• 제목/요약/키워드: 다중양자우물

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수소화 처리에 의한 GaAs/AIGaAs 다중양자우물의 PL 연구 (Photoluminescence study in GaAs/AlGaAs multi-quantum well structure by hydrogen passivation)

  • 박세기;이천;정민
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 1997년도 추계학술대회 논문집
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    • pp.468-472
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    • 1997

  • The effect of the surface state on the quantum efficiency of underlying GaAs/AlGaAs multi-quantum well(MQW) structures consisting of three GaAs quantum wells with different thickness, is studied by low temperature photoluminescence(PL). The structure was grown by molecular beam epitaxy(MBE) on (100) GaAs substrate. The thickness of three GaAs quantum wells was 3, 6 and 9 nm, respectively. The MQWs were placed apart from 50 nm AlGaAs edge-barriers including two inner-barriers with 15 nm in thickness. The samples used in this study were prepared with different growth temperatures. Particularly, the hydrogen passivation effect to the 9 nm quantum well located at near surface appeared much stronger than any others. Transition energy and optical gain related to the hydrogen passivation effects on the multi-quantum well structure was calculated by transfer matrix method.

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저장벽 양자우물고조와 비대칠 패브리-페로 공명기 구조에 의한 고성능 $2{\times}4$ S-SEED Array 구현 (High Performance $2{\times}4$ S-SEED Array with Extremely Shallow Quantum Well and Asymmetric Fabry-Peort Cavity Structure)

  • 권오균;최영완;김광준;이일항;이상훈;원용협;유형모
    • 한국광학회지
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    • 제5권1호
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    • pp.144-151
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    • 1994

  • GaAs/Al0.04Ga0.96As 다중양자우물 구조를 이용한 반사형 PIN 다이오우드 S-SEED의 설계에 있어 낮은 동작전압, 높은 포화에너지 및 높은 반사율 on/off 강도비를 얻고자 저장벽 양자우물구조와 비대칭 페브리페로 공명구조를 결합하였다. $2{\times}4$array를 구성하는 S-SEED들은 역방향 동작전압 5V에서 평균적으로 13 이상의 반사율 on/off 강도비 (CR)와 약 24%의 반사율차 (ΔR) 및 91% 이상의 광쌍안정폭 (Δ)을 나타내었다. 공명구조를 이용함으로서 PIN 다이오우드 진성영역내의 양자우물의 주기수를 줄일 수 있어 외부동작전압 없이도 CR~4.7, R~9.2, ~22%의 향상된 무전압 광쌍안정 동작특성을 얻었다.

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열처리 온도에 의한 디지털 합금 InGaAlAs 다중양자우물의 발광특성 변화

  • 조일욱;변혜령;류미이;송진동
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2013년도 제44회 동계 정기학술대회 초록집
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    • pp.414-414
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    • 2013

  • InGaAlAs/InP은 $1.3{\sim}1.55{\mu}m$ 레이저 다이오드 응용을 위한 InGaAsP/InP를 대체하기 위한 물질로 많은 관심을 받아왔다. 디지털 합금 InGaAlAs 다중양자우물(multiple quantum wells: MQWs) 시료는 MBE (molecular beam epitaxy) 장비를 이용하여 n-InP 기판 위에 성장하였다. 양자우물과 장벽은 각각 (InGaAs)0.8(InAlAs)0.2와 (InGaAs)0.4(InAlAs)0.6 SPSs (short-period superlattices)로 $510^{\circ}C$에서 성장하였다. 발광특성을 향상시키기 위하여 질소분위기에서 $700^{\circ}C$ $750^{\circ}C$ 또는 $800^{\circ}C$에서 30초간 열처리(rapid thermal annealing: RTA)하였다. RTA 온도에 따른 디지털 합금 InGaAlAs MQWs의 발광특성을 분석하기 위해 PL (photoluminescence)과 TRPL(time-resolved PL)을 이용하였다. RTA 온도에 따른 InGaAlAs MQWs 시료의 발광 메카니즘 및 운반자 동력학을 연구하기 위하여 발광파장 및 온도에 따른 TRPL을 측정하였다. 저온(10 K)에서 PL 피크는 RTA 온도를 $700^{\circ}C$에서 $750^{\circ}C$로 증가하였을 때 1,242 nm에서 1,245 nm로 장파장 영역으로 이동하였다가 $800^{\circ}C$에서 열처리하였을 때 단파장 영역으로 이동하여 1,239 nm에서 나타났다. 또한 PL 세기는 RTA 온도를 증가함에 따라 증가함을 보이다가 RTA 온도를 $800^{\circ}C$로 증가하였을 때 PL 세기는 감소하였다. 발광소자 개발을 위한 InAlGaAs MQWs 시료의 최적의 열처리 조건을 이러한 PL과 TRPL 결과로부터 결정할 수 있다.

