• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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• 2003.02a
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• pp.48-49
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• 2003

저출력 다이오드 여기 레이저에서는 공간모드 특성을 좋게하고 여기 효율을 올리기 위하여 단면 여기 방식을 주로 사용한다. 특히 레이저 다이오드 (LD)로 여기하는 단일모드 녹색광 레이저는 홀로그램, 간섭계, 측정기 등의 응용분야에서 수요가 날로 증가하고 있다. 단일모드 녹색광 레이저의 발진방법으로는 여러 가지가 고안되어 왔다. 먼저 공진기 내부에 얇은 판을 브루스터 (Brewster) 각으로 두어서 편광시키고 이것을 복굴절특성을 가진 Nd：YVO$_4$ 결정과 결합시켜 복굴절 필터 기능을 하게 하는 방법이 있다. (중략)

• Korean Journal of Optics and Photonics
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• v.15 no.2
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• pp.171-176
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• 2004

A light deflector integrated laser diode(LD) was fabricated and the characteristics of LD and ourput beam deflection as a function of deflector injection current were measured. To integrate the deflector with LD, a passive waveguide was integrated with the LD and a triangular-type light deflector was fabricated on the upper clad of the passive waveguide section. Light deflection from the fabricated light deflector is controlled by the effective refractive index variation induced by carrier injection. To characterize the effect of the deflector injection current, threshold current, slope efficiency, and output beam spectrum were measured as a function of deflector injection current. From these measured data, the increment in the threshold current and the decrement of the slope efficiency were observed. However, the output beam spectrum was not affected by the deflector. The Beam Propagation Method(BPM) was used to simulate the proposed device and the light deflection was measured by the far-field pattern of the output beam as a function of the deflector injection current. In the fabricated deflector integrated LD, the deflection angle of 1.9$^{\circ}$ at the injection current of 15 ㎃ was obtained.

• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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• 2000.08a
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• pp.222-223
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• 2000

지금까지 gold-coated 반사체, cusp-shaped 반사체, 복합 포물 반사체(CPC), 난반사 공동체 등 다양한 형태의 반사체가 횡펌핑을 이용한 Nd:YAG 레이저의 개발을 위하여 고안되어졌다. 횡여기되는 Nd:YAG 레이저의 광학적 효율은 반사체의 형태, 다이오드 레이저의 파장, Nd:YAG 결정의 지름, Nd$^3$의 도핑농도에 따라 영향을 받는다.$^{(1)}$ 본 연구에서는 고출력의 횡여기 Nd:YAG 레이저를 개발할 목적으로 광여기 공동으로 사용된 난반사 공동체의 내부지름과 레이저 매질인 Nd:YAG 결정의 흡수계수 등 매개변수를 변화시켜 흡수분포와 출력을 계산하였으며, 이러한 매개변수들이 기울기 효율에 미치는 영향을 수치 해석적으로 연구해 보았다. 광선추적법에서 사용한 매개변수 중에서 다이오드 레이저의 파장은 808 nm이고, 반사율은 90%이며, 여기 다이오드 출력은 1080 W이다. 난반사 공동체$^{(2)}$ 의 반사율은 95.7%이고, 결정의 투과율은 90%이며, 결정의 반지름은 2.5 mm이다. 사용된 여기 구조도는 그림 1과 같다. 여기헤드는 Nd:YAG 결정, 난반사 공동체, 그리고 3개의 360 W급 다이오드 어레이들로 구성되어 있다. (중략)

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.16 no.5
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• pp.371-376
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• 2007

We have investigated the lasing characteristics of the InGaAs quantum dot laser diode (QD-LD) and InGaAs quantum well laser diode (QW-LD) operated at the 980 nm wavelength range. The 980-nm lasers are used as a pumping source for a erbium-doped fiber amplifier (EDFA) and it shows high efficiency in long-haul optical fiber network. We have compared the threshold current density, the characteristic temperature, the optical power and the internal efficiency of QD-LD and QW-LD under a pulsed current condition. The QD-LD shows superior performances to the QW-LD. Further optimization of a LD structure is expected to the superior performances of a QD-LD.

• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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• 1995.06a
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• pp.11-17
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• 1995

반절연 InP를 전류 차단층으로 사용하는 초고속 변조 Distributed Feedback (DFB) 레이저의 다이오드를 제작 하였다. Grating이 형성된 InP 기판에 유기금속 증착법 (MOVPE)을 사용하여 다중 양자 우물 구조 성장 시켜 메사구조를 연성 한후, 전류 차단층으로 반절연 InP를 성장 하였다. 제작된 레이저 다이오드는 평균 문턱전류 10 mA, 기울기효율 14%이며, 30mA 구동 전류에서 10GHz 이상의 3dB 대역폭 특성을 보였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2008.10a
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• pp.104-107
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• 2008

고출력 레이저 다이오드는 소형화되면서 생산 단가가 낮아지는 것에 비해 출력은 점점 더 커지고 있기 때문에 많은 산업 응용 분야에 확대되고 있다. 본 논문에서는 고출력 레이저 다이오드의 안정성과 고정된 출력 파워의 광원을 제공하기 위한 설계의 목적이 있다. 안정된 정전류를 위하여 온도와 전류의 안정성이 중요하다. 이를 위하여 본 연구에서는 레이저 다이오드 내부의 온도센서와 TEC(Thermo Electric Cooler)를 이용한 온도제어 회로를 구성하였다. 이들을 제어하기 위하여 A/D, D/A 컨버터와 마이크로프로세서를 사용하였으며, 정전류 50A일 때 35W 출력과 온도 범위는 ${\pm}0.5^{\circ}$로 설계를 하였다.

• Journal of the Korean Chemical Society
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• v.38 no.1
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• pp.34-40
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• 1994

First observation of uranium using a diode laser was published recently. The experiment was performed by the optogalvanic spectroscopy using diode lasers. A laser source causes the current change in a hollow cathode discharge lamp when metal atoms in plasma absorb the diode laser light. The optogalvanic signal is collected by detecting the current change. This work is the extended investigation of our previous research, the uranium detection using a diode laser. New electronic transitions of uranium and thorium in 775∼850 nm were investigated using diode lasers. In addition, the Rb(Ⅰ) optogalvanic spectra at 780.02 nm and 794.76 nm were studied. The Rb(Ⅰ) spectrum at 780.02 nm showed the isotopic features and hyperfine splittings. This work provides a key idea that the diode lasers are useful in the specrochemical analysis of the radioactive actinides that have a rich spectrum with transitions which can be easily reached with AlGaAs diode lasers. Also, this study shows that the diode lasers can be an important tool to find the spectroscopic parameters of actinides and rare earth elements which have not known.

• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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• 2000.08a
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• pp.202-203
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• 2000

단원자를 이용한 Cavity-QED실험을 위해서는 고분해능 분광학이 필수적 요소이며, 이에 따라, 좁은선폭의 레이저가 필요하게 된다. 본 실험에서는 기준공진기를 이용한 전류되먹임방법의 1단계와, AOM(Acousto Optic Modulator)을 이용한 주파수 보정의 2단계를 거쳐 다이오드 레이저의 주파수를 안정화하였다. (중략)

• Korean Journal of Optics and Photonics
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• v.5 no.2
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• pp.278-285
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• 1994

We investigated the spectral characteristics for temperature and driving current change in visible laser diode. As a result of spectrum analysis, the ratio of frequency change for temperature and driving current change were about $33 GHz/^{\circ}C$, 6.6 GHz/mA in the region which was not mode hopping range. Compared to the sharp mode hopping in the near IR single mode AlGaAs lasers, the visible laser diode showed relatively broad multimode operation in the mode hopping region. We performed the experiment of injection-locking characteristics analysis for visible laser diode. Locking half bandwidth(LHBW) was measured 0~5.0 GHz for $0~25\muW$ input power and it was dependent on the input power. Also, LHBW for polarization angle was dependent on the difference of polarization angle between master laser and slave laser. The phase change of injection-locked output beam of the slave laser diode as a function of the drive current was measured in the interferometer which was composed of master laser and slave laser. The ratio of phase change with the slope of 5.0~1.3 rad/mA was obtained within injection-locking range for the change of $2~25\muW$ input power. power.

• 한국정보통신설비학회:학술대회논문집
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• 2008.08a
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• pp.296-299
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• 2008

최근 통신시스템과 핸드폰, PDA등의 통신기기들의 발전에 따라 사용자들은 높은 데이터 전송률과 고속의 통신서비스를 요구하고 있다. 이러한 상황에서 유 무선 통합 시스템인 Radio-over-Fiber(RoF) 시스템은 그 대안으로 대두되고 있다. 본 논문에서는 광전자소자를 선 왜곡 방식에 적용하여 광 송신기의 선형성을 향상시키는 방법을 제안하였다. 선 왜곡 방식은 두 개의 루프로 구성되어 있으며, 광 부품인 레이저 다이오드와 포토 다이오드 그리고 RF 부품인 위상변위기, 감쇄기, RF 결합/분배기, RF 증폭기를 사용하였다. 메인 루프에서 주 레이저 다이오드의 비선형성에 의해 발생된 왜곡신호성분은 보조 루프에서 부 레이저 다이오드를 이용하여 추출된 선 왜곡신호에 의해서 제거된다. 제안된 선형화 기법을 적용하여 2.4 GHz에서 선형화 기법을 적용하기 전보다 3차 상호변조 왜곡성분이 약 30dB 향상된 결과를 얻었다.