• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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• 2001.08a
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• pp.102-103
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• 2001

• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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• 2000.02a
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• pp.46-47
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• 2000

고출력, 고효율, 그리고 고품질의 빔특성을 갖는 DPSSL을 개발하기 위해서는 출력빔을 저하시키는 원인인 비균일한 여기빔 분포에 의한 레이저 결정내의 열렌즈, stress 복굴절 등의 효과를 최소화하여야 한다. 지금까지 열효과를 줄여, 고출력이나 TE $M_{00}$ 모드의 레이저 빔을 얻기위한 방법으로 zigzag 슬랩 디자인$^{1)}$ , VPS 여기 시스템$^{2)}$ , Cusp 형 반사체$^{(3)}$ , 광섬유 결합$^{(4)}$ 등의 방법이 연구되어 왔다. 본 연구에서는 고출력, 고효율, 그리고 고품질의 레이저 빔특성을 동시에 만족하는 레이저를 개발할 목적으로 산란된 여기빔을 이용하는 여기구조를 고안하고 열효과가 감소된 Nd:YAG 레이저 시스템을 최적설계하였다. (중략)략)

• The Optical Journal
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• v.12 no.1 s.65
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• pp.61-65
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• 2000

레이저 분야에서 각 제품군별로 국내 생산환경과 동향을 분석하고, 세계 시장 동향과 주력 아이템을 조사한 자료를 싣는다. 지난 호의 다이오드 여기 고체레이저 발진기, Lamp pumped 고출력 Nd:YAG 레이저 발생장치에 이어서 이번 호에는, 레이저 마이크로 머시닝, 암치료를 위한 레이저기기에 대해 다룬다. 한국광학기기협회가 주관하여 진행한 '레이저 발진기 및 응용시스템 기술개발에 관한 연구'의 기초 조사 자료 가운데 간추렸다. 이 자료는 조사처를 게

• The Optical Journal
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• v.11 no.6 s.64
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• pp.39-43
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• 1999

레이져 분야에서 각 제품군별로 국내 생산환경과 동향을 분석하고, 세계 시장 동향과 주력 아이템을 조사한 자료를 2회로 나누어 싣는다. 다이오드 여기 고체레이저 발진기, Lamp pumped 고출력 Nd:YAG 레이저 발생장치를 이번 호에 레이저 마이크로 머시닝, 암치료를 위한 레이저기기, 레이저마킹기를 다음 호에 다룬다. 한국광학기기협회가 주관하여 진행한 '레이저 발진기 및 응용시스템 기술개발에 관한 연구'의 기초 조사 자료 가운데 간추렸다. 이 자료는

• Korean Journal of Optics and Photonics
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• v.11 no.4
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• pp.289-293
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• 2000

Diode-laser-pumped Tm:YAG laser of wavelength $2.02\mu\textrm{m}$has been manufactured and its excitation efficiency and output characteristics have been investigated. The excitation efficiency was varied from 66 to 68% with respect to the pump power, yielding pump power absorption of 87-89%. The output power was sensitively varied with the temperature of Tm:YAG rod. When the concave output coupler with a focal length of 25 mm and a transmittance of 3% was used, the maximum output power reached up to 1.2 W. The slope and optical efficiency of this Tm: YAG laser was 29% and 20% at $6^{\circ}C$, respectively.tively.

• Korean Journal of Optics and Photonics
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• v.9 no.4
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• pp.231-235
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• 1998

Passively Q-switched, laser diode(LD) end-pumped Nd:YAG laser was demonstrated by using $Cr^{4+}$:YAG as a saturable absorber. In addition , we could calculate an excitation efficiency, which is an important parameter to evaluate the pumping geometry, directly by measuring the absorbed power in Nd:YAG at threshold condition. We found that output parameters such as average power, pulse duration, and repetition rate strongly depended on the low intensity transmission of $Cr^{4+}$:YAG and driving current of lase diode. The maximum Q-switched output power of 1 W was obtained with 40 kHz repetition rate. The pulse duration was varied from 50 ns to 200 ns.

