• 제목/요약/키워드: 다이 본딩

검색결과 26건 처리시간 0.023초

반도체 제조공정의 조립자동화 기술

  • 변증남;유범재;오상록;김정덕
    • 전기의세계
    • /
    • 제39권6호
    • /
    • pp.42-49
    • /
    • 1990
  • 반도체 조립과 관련하여 다이본딩 시스템, 와이어본딩 시스템 및 인라인 시스템의 구성 및 기능을 살펴보고, 자동화를 위해 필요한 관리제어, 시각처리 및 통신에 대하여 간략하게 알아보고자 한다.

  • PDF

Integrated Machine Vision을 이용한 LED Die Bonder 검사시스템 (LED Die Bonder Inspection System Using Integrated Machine Visions)

  • 조용규;하석재;김종수;조명우;최원호
    • 한국산학기술학회논문지
    • /
    • 제14권6호
    • /
    • pp.2624-2630
    • /
    • 2013
  • LED 칩 패키징에서 다이 본딩은 분할된 칩을 리드 프레임에 고정시켜 칩이 이후 공정을 견딜 수 있도록 충분한 강도를 제공하는 중요한 공정이다. 다이본딩 공정 중에서, 측정 단계는 정확한 에폭시 토출 위치 지정과 충분한 강도를 가지고 접합할 수 있도록 다이가 정확한 위치에 놓여있는지 상태를 결정하는데 있어 매우 중요하다. 본 연구에서는 LED 다이 본딩을 위한 머신 비전 기반의 측정 시스템을 개발하였다. 제안된 시스템에서 에폭시 토출과 어태칭 상태 검출을 위해 각각 2개의 카메라를 사용하였다. 제안된 측정 시스템에 새로운 비전 알고리즘을 적용하였고, 실험을 통해 본 알고리즘의 효율을 검증하였다. 비전 알고리즘을 이용하여 측정된 위치 오차는 $X:-29{\mu}m$, $Y:-32{\mu}m$, 회전오차는 3도 이내 인 것을 확인할 수 있었다. 결론적으로 제안된 머신 비전 기반의 측정 시스템을 통해 개발된 다이 본딩 시스템의 향상된 성능을 확인하였다.

질화갈륨 고출력 트랜지스터 패키지의 성능 최적화 (Optimization of Performances in GaN High Power Transistor Package)

  • 오성민;임종식;이용호;박천선;박웅희;안달
    • 한국산학기술학회논문지
    • /
    • 제9권3호
    • /
    • pp.649-657
    • /
    • 2008
  • 본 논문은 트랜지스터 다이, 칩 커패시터, 커패시터와 트랜지스터 다이를 연결하는 와이어 본딩으로 구성된 질화갈륨 고출력 트랜지스터 패키지에 있어서, 그 출력 성능의 최적화에 대하여 언급한다. 와이어 본딩 방법에 따른 출력 전력의 최적화된 결과와, 와이어 본딩과 바이어스 조건에 따른 3차 상호변호 특성 최적화 등이 기술되어 있다. 또한 본 논문에는 제한된 면적내의 고출력 트랜지스터 패키지에서 와이어 본딩으로 구현된 인덕턴스에 따라 얼마나 그 출력 성능이 민감하게 반응하는지를 시뮬레이션을 통하여 제시하고 있다.

반응표면분석법을 이용한 LED Die Bonding 공정능력 최적화 (Process Capability Optimization of a LED Die Bonding Using Response Surface Analysis)

  • 하석재;조용규;조명우;이광철;최원호
    • 한국산학기술학회논문지
    • /
    • 제13권10호
    • /
    • pp.4378-4384
    • /
    • 2012
  • LED 칩 패키징에서 다이 본딩은 웨이퍼에서 분할된 다이를 리드 프레임에 접착제로 고정시켜 칩이 다음 공정을 견딜 수 있는 충분한 강도를 제공하는 중요한 공정이다. 본 논문에서는 PLCC 구조 LED 패키지 프레임에 소형 제너 다이오드를 부착하는 다이 본딩 공정능력의 최적화를 위하여 공정에 영향을 미치는 여러 인자를 분석하여 반응표면분석법을 적용하여 그 결과를 도출하였다. 인자를 분석하여 5인자 3수준 4반응치를 고려하여 실험계획법을 수립하였으며, 그 결과 모든 반응치의 목표를 만족하는 최적 조건을 확보할 수 있었다.

