• Journal of the Korean Magnetics Society
• /
• v.13 no.1
• /
• pp.36-40
• /
• 2003

We have grown D $y_{x}$B $i_{3-x}$F $e_{5}$ $O_{12}$ (x = 0.5,1.0, 1.5,2.0) magnetic garnet thin films upon $Al_2$O3i and GGG substrate using Pechini process. The annealing temperature to get single phase D $y_{x}$B $i_{3-x}$F $e_{5}$ $O_{12}$ garnet is dependent on substrate, i.e. the annealing temperature for GGG substrate il 5$0^{\circ}C$ lower than that for $Al_2$ $O_3$ substrate. The grains of garnet thin film grown on GGG (111) plane align along [111] direction, and in this case the hysteresis curve does not saturate up to H : 5000 Oe. We attribute this phenomenon to rotation magnetization process. The maximum amount of Bi substitution in polycrystalline D $y_{x}$B $i_{3-x}$F $e_{5}$ $O_{12}$ thin film prepared by Pechini process is restricted to 2.0 Bi atom/unit cell, and this value is less than that in single garnet crystall grown by LPE method.own by LPE method.ethod.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
• /
• 2012.02a
• /
• pp.591-591
• /
• 2012

본 연구는 Transparent conducting oxide (TCO, 산화물투명전극)를 이용한 박막태양전지 효율향상에 관한 것으로, 이중의 TCO층(Double-stacked TCO layer)의 효과적인 광학 및 전기적 설계에 관한 것이다. 기존 박막 태양전지에서는 투명전극 TCO layer로서, ITO (Indium-Tin-Oxide), FTO (Fluorine- Tin-Oxide), 및 AZO(Aluminum-doped Zinc Oxide) 등을 사용해 왔다. 각 TCO layer마다 장점이 있지만 단점 또한 존재한다. ITO의 경우 높은 전기적 특성을 가지는 반면 수소 플라즈마에 취약하고 기계적 강도에 취약해 ITO 단일층만으로 박막 태양전지에 적용하는 것에 제한을 받는다. 한편, AZO의 경우 전기적 특성도 우수할 뿐만 아니라 수소 플라즈마에도 내구성이 강한 장점이 있지만, 일함수가 p형 반도체보다 낮아 Schottky junction이 되어, 높은 전위장벽이 형성된다. 이는 정공의 이동을 방해하고, 정공의 축적이 일어나서 순방향 전압을 인가할 때 많은 전류의 감소를 가져온다. 또한, AZO와 p형 반도체 사이의 높은 직렬저항으로 인해 광전압(Voc, Open circuit voltage)와 충실률 (FF, Fill factor)가 떨어진다는 단점이 있다. 본 실험에서는 ITO/AZO 2중구조의 TCO층을 적용하여 상기의 문제점을 해결하고자 한다. 이중 구조 TCO층은 Magnetron sputter system을 이용하여, 단계적으로 증착되었다. 빛이 입사하는 유리에 ITO를 제1전도층으로 증착하였는데, ITO는 입사광의 투과도와 전기전도성이 우수하다. 제2전도층으로는 AZO층을 이용하였으며, 실리콘 반도체층과 접하게 된다. AZO는 실리콘 증착시 발생하는 수소 플라즈마에 안정적이고, 물리적 강도 또한 우수한 장점이 있다. 이중 구조층위에 실리콘 광흡수층(Si absorber)을 증착하였으며, pin 구조를 가진다. 기존, 단일막 TCO층과 2중구조 TCO층을 이용하여, 실리콘 박막 태양전지를 구성하였다. 이때, ITO/AZO의 2중구조를 적용하였을 때 태양 전지 특성이 크게 향상된 결과를 얻을 수가 있었다. 특히, 전류밀도의 경우 ITO, FTO, AZO 각각 14.5 mA/cm2, 11.2 mA/cm2, 8.18 mA/cm2를 나타낸 반면 ITO/AZO 2중구조의 경우 약 17mA/cm2 로 크게 향상 되었고, 태양전지 변환 효율도 각각 7.5%, 6.9%, 4%에서 ITO/AZO 2중 구조의 경우 8.05%로 크게 향상되었다. 본 발표에서는 2중구조 TCO를 이용한 현공정에 적용 가능한 박막태양전지 효율향상 기법에 대해 논의하고자 한다.

