• The Optical Journal
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• s.145
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• pp.36-40
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• 2013

LED(light emitting diode)는 반도체의 P-N 접합 다이오드의 일종으로, 순방향으로 전압이 걸릴 때 단파장 광이 방출 되는 현상인 전기발광 효과를 이용한 화합물 반도체 소자의 일종으로 발광 다이오드라고도 한다. LED는 화합물 반도체의 화합물의 종류 및 조성비를 조절하여 적외선, 자외선과 빨강에서 보라에 이르는 모든 가시광선이 구현 가능하고, 소비전력이 기존의 광원에 비해 우수한 특성을 가지고 있어, 일반 조명, 산업용 조명, 전광판, TV의 BLU 등 여러 분야에 걸쳐 다양하게 이용되고 있다.

• Electrical & Electronic Materials
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• v.17 no.5
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• pp.3-12
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• 2004

지난 십년동안 정보산업의 지속적인 고속성장과 맞물려 단파장 광소자와 고출력, 고주파 전자소자의 성능에 대한 사양이 날로 높아 감에 따라 그 어느 때보다 소자 제조 공정에서 고품위 박막 성장이 중요한 위치를 차지하게 되었다. 자연스럽게 연구자들은 이러한 소자에 대한 높은 요구를 충족시키기 위해 기존 발광소재(GaN, 6H-SiC)를 근간으로 소자의 성능을 개선하려는 노력 뿐 아니라 기존 물질의 한계를 극복할 수 있는 새로운 발광소재에 대해 관심을 갖게 되었다.(중략)

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.21 no.3
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• pp.164-170
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• 2012

The dependance of degradation on the blue-peak wavelength is investigated with the blue light-emitting diode (LED) of InGaN/GaN with respect to the optical and the electrical characteristics of the devices. The LED devices emitting the blue-peak wavelength ranging from 437 nm to 452 nm is prepared to be stressed for a long aging time with three different currents of 60 mA, 75 mA and 90 mA, respectively. The degradation of optical intensity is observed with and without phosphor in the devices. The device without phosphor has been degraded significantly as the wavelength of blue-peak is decreased while the optical intensity of LED device with phosphor become less sensitive than that of device without phosphor. The electrical property does not depend on the emission peak wavelength. However, the series-resistance of LED device is slowly increased as the aging time is increased. The deformation of device is observed severely the short wavelength of blue-peak even with the same current since the short wavelength is absorbed substantially at the materials of device during the aging time. Consequently, in order to enhance the lifetime of LED devices, it is important to understand the optical degradation property of the materials against the specific wavelengths emitted from the blue chip.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2009.07a
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• pp.1563_1564
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• 2009

전자파가 인체에 미치는 영향에 대한 연구중 SAR(Specific Absorption Ratio)에 관한연구는 매우 활발하게 이루어지고 있으나 단파(High Frequency)대역에 의한 인체유도전류에 대한 연구는 미흡한 편이다. 본 연구에서는 근거리장에서 단파대역 RFID 리더 안테나에 의한 인체에 유도되는 전류를 측정하고 이를 등가화 할 수 있는 수직교차루프 형태의 인체등가 모형을 제시하여 인체의 유도전류량과 비교하였다.

• Electrical & Electronic Materials
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• v.6 no.1
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• pp.1-7
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• 1993

최근에 있어서 광자기기록 재료의 연구개발은 실용화 단계에 이른 비정질 RE-TM막을 중심으로 하여 내식성, 보호막, 기판재료, 양산기술 향상 등에 촛점이 맞추어져 있다. 한편 장래의 문제로서 일층 고성능화와 보다 생산성이 놓은 재료의 개발이 기대되고 있다. 고성능화를 위해서는 반도체 레이저의 고출력, 단파장화가 가장 효과적이라고 생각되나 이에 맞는 기록재료의 개발연구도 병행되어 져야한다. 기존의 반도체 레이저 범위안에서는 RE-rich의 막을 기록층으로 하고 적당한 재생층을 갖는 2층 막으로 부터 밀도 및 속도의 양면에서 최고의 성능이 얻어지고 있다. 장래 단파장 반도체 레이저가 개발된다면 경희토류를 이용한 막에서 고성능화가 아루어질 것으로 보이며 또한 Pb/Co, Pt/Co등 자성다층막이 RE-TM 재료의 단점을 보완하고 한층 더 고밀도화를 이룩할 수 있는 차세대 광자기기록 재료로 기대를 모으고 있다.

• 기계와재료
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• v.22 no.1
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• pp.14-21
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• 2010

초미세 레이저 가공기술은 미세화, 대면적화, 고속화의 방향으로 발전되고 있다. 이에 따라 이를 대응한 레이저의 사양도 파장의 단파장화 또는 펄스폭의 극초단화, 펄스 반복률의 고반복률화, 출력의 고출력화가 요구되고 있다. 극초단 펄스레이저는 사용자 편의성, 안정성 측면에서 산업체의 요구에 미흡하다. 이에 따라 산업용 초미세 레이저 가공을 위한 광원으로 고품질, 고출력의 단파장 자외선 레이저 활용에 집중하고 있다. 현재 고품질 자외선 레이지는 DPSSL 형태로 구성되어 출시되고 있고, 거의 대부분 수입에 의존하고 있다. 국내외 자외선 UV 현황을 간단히 기술하고, 광주과기원 고등광기술연구소에서 산업원천기술개발사업의 일환으로 개발중인 복합형 자외선 DPSSL에 대한 개발 계획 레이저 특성과 현재의 개발 진행 상황을 소개한다.