COG 플립칩 본딩 공정조건에 따른 Au-ITO 접합부 특성

  • 최원정;민경은;한민규;김목순;김준기
    • 한국재료학회:학술대회논문집
    • /
    • 한국재료학회 2011년도 춘계학술발표대회
    • /
    • pp.64.1-64.1
    • /
    • 2011
  • LCD 디스플레이 등에 사용되는 글래스 패널 위에 bare si die를 직접 실장하는 COG 플립칩 패키지의 경우 Au 범프와 ITO 패드 간의 전기적 접속 및 접합부 신뢰성 확보를 위해 접속소재로서 ACF (anisotropic conductive film)가 사용되고 있다. 그러나 ACF는 고가이고 접속피치 미세화에 따라 브릿지 형상에 의한 쇼트 등의 문제가 발행할 수 있어 NCP (non-conductive paste)의 상용화가 요구되고 있다. 본 연구에서는 NCP를 적용한 COG 패키지에 있어서 온도, 압력 등의 열압착 본딩 조건과 NCP 물성이 Au-ITO 접합부의 전기적 및 기계적 특성에 미치는 영향을 조사하였다. NCP는 에폭시 레진과 경화제, 촉매제를 사용하여 다양하게 포뮬레이션을 하였고 DSC (Differential Scanning Calorimeter), TGA (Thermogravimetric Analysis), DEA (Dielectric Analysis) 등의 열분석장비를 이용하여 NCP의 물성과 경화 거동을 확인하였다. 테스트 베드는 면적 $5.2{\times}7.2\;mm^2$, 두께 650 ${\mu}m$, 접속피치 200 ${\mu}m$의 Au범프가 형성된 플립칩 실리콘 다이와 접속패드가 ITO로 finish된 글래스 기판을 사용하였다. 글래스 기판과 실리콘 칩은 본딩 전 PVA Tepla사의 Microwave 플라즈마 장비로 Ar, $O_2$ 플라즈마 처리를 하였으며, Panasonic FCB-3 플립칩 본더를 사용하여 본딩하였다. 본딩 후 접합면의 보이드를 평가하고 die 전단강도로 접합강도를 측정하였다.

  • PDF

ABL 범프를 이용한 마이크로 플립 칩 공정 연구 (Study of micro flip-chip process using ABL bumps)

  • 마준성;김성동;김사라은경
    • 마이크로전자및패키징학회지
    • /
    • 제21권2호
    • /
    • pp.37-41
    • /
    • 2014
  • 차세대 전자 소자 기술에서 전력전달은 소자의 전력을 낮추고 발열로 인한 문제 해결을 위해서 매우 중요한 기술로 대두되고 있다. 본 연구에서는 직사각형 ABL 전력 범프를 이용한, Cu-to-Cu 플립 칩 본딩 공정의 신뢰성 문제에 대해 살펴보았다. 다이 내 범프 높이 차이는 전기도금 후 CMP 공정을 진행했을 경우 약 $0.3{\sim}0.5{\mu}m$ 이었고, CMP 공정을 진행하지 않았을 경우는 약 $1.1{\sim}1.4{\mu}m$으로 나타났다. 또한 면적이 큰 ABL 전력 범프가 입출력 범프 보다 높이가 높게 나타났다. 다이 내 범프 높이 차이로 인해 플립 칩 본딩 공정 시 misalignment 문제가 발생하였고, 이는 본딩 quality 에도 영향을 미쳤다. Cu-to-Cu 플립 칩 공정을 위해선 다이 내 범프 높이 균일도와 Cu 범프의 평탄도 조절이 매우 중요한 요소라 하겠다.