• Journal of the Korean Ceramic Society
• /
• v.39 no.12
• /
• pp.1128-1132
• /
• 2002

$ReMnO_3$(Re:Y, Ho, Er) thin films were prepared by MOCVD method available to non-volatile memory device with MFS-FET structure. $ReMnO_3$ thin films were deposited on the Si(100) substrate at 700${\circ}C$ for 2h. When the films were post-annealed at 900${\circ}C$ for 1h in air, the single phase of hexagonal $ReMnO_3$ thin films were detected. Ferroelectric properties of $ReMnO_3$ thin films were dependent on the degree of c-axis orientation in the single phase of hexagonal structure and remnant polarization (Pr) of $YMnO_3$ thin films with high degree of c-axis orientation was 105 nC/$cm^2$. Leakage current density was dependent on the grain size of microstructure and that of $YMnO_3$ thin films with grain size of 100∼150 nm was $10^{-8}$ A/$cm^2$ at applied voltage of 0.5 V.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
• /
• 2014.11a
• /
• pp.234-234
• /
• 2014

철강 제품의 내식성 향상을 위해 강판 위에 알루미늄을 $0^{\circ}$, $30^{\circ}$, $45^{\circ}$, $60^{\circ}$의 빗각으로 증착하여 박막의 조직 및 내식성을 평가하였다. 단일층 박막에서는 회전각도 $60^{\circ}$에서 치밀한 조직이 보였으며 3층의 다층박막에서는 회전각도 $45^{\circ}$ 에서 아주 치밀한 조직이 관찰되었고 염수분무 결과 264시간 경과 후 적청이 발생하기 시작하여 312시간 경과 후 기판의 전 면적에 적청이 나타났다. 이 결과는 $3{\mu}m$ 의 동일한 두께에서 내식성이 3배 이상 향상된 것임을 나타낸다.

• Journal of the Microelectronics and Packaging Society
• /
• v.2 no.1
• /
• pp.35-48
• /
• 1995

마이크로회로내에서 티탄산바륨 중 바륨의 일부가 납으로 치환됨에 따른 전기적 특 성의 변화를 확인하기 위하여 MOD(금속유기화합물 분해법)공정에 의 barum 2-ethylhexanoate, barium neodecanoate, lead 2-ethylhexanoate 및 titanium dimethoxy 야 -2-ethylhexanoate 와 같은 MOC(금속 유기화합물) 들을 합성하고 공통 용매에 대한 용해 도를 시험하였다. 그 결과 barium 2-ethylhexanoate 만 p-xylene에 대한 용해도가 낮았으며 그 외의 다른 MOC들은 모두 p-xylene 단일 용매에 매우 잘 용해되었다. 바륨의 일부가 납 으로 치환된 티탄산 납바륨 박막은 MOC 혼합용액을 ITO/glass, Pt/SiO2/Si 및 Pt/Ti/SiO2/Si 웨이퍼 기판 위에 spin coating 하고 소성하여 얻었다. 이와 같이 얻어진 박막 의 전기적 특성을 측정하고 그 결과를 비교 고찰하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
• /
• 2008.06a
• /
• pp.197-198
• /
• 2008

이 논문에서는 다양한 SiNx의 band gap을 이용하여 MIS 구조의 메모리 소자를 제작하고 이를 분석하였다. SiNx 박막은 증착 가스비에 따라 다양한 band gap을 가지게 된다. 본 실험에서는 $SiH_4$ 가스와 $NH_3$ 가스를 사용하여 SiNx 박막을 증착하였다. n-type 단결정 실리콘 기판위에 다양한 가스비에 따라 단일 SiNx 박막을 증착 및 분석하였고, 이를 이용하여 NNN 구조의 MIS 소자를 제작하였다. 제작된 소자는 4.6 V의 hysteresis roof 폭과 1000 초 후에 84.8 %의 retention 값을 갖는 우수한 메모리 특성을 보였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
• /
• 2012.05a
• /
• pp.248-248
• /
• 2012

실리콘 산화막 기판 및 퀄츠 기판 위에 그래핀을 기계적으로 박리시킨 후, 두께 1 nm 이하의 금 박막을 증착한 후 고온 열처리를 통하여 금 박막으로부터 나노입자의 형성 거동을 살펴보았다. 열처리 후 생성되는 금 나노입자는 실리콘 산화막 및 퀄츠기판 보다 그래핀 위에서 더 크게 형성되는 것을 확인하였으며, 이는 금의 표면확산 정도가 그래핀 위에서 더 크다는 것을 의미한다. 또한 동일 박리 그래핀 위에서도 그래핀의 층 수에 따라 형성되는 금 나노입자의 크기가 달라짐이 확인되었다. 열처리에 의해 형성된 다양한 크기의 금 나노입자는 단일벽 탄소나노튜브(SWNTs)의 직경제어 합성을 위한 촉매로 이용하였다.

• Korean Journal of Optics and Photonics
• /
• v.12 no.5
• /
• pp.406-413
• /
• 2001

We report theoretical and experimental results for the wavelength and polarization selectivity of a fiber-to-planar waveguide coupler made of a side polished single mode fiber covered with a planer waveguide incorporating a thin metal film. A simple but exact approach to obtain the modal properties of multilayer planar waveguide with a thin metal film is described. The device was modeled into equivalent 1 dimensional structure and its behaviour was analyzed based on coupled mode theory. The effects of metal film thickness and refractive index of superstrate on the device properties were measured and explained.

• Proceedings of the Korean Society of Precision Engineering Conference
• /
• 2010.05a
• /
• pp.539-540
• /
• 2010

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
• /
• 1996.06a
• /
• pp.94-95
• /
• 1996