• Korean Journal of Optics and Photonics
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• v.12 no.3
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• pp.205-211
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• 2001

We propose a constant inversion black box model of erbium-doped fiber amplifiers (EDFAs) for exact performance predictions for EDFAs operated in the gain-flattened condition. The validity of the newly proposed model was experimentally verified by predicting the performance of EDFAs for the L band, within 1.9% required pump power discrepancy. The role of ion pairing effects on the power conversion efficiency is also discussed. ussed.

• Applied Chemistry for Engineering
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• v.24 no.2
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• pp.138-143
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• 2013

This paper studied the possibility to predict a mechanical property variation from changes in created carbonyl bands by irradiating the surface of high-density polyethylene with short-wavelength ultraviolet radiation of 254 nm to induce a fast chemical degradation. The meaning of this study lies in checking whether a mechanical property change with the same chemical property as the induced optical deterioration is caused by using a UVC lamp with high photon energy instead of optical deterioration via xenon arc light source and outdoor exposure test via natural sunlight requiring a long time. The mechanical strength of high-density polyethylene checked by a tensile test and a creep destruction test showed a similar tendency with CI changes. In particular, the yield strength and elongation had a close relationship with the exposure time to ultraviolet radiation. Accordingly, this paper presented a method to grasp the mechanical property change outdoors requiring a long time more fast through the relationship between the mechanical property change and the carbonyl index using a UVC lamp causing the fast surface degradation.

• Journal of Advanced Marine Engineering and Technology
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• v.34 no.2
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• pp.325-331
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• 2010

In this study, highly miniaturized short-wavelength meander line employing eriodically patterned ground structure (PPGS) was developed for application to miniaturized on-chip passive component on GaAs MMIC (monolithic microwave integrated circuit). The meander line employing PPGS showed shorter wavelength and slow-wave characteristic compared with conventional meander line. The wavelength of the meander line employing PPGS structure was 17 % of the conventional meander line on GaAs MMIC. Due to its slow-wave structure, the meander line employing PPGS exhibited large propagation constant than conventional meander line, which resulted in larger phase shift and shunt inductance value. Above results indicate that the meander line employing PPGS is a promising candidate for application to a development of miniaturized on-chip RF components as well as inductor with a high inductance value on GaAs MMIC.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2014.02a
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• pp.445.2-445.2
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• 2014

표면 조직화의 목적은 태양전지 표면에서의 입사되는 빛의 반사율을 감소 시키고, 웨이퍼 내에서 빛의 통과 길이를 길게 하며, 흡수되는 빛의 양을 증가시키는 것이다. 본 연구에서는 여러 가지 표면 조직화 공정 기술을 이용하여 표면 형상에 따른 광 변환 효율에 대해 연구하였으며, 셀을 제작하여 전기적 특성과 광학적 특성의 상관관계를 분석하였다. KOH를 이용한 표면 조직화, 산 증기를 이용한 표면 조직화, 반응성 이온 식각을 이용한 표면 조직화, 금속 촉매 반응을 이용한 표면 조직화 공정 기술을 이용하여 표면 조직화 공정을 진행하였다. 셀 제작 결과, 반사도 결과와는 상반되는 결과를 얻을 수 있었다. 표면 조직화 형상에 따른 셀 효율의 변화는 도핑 프로파일과 표면 재결합 속도의 변화 때문이라 생각되며 더 명확한 분석을 위해 양자 효율을 측정하여 분석을 시도하였다. 표면 조직화 공정 기술별 도핑 프로파일을 보면 KOH를 이용한 표면 조직화 공정을 제외한 나머지 표면 조직화 공정들의 도핑 프로파일은 불균일하게 형성되어 있는 것을 확인 할 수 있다. 양자 효율 측정 결과 단파장 대역에서 낮은 응답특성을 가지는 것을 확인 할 수 있었다. 그 이유는 낮은 반사도를 가지는 표면 조직화 공정의 경우 나노사이즈의 구조를 갖기 때문에 균일한 도핑 프로파일을 얻지 못해 전자, 정공의 분리가 제대로 이루어지지 못하였고 표면 재결합 속도증가의 원인으로 단락전류와 개방전압이 낮아져 효율이 떨어진 것으로 판단된다. 결과적으로 낮은 반사율을 갖는 표면 조직화 공정도 중요하지만 표면 조직화 공정 기술에 따른 균일한 도핑 프로파일을 갖는 공정을 개발한다면 단파장 응답도가 향상되어 단락전류밀도와 개방전압 상승효과를 얻을 수 있을 것이라 판단된다.