반응 표면 분석법을 이용한 Light Emitting Diode(LED) wire bonding 용 Ball Bonding 공정 최적화에 관한 연구 (Process Capability Optimization of Ball Bonding Using Response Surface Analysis in Light Emitting Diode(LED) Wire Bonding)

  • 김병찬;하석재;양지경;이인철;강동성;한봉석;한유진
    • 한국산학기술학회논문지
    • /
    • 제18권4호
    • /
    • pp.175-182
    • /
    • 2017
  • 본 와이어 본딩은 발광 다이오드의 패키징 공정에서 매우 중요한 공정으로 금 와이어를 이용하여 발광 다이오드 칩과 리드 프레임을 연결함으로써 다음 공정에서의 전기적 작동을 가능하게 한다. 와이어 본딩 공정은 얇은 금속선을 연결하는 공정으로 열 압착 본딩(thermo compression bonding)과 초음파 본딩(ultra sonic bonding)이 있다. 일반적인 와이어 본딩 공정은 LED 칩 상부 전극 부위에 볼 모양의 본딩을 진행하는 1st ball bonding 공정, loop를 형성하여 다른 전원 연결부위로 wire를 늘어뜨리는 looping 공정, 다른 전극 부위 상부에 stitch를 형성하여 bonding 하는 2nd stitch bonding으로 구분된다. 본 논문에서는 발광 다이오드 다이 본딩 공정에 영향을 주는 다양한 공정 변수에 대하여 분석을 수행하였다. 그리고 반응 표면 분석법을 통하여 Zener 다이오드 칩과 PLCC 발광 다이오드 패키지 프레임을 연결하는 공정 최적화 결과를 도출하였다. 실험 계획법은 5인자, 3수준에 대하여 설정하였으며 4가지 반응에 대하여 인자를 분석하였다. 결과적으로 본 연구에서는 모든 목표에 맞는 최적 조건을 도출하였다.

AuSn 솔더를 사용한 반도체 레이저의 본딩 (Semiconductor Laser diode Die bonding Using AuSn solder)

  • 최상현;배형철;허두창;한일기;조운조;최원준;박용주;이정일;이천
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
    • /
    • 한국전기전자재료학회 2003년도 춘계학술대회 논문집 디스플레이 광소자분야
    • /
    • pp.203-205
    • /
    • 2003
  • 레이저 다이오드를 p-side-down 방식으로 본딩하기 위하여 AuSn 솔더합금을 증착한 후 온도와 압력, 시간을 변화시켜 본딩상태를 조사하였다. CuW위에 adhsion layer와 확산방지층을 각각 $500{\AA}$$2000{\AA}$을 증착하였으며 솔더층으로 AuSn을 $2.6{\mu}m$ 증착 하였다. 열처리는 질소 분위기에서 행하였으며, 표면의 거칠기는 AFM으로 측정하였다.

  • PDF

Zn-Sn계 고온용 무연솔더를 이용한 Si다이접합부의 접합특성 및 열피로특성 (Joining properties and thermal cycling reliability of the Si die-attached joint with Zn-Sn-based high-temperature lead-free solders)

