• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.02a
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• pp.175-175
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• 2010

이전 연구에서는 사파이어 기판 위에 이종에피성장 방법으로 성장한 높은 인듐 조성의 극박 InGaN/GaN 다층 양자우물 구조를 이용한 근 자외선 (near-UV) 영역의 광원에 대하여 보고하였다. 본 연구에서는 HVPE (Hydride Vapor Phase Epitaxy) 법을 이용하여 성장된 free-standing GaN 기판 위에 유기금속 화학증착법 (MOCVD) 을 이용하여 GaN 동종에피박막과 높은 인듐 조성의 InGaN/GaN 다층 양자우물을 성장하였고 그 특성을 분석하였다. Free-standing GaN 기판은 표면 조도가 0.2 nm 인 평탄한 표면을 가지며 $10^7/cm^2$ 이하의 낮은 관통전위밀도를 가진다. Freestanding GaN 기판 위에 성장 온도와 V/III 비율을 조절하여 GaN 동종에피박막을 성장하였다. 또한 100 nm 두께의 동종 GaN 박막을 성장한 후에 활성층으로 이용될 높은 인듐 조성의 InGaN/GaN 다층 양자우물구조를 성장하였다. Free-standing GaN 기판 위에 성장된 GaN 동종에피박막과 다층 양자우물구조의 표면 형상은 주사 탐침 현미경 (scanning probe microscopy, SPM) 을 이용하여 관찰하였고 photoluminescence (PL) 측정과 cathodoluminescence (CL) 측정을 통하여 광학적 특성을 확인하였다. 사파이어 기판 위에 성장된 2 um 의 GaN을 이용하여 성장된 높은 인듐 조성의 InGaN/GaN 다층 양자우물의 결함밀도는 $2.5 \times 10^9/cm^2$ 이지만 동일한 다층 양자우물구조가 free-standing GaN 기판 위에 성장되었을 경우 결함 밀도는 $2.5\;{\times}\;10^8/cm^2$로 감소하였다. Free-standing GaN 기판의 관통전위 밀도가 $10^7/cm^2$ 이하로 낮기 때문에 free-standing GaN 기판에 성장된 높은 인듐 조성의 다층 양자우물구조의 결함밀도가 GaN/sapphire 에 성장된 다층 양자우물의 결함밀도 보다 감소했음을 알 수 있다. Free-standing GaN 기판에 성장된 다층 양자 우물은 성장온도에 따라 380 nm 에서 420 nm 영역의 발광을 보이며 PL 강도도 GaN/sapphire 에 성장한 다층 양자우물의 PL 강도 보다 높은 것을 확인할 수 있다. 이것은 free-standing GaN 기판에 성장된 높은 인듐 조성의 InGaN/GaN 다층 양자우물구조의 낮은 결함밀도로 인하여 활성층의 발광 효율이 개선된 것임을 보여준다.

• Proceedings of the International Microelectronics And Packaging Society Conference
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• 2002.11a
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• pp.67-67
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• 2002

패키지 기술의 개발은 저비용, 고성능, 높은 패키징 효율의 추세로 가고 있다. 이러한 추세에 따라 기판재료의 개발 및 구조의 변형이 요구된다. 패키지의 한 형태인 MCM(Multi-Chip Module)에 연성기판을 사용할 경우 fine pattern이 가능하고 부피가 작기 때문에 패키지의 효율이 좋고 또한 reel to reel process에 적용이 가능하기 때문에 대량생산의 이점을 가지고 있다. 연성기판은 좋은 전기적 특성을 가진 polyimide와 구리 층으로 구성된다. 그러나 polyimide와 구리 계층 사이에 약한 접착력과 구리로의 polyamic acid의 diffusion, 다층 기판의 제조의 어려움 등의 문제점을 남겨두고 있다. 본 연구는 일반적인 polyimide/copper가 구조가 가지고 있는 문제점을 해결하고 구리 패턴을 제작하기 위해 에칭을 쓰는 것을 배제함으로 fine pattern을 이루어 내었으며 전기도금으로 완전하게 채워진 pluged via을 사용함으로 각층간의 연결에 신뢰성을 부여하였다. 또한, 연성기판의 구조적인 문제점인 해결하여 다층 연성기판을 제조하려고 한다.

• Composites Research
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• v.32 no.6
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• pp.314-318
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• 2019

A simple and very flexible automatic dipping machine was constructed for producing functional multilayer films on wide substrates via the layer-by-layer (LbL) assembly technique. The proposed machine exhibits several features that allow a fully automated coating operation, such as various depositing recipes, control of the dipping depth and time, operating speed, and rinsing flow, air-assist drying nozzles, and an operation display. The machine uniformly dips a substrate into aqueous mixtures containing complementary (e.g., oppositely charged, capable of hydrogen bonding, or capable of covalent bonding) species. Between the dipping of each species, the sample is spray cleaned with deionized water and blow-dried with air. The dipping, rinsing, and drying areas and times are adjustable by a computer program. Graphene-based thin films up to ten-bilayers were prepared and characterized. This film exhibits the highly filled multilayer structures and low thermal resistance, indicating that the robotic dipping system is simple to produce functional thin film coatings with a variety of different layers.

