• 한국진공학회지
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• 제15권4호
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• pp.354-359
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• 2006

일반적인 포토리소그래피를 사용하지 않고 마이크로미터 혹은 나노미터 단위의 패턴형성을 위한 연구가 최근 많은 연구그룹에 의해 진행되고 있다. 본 실험에서는 패턴이 형성된 polydimelthylsiloxane (PDMS) 몰드를 octadecyltrichlorosilane (OTS) 용액에 dipping 하여 PDMS 표변에 OTS 단분자막을 형성하고 micro contact printing (${\mu}-CP$) 방법으로 OTS 단분자 막을 유리기판 표면위로 전사하였다. 전사된 OTS 단분자막은 친수성 유리기판 위에서 소수성 표면특성을 갖게 하며, 친수성은 용액 속에 dipping 하였을 때 소수성 표면 위에는 코팅되지 않도록 한 이 방법을 이용하여 유리기판 위에 Ag 패턴을 형성하였다. 또한, 세척직후 친수성 표면 특성을 보이는 유리기판의 시간에 따른 접촉각 측정을 통해 표면에너지의 변화를 분석하였다.

• 폴리머
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• 제29권4호
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• pp.331-337
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• 2005

일반적으로 꼬리부분에 카복실산을 갖는 알칸티올레이트는 바이오 물질의 고정화 활성물질로 사용되고 있다. 본 연구에서는 알칸티올레이트의 전기적 성질과 물리적 안정성을 향상시키기 위해 공액구조를 갖는 방향족계 티올레이트를 사용하여 cytochrome c와 같은 단백질을 고정화시켰다. 방향족계 자기조립 단분자막의 패턴 형성은 다음과 같은 공정으로 행하였다. 4'-Mercapto-biphenyl-4-carboxylic acid와 4-mercapto-[1,1';4',1']terphenyl-4'-carboxylic acid와 같은 방향족 티올레이트 분자를 금 기판에 흡착시킨 다음 네거티브 마스크를 가지고 원자외선 조사에 의해 산화반응을 시킨 후 deioniz water로 현상하였다. 공액계 자기조립 단분자막의 패턴형성과 전기적 성질은 STM과 AFM 측정을 통해 조사하였다. 또한 cytochrome c 또는 ferrocene amide를 패턴이 형성된 금 기판에 고정화시킨 다음 cyclic voltammeoy 측정을 통해 공액계 방향족 티올레이트의 전기적 활성을 검토하였다.

• 대한기계학회:학술대회논문집
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• 대한기계학회 2005년도 창립60주년 기념 추계 학술대회
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• pp.235.1-235.1
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• 2005

• 한국고분자학회지:고분자과학과기술
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• 제18권4호
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• pp.338-345
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• 2007

• 한국고분자학회지:고분자과학과기술
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• 제17권2호
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• pp.172-181
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• 2006

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2004년도 추계학술대회 논문집 Vol.17
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• pp.485-488
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• 2004

본 연구에서는 dipyridinium dithioacetate 분자를 Au(111) 표면에 자기조립하여 STM 탐침-유기 단분자막-Au(111)기판의 수직구조로 STM 측정시스템을 이용하여, 전기적 특성을 관찰하였다. 먼저 Au(111)기판을 Piranha용액$(H_2SO_4:H_2O_2=3:1)$으로 Au 표면을 전처리 하였다. 전처리한 Au(111) 기판을 dipyridinium dithioacetate 1mol/ml 농도로 자기조립 하였으며, 자기조립막의 표면 구조를 STM으로 관찰하였다. dipyridinium dithioacetate의 전기적 특성은 STM 탐침-유기단분자막-Au(111) 기판의 수직구조로 STS를 이용하여 조사하였다. 전압과 전류 측정에서 전압이 증가함에 따라 전류가 감소하는 부성 미분저항(NDR)의 특성이 관찰 되었다. NDR 수치가 $-545\;[m\Omega/cm^2]$였고, PVCR은 1.64:1 이었다.

