate was x=0.17, y=0.17 in CIE color chart, and the peak emission wavelength was 440 nm. The maximum current efficiency of 2.15 cd/A at 7 V was obtained in this experiment.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제37권10호
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• pp.1-10
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• 2000

소자의 크기가 딥 서브 마이크론 이하로 작아짐에 따라 극 저 에너지 이온 주입의 정확한 모델링은 중요함을 더하게 되었다. 본 논문에서는 이체 충돌 근사(Binary Collision Approximation)에 기반을 둔 3차원 몬테카를로 이온 주입 시뮬레이터를 개발하였다. 이를 위하여, 저 에너지 이온 주입에 있어 이체 충동 근사 방법의 제한 요소인 전자 에너지 정지력에 대한 모델을 개선하였고, 다중 충돌 계산을 위한 모델을 적용하였다. 계산된 이온 주입 도펀트 분포 및 결함 분포는 실제 실험치와 일치함을 확인하였다. 또한, 3차원 이온 주입 시뮬레이션에 있어 계산 시간의 효율을 극대화 하고자, 본 연구에서는 이온 분포 복사법(Ion Distribution Replica Method)을 개발하였고, 복잡한 토폴로지를 갖는 다층 에이어의 이온 주입 공정에 있어 빠른 수행 시간 및 결과의 정확성을 확인하였다.