• ETRI Journal
• /
• v.11 no.4
• /
• pp.119-127
• /
• 1989

다결정 실리콘 위에 열산화 방법을 통해 형성된 산화막(polyoxide)은 기억소자에서의 capscitor 절연막이나, EPROM(Erasable Programmable Read Only Memory)과 EEPROM(Electrically EPROM) 소자의 tunneling 산화막으로 사용된다. 이러한 polyoxide 절연막은 낮은 누설전류, 높은 절연파괴전기장, 높은 절연파괴 전류밀도등의 특성을 가져야 한다. 본 논문에서는 ployoxide의 형성조건에 따른 polyoxide의 전기적인 특성에 대하여 연구하였다.

• Proceedings of the KIEE Conference
• /
• 1997.07a
• /
• pp.143-145
• /
• 1997

특수변압기의 일종인 네온 변압기의 기본원리와 특성을 조사하고 원가절감, 효율향상등 특성개선을 위하여 누설자속의 해석기술과 규소강판의 압연방향에 따른 자속의 영향, 압연방향성 코아의 형상설계방향 등을 제시한다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
• /
• 2000.02a
• /
• pp.71-71
• /
• 2000

본 연구에서는 차세대 마이크로파 유전체 소자로서의 응용을 목적으로 펄스 레이저 방식에 의하여 증착된 MgTiO3 박막의 전기적 특성을 종합적으로 연구 분석하였다. 이를 바탕으로 MgTiO3 박막의 유전손실 등과 같은 열화를 야기시키는 박막 내부 또는 박막과 기판간의 결함의 특성을 파악하여 열화 메카니즘을 분석하였다. MgTiO3는 마이크로파 영역에서의 우수한 유전특성과 같은 낮은 유전손실을 가지며, 온도 안정성 또한 우수하다. 현재까지 벌크 세라믹 MgTiO3 의 응용 광범위하게 연구되어 왔으나 박막의 제조공정 및 전기적 특성 분석은 미흡한 형편이다. 따라서 벌크 세라믹과는 특성이 상이한 박막의 전기적 특성분석 및 연구가 필요하다. 분석을 위한 소자의 기본 구조로서 Metal-Insulator-Semiconductor(MIS) 구조를 채택하였다. MgTiO3 박막을 증착하기 위한 기판으로는 n형 Si(100)기판과 p형 Si(100)기판을 사용하였고, Si 기판 위에 급속 열처리기 (RTP)를 이용하여 SiO2를 ~100 두께로 성장시킨 것과 성장시키지 않은 것으로 구분하여 제작하였다. MgTiO3 박막은 펄스 레이저 증착 방식(PLD)에 의하여 약 2500 두께로 증착되었으며, 200mTorr 압력의 산소 분위기 하에서 기판의 온도를 40$0^{\circ}C$~55$0^{\circ}C$까지 5$0^{\circ}C$간격으로 변화시키며 제작하였다. 상하부의 전극 금속으로는 Al을 이용하였으며, 열증발 증착기로 증착하였다. 증착된 MgTiO3 박막의 결정구조를 확인하기 위하여 XRD 분석을 수행하였으며, 박막의 전기적 특성을 분석하기 위해 Boonton7200 C-V 측정기와 HP4140P를 이용한 경우에는 C-V 곡선에 이력현상이 나타났으나, MgTiO3/SiO2를 이용한 경우에는 이력현상이 나타나지 않았고, 유전율은 감소하는 것으로 나타났다. I-V 측정 결과, 절연층으로 MgTiO3/SiO2를 이용한 경우에는 MgTiO3만을 절연층으로 사용한 경우에 비해 동일한 전계에서 낮은 누설전류 값을 가짐을 알 수 있었다. 또한 박막의 증착온도가 증가함에 따라서 C-V 곡선의 위치가 양의 방향으로 이동함을 확인하였다. 위의 현상은 기판의 종류에 관계없이 발생하는 것으로 보아 벌크 또는 계면에 존재하는 결함에 의한 것으로 추정된다. 현재 C-V 곡선의 이동 원인과 I-V 곡선의 누설전류 메카니즘을 분석 중에 있으며 그 결과를 학회에서 발표할 예정이다.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
• /
• v.12 no.9
• /
• pp.1615-1622
• /
• 2008

We have fabricated the poly-silicon thin film transistor(TFT) which has the LDD-region with graded spacer. The devices of n-channel poly-si TFT's hydrogenated by $H_2$ and $H_2$/plasma processes were fabricated for the devices reliability. We have biased the devices under the gate voltage stress conditions of maximum leakage current. The parametric characteristics caused by gate voltage stress conditions in hydrogenated devices are investigated by measuring/analyzing the drain current, leakage current, threshold voltage($V_{th}$), sub-threshold slope(S) and transconductance($G_m$) values. As a analyzed results of characteristics parameters, the degradation characteristics in hydrogenated n-channel polysilicon TFT's are mainly caused by the enhancement of dangling bonds at the poly-Si/$SiO_2$ interface and the poly-Si grain boundary due to dissolution of Si-H bonds. The structure of novel proposed poly-Si TFT's are the simplicities of the fabrication process steps and the decrease of leakage current by reduced lateral electric field near the drain region.

• Proceedings of the Korean Society of Precision Engineering Conference
• /
• 2010.05a
• /
• pp.793-794
• /
• 2010

• Proceedings of the Korean Society for Noise and Vibration Engineering Conference
• /
• 2012.04a
• /
• pp.155-156
• /
• 2012

• Proceedings of the Korean Society for Noise and Vibration Engineering Conference
• /
• 2012.04a
• /
• pp.871-872
• /
• 2012

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
• /
• 2008.02a
• /
• pp.320-320
• /
• 2008

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
• /
• 1997.10a
• /
• pp.70-70
• /
• 1997

• Proceedings of the SAREK Conference
• /
• 2003.07a
• /
• pp.5-5
• /
• 2003