• Korean Journal of Optics and Photonics
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• v.14 no.3
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• pp.292-297
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• 2003

A diode-pumped single-mode Nd:YV $O_4$ green laser was developed. Frequency doubling of the laser was achieved by using an intracavity KTP generated green beam (532 nm). By comparing the diode laser spectrum with absorption spectrum of the Nd:YV $O_4$ crystal, we found optimal operating temperature of the diode laser. From output power measured for various mirror curvatures and cavity lengths, we found the optimal matching of TE $M_{00}$ mode with the pump beam gives the best efficiency. When the pump power was 1.9 W, 80 ㎽ of TE $M_{00}$ mode green beam was obtained. We tried to get a single longitudinal mode lasing as the fluctuation of the laser power was caused by the shift of longitudinal modes and the beating between the modes. We tested the intracavity etalon method and birefringent filter method for single mode operation. The etalon method resulted in the best single mode output power of 60 ㎽. The power fluctuation of the single-mode laser was reduced to 1/10 of that of the multi-mode laser.

• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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• 1998.08a
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• pp.86-87
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• 1998

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 1994.11a
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• pp.97-97
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• 1994

Wide gap 반도체 중 하나인 GaN 에너지갭이 실온에서 3.4eV 이고 직접천이형 에너지대 구조를 가지므로 청색 및 자외영역의 파장을 발광하는 발광다이오드와 바도체 레이저 다이오드의 제작에유용한 재료이다. GaN계 III족 질화물반도체가 다파장용 광원으로서 유망함을 보인 것은 1970년대 초방의기초적 연구이다. 이로부터 약 25년이 경고한 현재 청색발광다이오드가 실용화당계에 이르게 되었지만 아직까지 전류주입에 의한 레이저발진은 보고되고있지 않다. 이 논문에서는 ALGaN/GaN이중이종접합(DH) 구조의 광여기에 의한 유도방출과 광학적 이득을 측정하므로서 전류주입에의한 레이저발진의 가능성을 조사하였다. 유기금속기상에피텍셜(MOVPE)법으로 성장한 ALGaN/GaN DH구조의 표면에 수직으로 펄스발진 질소레이저(파장:337.1nm, 주기:10Hz, 폭: 8nsec) 빔의 공출력밀도를 변화시키어 조사하고 시료의단면 혹은 표면으로부터 방출되는 광 스펙트럼을 측정하였다. 입상광밀도가 증가함에 따라 자연방출에 의한 발광피크보다 낮은 에너지에서 발광강도가 큰 유도방출에 의한 피크가 370nm의 파장에서 현저하게 나타났으며 실온에서 유동방출에 필요한 입사공밀도의 임계치는 약 89㎾/$\textrm{cm}^2$이었다. 이는 GaN 단독층에 대한 유동방출의 임계치 700㎾/$\textrm{cm}^2$ 에 비하여 약 1/8정도 낮은 것이며, 이를 전류밀도로 환산하면 약 27㎄/$\textrm{cm}^2$ 정도로서 전류주입에 의하여서도 레이저발진을 실현할 수 있는 현실적인 값이다. 한편 광여기 방법으로 측정한 광학적 이득은 입사광의 밀도가 각각 100㎾/$\textrm{cm}^2$과 200㎾/$\textrm{cm}^2$일 때 34$cm^{-1}$ / 과 160 $cm^{-1}$ / 이었다. 이와 같은 결과는 GaN의밴드단 부근의 파장영역에서 AIGaN 흔정의 굴절율이 GaN의 굴절율보다 작으므로 DH구조의 채택의 의한 광의 몰입이 가능하여 임계치가 저하된 것으로 여겨진다. 또한 광학적 이득의 존재는 이 구조에 의한 극단파장 반도체 레이저다이오드의 실현 가능성을 나타내는 것이다.

• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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• 2009.10a
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• pp.251-252
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• 2009