  • 김성준;김근수;스가누마카츠아키
    • 대한용접접합학회:학술대회논문집
    • /
    • 대한용접접합학회 2009년 추계학술발표대회
    • /
    • pp.72-72
    • /
    • 2009
  • 전자부품의 내부접속 및 파워반도체의 다이본딩과 같은 1차실장에는 고온환경에서의 사용과 2차실장에서의 재용융방지를 위해 높은 액상선온도 및 고상선온도를 필요로 하여, Pb-5wt%Sn, Pb-2.5wt%Ag로 대표되는 납성분 85%이상의 고온솔더가 널리 사용되고 있다. 생태계와 인체에 대한 납의 유해성이 보고된 이래, 무연솔더에 대한 연구가 활발히 진행되어 왔으나, Sn-Ag-Cu계로 대표되는 Sn계 합금으로 대체 중인 중온용 솔더와는 달리, 고온용 솔더에 대해서는 대체합금에 대한 연구가 미흡한 실정이다. 대체재의 부재로 인해 기존의 납을 다량함유한 솔더로 1차실장이 지속됨으로서, 2차실장의 무연화에도 불구하고 전자부품 및 기기의 재활용에 큰 어려움을 겪고 있다. 지금까지 고온용 무연솔더로서는 융점에 근거해 Au-(Sn, Ge, Si)계, Bi-Ag계, Zn-(Al, Sn)계의 극히 제한된 합금계만이 보고되어 왔다. Au계 솔더는 현재 플럭스를 사용하지 않는 광학, 디스플레이 분야 등 고부가가치 공정에 사용되고 있으나, 합금가격이 매우 비싸며 가공성이 나빠 대체재료로서는 적합하지 않다. Bi-Ag계 솔더 또한 취성합금으로 와이어 및 박판으로 가공하는데 어려움이 크며, 솔더로서 중요한 특성중 하나인 전기전도도 및 열전도도가 나쁜 편이다. 이에 비해, Zn계 합금은 비교적 낮은 합금가격, 적절한 가공성과 뛰어난 인장강도, 우수한 전기전도도 및 열전도도를 지녀, 고온용솔더 대체재료의 유력한 후보로 생각된다.이전 연구에서, 필자의 연구그룹은 Zn-Sn계 합금을 고온용 무연솔더로서 제안한 바 있다. Zn-Sn계 합금은 충분히 높은 융점과 함께, 금속간화합물이 없는 미세조직, 우수한 기계적 특성, 높은 전기전도도 및 열전도도 등의 장점을 나타내었다. 본 연구에서는 기초합금특성상 고온솔더로서 다양한 장점을 지닌 Zn-30wt%Sn합금을 고온용 솔더의 대표적인 적용의 하나인 다이본딩에 적용하여, 접합부의 강도 및 미세조직, 열피로 신뢰성에 대해 분석을 함으로서 실제 공정에의 적용가능성에 대해 검토하였다. Zn-30wt%Sn을 이용해 Au/TiN(Titanium nitride) 코팅한 Si다이를 AlN-DBC(aluminum nitride-direct bonded copper)기판에 접합한 결과, 양측에 완전히 젖은 기공이 없는 양호한 다이접합부를 얻었으며, 솔더내부에는 금속간화합물을 형성하지 않았다. Si다이와의 계면에는 TiN만이 존재하였으며, Cu와의 계면에는 Cu로부터 $Cu_5Zn_8,\;CuZn_5$의 반응층을 형성하였다. 온도사이클시험을 통한 열피로특성평가에서, Zn-30wt%Sn를 이용한 다이접합부는 1500사이클 지점에서 Cu와 Cu-Zn금속간화합물의 사이에서 피로균열이 형성되며, 접합강도가 크게 감소하였다. 열피로특성 향상을 위해 Cu표면에 TiN코팅을 하여 Zn-30wt%Sn 솔더로 다이접합한 결과, Si다이와 기판 양측에 TiN만으로 구성된 계면을 형성하였으며, TEM관찰을 통해 Zn-30wt%Sn과 극히 미세한 접합계면이 형성하고 있음을 확인하였다. Zn-wt%30Sn솔더와 TiN층의 병용으로 2000사이클까지 미세조직의 변화 및 강도저하가 없는 극히 안정된 고신뢰성의 다이접합부를 얻을 수가 있었다.

  • PDF

다이 본딩 lamination head 열해석 (Thermal analysis of the Lamination Head for Die Bonding)

  • 황순호;이영림
    • 한국산학기술학회:학술대회논문집
    • /
    • 한국산학기술학회 2010년도 춘계학술발표논문집 2부
    • /
    • pp.981-984
    • /
    • 2010
  • 생산성 증가 및 비용 절감을 위해 반도체 공정 기술을 단순화 시키는 것이 필요하다. WBL(Wafer Backside Lamination) 기술을 이용해 필름(film) 형태로 얇은 다이접착제를 웨이퍼(wafer)에 접착하여 반도체 칩과 PCB를 붙이는 방법과 직접 PCB에 다이접착제를 붙이는 방법을 사용하면 획기적으로 공정을 단순화 시킬 수 있다. 하지만 Lamination 기법은 고온을 이용하여 모듈화된 PCB에 접착하므로 전도와 복사에 의해 주변 접착제 필름이 녹아 버리는 문제점이 발생한다. 본 연구에서는 고온으로 인한 필름 융해 현상을 방지하기 위하여 배크라이트를 설치하였으며 CFD 해석을 통해 PCB와 반도체 칩을 접착시킬 때 열이 PCB에 미치는 영향을 살펴보았다.

  • PDF