• 대한전자공학회논문지TE
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• 제37권2호
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• pp.1-5
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• 2000

금속이온 농도를 변화시켰을때의 IMI-O 고분자 LB막에 대한 단분자막의 거동과 MIM구조의 LB막 소자에 대한 전기 특성 및 유전 특성을 조사하였다. π-A 등온선의 측정에서 금속 이온 농도가 증가함에 따라 단분자가 차지하는 극한 단면적이 증가하였다. 이러한 변화는 금속이온 농도 변화에 따른 금속이온의 강도 증가에 의한 단분자막의 거동의 차이에 의한 것으로 생각된다. 전압-전류 특성에서 ohmic 영역의 기울기로부터 구한 전기전도도는 금속 이온의 농도가 증가할 수록 증가하였다. 이것은 전개분자와 금속이온간의 결합에 의한 극한 단면적의 변화가 전기전도도에 직접적인 관계가 있기 때문으로 생각된다. 한편, 유전 특성에서 금속이온의 농도가 증가할 수록 허수부 유전율이 최대가 되는 주파수 역시 증가하였다. 따라서 금속이온의 증가에 의해 완화시간 γ가 감소되는 것을 알 수 있었다.

• 한국소성가공학회:학술대회논문집
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• 한국소성가공학회 2005년도 추계학술대회 논문집
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• pp.83-86
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• 2005

In this study, SAM (self-assembled monolayer) was applied as an anti-adhesion layer in the nano molding process, to reduce the surface energy between the nano-stamper and the moldeded polymeric nano patterns. Before depositing SAM on the stamper, the nickel stamper was pretreated to remove oxide on the nickel stamper surface. Then, using the solution deposition method, alkanethiol SAM as an anti-adhesion layer was deposited on nickel surface. To examine the effectiveness of the SAM deposition on the metallic nano stamper, the contact angle and the lateral friction force were measured at the actual processing temperature and pressure for the case of nano compression molding and at the actual UV dose for the case of nano UV molding. The surface energy due to SAM deposition on the nickel nano stamper markedly decreased and the high hydrophobic quality of SAM on the nickel stamper maintained under the actual molding environments.

• 공업화학
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• 제23권3호
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• pp.289-292
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• 2012

용액공정이 가능한 저분자 유기반도체, triethylsilylethynyl anthradithiophene (TES ADT)을 기반으로 한 유기박막 트랜지스터에서 금 전극의 일함수를 제어하기 위해 표면을 자기조립 단분자막(self-assembled monolayers, SAMs)으로 개질하였다. Benzothiol (BT)과 pentafluorobenzothiol (PFBT) 자기조립 단분자막을 이용해 금 전극의 일함수를 조절하고 이를 통해 TES ADT의 HOMO 준위에 대한 정공주입장벽을 최소화 하고자 하였다. 또한, solvent annealing 후처리 공정을 통해 TES ADT 박막의 결정성을 향상시켰고, 이를 PFBT로 개질된 금 전극을 기반으로 한 유기박막 트랜지스터에 적용한 경우 $0.05\;cm^2/Vs$의 높은 전계효과 이동도와 $10^6$의 높은 점멸비를 보고하였다.

• 한국정밀공학회:학술대회논문집
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• 한국정밀공학회 2005년도 추계학술대회 논문집
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• pp.326-329
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• 2005

As a flexible method to fabricate sub-micrometer patterns, Focused Ion Beam (FIB) instrument and Self-Assembled Monolayer (SAM) resist are introduced in this work. FIB instrument is known to be a very precise processing machine that is able to fabricate micro-scale structures or patterns, and SAM is known as a good etch resistance resist material. If SAM is applied as a resist in FIB processing fur fabricating nano-scale patterns, there will be much benefit. For instance, low energy ion beam is only needed for machining SAM material selectively, since ultra thin SAM is very sensitive to $Ga^+$ ion beam irradiation. Also, minimized beam spot radius (sub-tens nanometer) can be applied to FIB processing. With the ultimate goal of optimizing nano-scale pattern fabrication process, interaction between SAM coated specimen and $Ga^+$ ion dose during FIB processing was observed. From the experimental results, adequate ion dose for machining SAM material was identified.