• Proceedings of the IEEK Conference
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• 2003.07a
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• pp.362-365
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• 2003

본 논문에서는 세라믹 테잎의 적층 공정을 이용하는 LTCC(Low Temperature Co-fired Ceramics) 공정을 이용하여 FBAR duplexer 의 패키징을 위한 다층기판을 구현하였다. 구현된 다층기판에는 stripline 구조의 전송선로를 이용한 인덕터 및 위상 천이기를 내장 시키게 되는데, 인덕터의 경우 길이 변수를 통한 인덕턴스의 변화 추이를, 위상 천이기의 경우 선 폭 변수를 통한 특성 임피던스의 변화 추이를 통해 각 개별 소자에 대한 설계·제작·측정을 하였고 추출한 데이터를 실제 회로 설계 시 적용하였다.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.12 no.3
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• pp.182-192
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• 2003

A new Monte Carlo (MC) simulator for electron beam lithography process in the multi-layer resists and compound semiconductor substrates has been developed in order to fabricate and develop the high-speed PHEMT devices for millimeter-wave frequencies. For the accurate and efficient calculation of the transferred and deposited energy distribution to the multi-component and multi-layer targets by electron beams, we newly modeled for the multi-layer resists and heterogeneous multi-layer substrates. By this model, the T-shaped gate fabrication process by electron beam lithography in the PHEMT device has been simulated and analyzed. The simulation results are shown along with the SEM observations in the T-gate formation process, which verifies the new model in this paper.

• Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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• v.7 no.6
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• pp.1106-1115
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• 2006

In this paper, the transmission characteristics and equivalent circuit model of microstrip transmission line having defected ground structure (DGS) in multilayer substrates are described fur high frequency region. In order to perform the study, the second dielectric layer is attached additionally onto the bottom(ground) plane of the basic DGS microstrip line consisted of the microstrip line and DGS. The dielectric constant and thickness of the second dielectric layer are adjusted to get various transmission characteristics and model parameters, and to analysis the effect of the second dielectric layer ultimately. According to this paper, the effect and equivalent circuits due to the attached dielectric substrate are verified separately, and this is expected to be applied to high frequency circuit design in the future.

• Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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• v.11 no.4 s.33
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• pp.1-5
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• 2004

A multi-layer flexible substrate is composed of copper(Cu)/polyimide that are known as good electrical conductivity, and low dielectric constant, respectively. In this study. conductor line of $5{\mu}m$-pitch was successfully fabricated without non-uniform pattern shape by electroplating copper and coating polyimide on patterned stainless steel. For multi-layer flexible substrate, via holes were drilled by UV laser and filled with electroplating copper and tin. And then, the PI layer with vias and conductor lines was stripped from stainless steel substrate. The PI layers were laminated at once with careful alignment between layers. Solid state reaction between tin and copper during lamination formed the intermetallic compounds of $Cu_6Sn_5$($\eta$-phase) and $Cu_3Sn$($\epsilon$-Phase) and achieved a complete inter-connection by vertically positioning the plugged via holes on via pad. The via formation process has several advantages; such as better electrical property and lower cost than V type via and paste via.

• Journal of IKEEE
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• v.25 no.1
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• pp.37-41
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• 2021

In this paper, a low-profile and broadband bowtie antenna using multi-layer substrate for UWB sensor application is presented. A compact bowtie antenna is designed and implemented on two multi-layered substrate with total thickness of 4.5 mm. The antenna consists of bowtie radiator and planar-type balun. The designed radiator and balun are connected to each other so that it can be easily implemented in various structures. The implemented antenna provides 3 to 6 dBi of gain for whole frequency range from 6.8 to 10 GHz.

• Journal of the Korean Magnetics Society
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• v.13 no.6
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• pp.243-245
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• 2003

The anomalous angular modulation of magnetoresistance in Co/Cu multilayers is explained assuming substrate-induced magnetic anisotropy. The magnetic parameters of Co/Cu multilayers is determined using angular modulation of magnetoresistance and theoretical model including substrate-induced anisotropy. This mechanism introduces a new possible way of modulating the giant magnetoresistance.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2013.02a
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• pp.384-384
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• 2013

본 연구에서는 e-beam 증착을 이용하여 Al, Mg 단일 금속으로 다층형 Al-Mg 코팅층을 제조하여 특성 분석 및 내식성을 평가하였다. Al-Mg 코팅층은 99.99%의 Al, 99.9%의 Mg grain을 사용하여 E-Beam 가열을 통해 냉연강판 위에 코팅하였다. 증발물질과 기판과의 거리는 48 cm이며, 기판은 세척을 실시한 후 진공 챔버에 장착하고 ~10-5 Torr 까지 진공배기를 실시하였다. 진공챔버가 기본 압력까지 배기되면 아르곤 가스를 주입하고 기판홀더에 800 V의 직류 전압을 인가하여 약 30분간 글로우 방전 청정을 실시하였다. 기판의 청정이 끝나면 아르곤 가스를 차단하고 코팅층의 구성형태에 따라 Al 또는 Mg을 코팅하였다. 다층형 Al-Mg 코팅층은 2층에서 최대 6층까지 제조하였으며 $3{\mu}m$의 두께를 기준으로 Al과 Mg 코팅층의 두께비가 각각 1:1 과 2:1이 되도록 코팅하였다. 6층 이상에서는 코팅층의 두께 제어가 쉽지 않기 때문에 층수는 6층으로 제한하였다.다층형 Al-Mg 코팅층을 주사전자현미경으로 관찰한 결과, Al-Mg 코팅층간의 계면을 관찰할 수 있었다. 또한 글로우방전분광기로 Al-Mg 코팅층을 관찰한 결과, Al과 Mg 코팅층이 균일한 다층 구조를 형성하고 있는 것을 확인할 수 있었다. 다층의 Al-Mg가 코팅된 강판을 염수분무시험을 통해서 내부식 특성을 확인하였다. Al-Mg 코팅 강판의 염수분무시험 결과, Al-Mg 코팅층의 층수가 증가할 수록 내부식 특성이 향상되는 것을 확인할 수 있었으며, 이러한 현상은 Al-Mg 코팅층이 다층으로 형성되어 있어 부식 생성물을 효과적으로 차단하여 강판의 부식을 방지한 것으로 판단된다.