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$Al_{0.3}$$Ga_{0.7}$As/GaAs 다중 양자 우물 구조의 표면 광전압에 관한 연구 (Surface Photovoltage of $Al_{0.3}$$Ga_{0.7}$As/GaAs Multi-Quantum Well Structures)

  • 이정열;김기홍;손정식;배인호;김인수;박성배
    • 한국전기전자재료학회논문지
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    • 제13권1호
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    • pp.21-27
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    • 2000

  • We used the surface photovoltage spectroscopy(SPVS) for characterization of GaAs/Al\ulcornerGa\ulcornerAs multi-quantum well(MQW) structures grown by molecular beam epitaxy(MBE) method. Energy gap related transitions in GaAs and AlGaAs were observed. The Al composition(x=0.3) was determined by Sek's composition formula. Transition energies in MQW were determined using the differential surface photo-volatage spectroscopy)DSPVS) of the measured resonanced. In order to indentify the transitions, the experimentally observed energies were compared with results of the envelope function approximation for a rectangular quantum well. We have observed and interesting behavior of the temperature dependence(80K~300K) of the 11Hand 11L transition for sample.

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InGaN/GaN 양자우물층 위에 제작된 460nm 격자의 GaN 나노박막 광결정 특성

  • 최재호;김근주
    • 한국반도체및디스플레이장비학회:학술대회논문집
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    • 한국반도체및디스플레이장비학회 2006년도 춘계학술대회
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    • pp.127-130
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    • 2006

  • 사파이어 기판위에 MOCVD (metal organic chemical vapor deposition)를 이용하여 8주기의 InGaN/GaN 다중양자우물(multiple quantum well : MQW)구조가 성장되어졌고 이 구조 위에 p-GaN층이 형성됐다. 다시 p-GaN 위에 200nm의 두께를 갖는 PMMU 박막을 도포하고 electron beam lithography system을 이용하여 직경이 150nm가 되도록 나노단위의 삼각격자 구조를 가진 구멍을 패턴하고 inductively coupled plasma(ICP)를 이용하여 식각을 하여 광결정을 제작하였다. 광결정은 두께가 26nm이고 격자간격은 460nm로서 파장이 450nm인 파란빛을 나노회절 시켜서 photoluminescence(PL)의 세기를 강화시킨다.

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광대역 피코셀 응용을 위한 다중양자우물 광전흡수 변조기 (A Multiple Quantum Well Electro-absorption Modulator for Broadband Picocell Applications)

  • 송주빈
    • 한국항행학회논문지
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    • 제8권2호
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    • pp.91-97
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    • 2004

  • 본 논문은 수직 구조와 고성능 특성을 가진 InGaAsP 다중양자우물(MQW; Multiple Quantum Well) 비대칭 페브리페롯 변조기(AFPM; Asymmetric Fabry-Perot Modulators)에 관한 연구결과로써 광대역 동작특성과 저가격이 요구되는 피코셀과 같은 차세대 광대역 무선통신 시스템에 응용 가능성을 제안하고자 한다. 이 AFPM은 <-2V 동작전압과 광섬유와 간단히 결합되어 결합손실이 3dB 내외인 장점과 -3dB 주파수응답 특성이 10GHz인 특성을 보이므로 광대역 및 다중 무선서비스가 요구되는 시스템에 적용 가능할 것으로 기대된다. 이를 위한 간단한 링크실험 결과 92dB/Hz의 SFDR(Spurious Free Dynamic Range)과 약 40dB의 IMD(Inter-Modulation Distortion)의 결과를 보였다.

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