• Journal of the Korean Institute of Illuminating and Electrical Installation Engineers
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• v.23 no.4
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• pp.79-85
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• 2009

This paper describes the degradation properties of ZnO surge arresters impressed by lightning impulse currents. To investigate the deterioration behaviors of ZnO surge arresters due to lightning surges, the 8/20[${\mu}s$], 2.5[kA] standard lightning impulse currents were injected to the ZnO surge arrester under test. The power frequency AC and DC leakage currents flowing through the ZnO surge arresters with and without the injection of lightning impulse currents were measured. As a result, the leakage currents are increased and the asymmetry of the AC leakage current is pronounced as the number of injection of the impulse current increases. The ZnO grain of the surge arrester without the injection of lightning surges are uniform but the ZnO grain of the ZnO surge arrester with the injection of lightning impulse currents are deformed. Also, it was found that the decrease of the $Bi_2O_3$ due to the lightning impulse current leads to the lack of grain boundary layer and the current concentrated by the lack of grain boundary layer play an important role to degrade nonlinear property of ZnO surge arrester blocks.

• Journal of the Korean Society of Radiology
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• v.11 no.6
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• pp.525-529
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• 2017

As a photoconductive material with a high X-ray sensitivity, many researches about mercury iodide has been carried out to substitute for amorphous selenium. However, it has many limitations in commercialization because of the high leakage current. In this study, we fabricated $HgI_2$ unit-cells with mixed silicon oxide($SiO_2$) and titanium oxide($TiO_2$) to reduce a high leakage current and we evaluated an electrical properties of the fabricated unit-cells. As a result, we confirmed that both mixtures were effective in reduing the leakage current of the $HgI_2$ and x-ray sensitivity were significantly increased in fabricated $HgI_2-TiO_2$ unit-cell.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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• v.37 no.4
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• pp.31-37
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• 2000

In the case of metal-induced lateral crystallization (MILC) for low temperature poly-Si TFT, offset length between Ni-thin film and the sides of gate could be modified to control the location of MILC boundary. Electrical characteristics were compared to analyze the effect of MILC boundary that was located either in or out of the channel region of the TFT. By removing the MILC boundary from channel region, on current, subthreshold slope and leakage current properties could be improved. When MILC boundary was located in the channel region, leakage current was reduced with electrical stress biasing. The amount of reduction increased as the channel width increased, but it was independent of the channel length.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2012.02a
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• pp.302-302
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• 2012

최근 비 휘발성 메모리 시장의 확대와 수요가 많아지면서, 비휘발성 메모리 소자의 제작에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 특히, 실리사이드 나노입자를 적용한 소자는 현 실리콘 기반의 반도체 공정의 적용이 용이하다. 따라서 본 연구에서는 실리사이드 계열의 화합물 중에서 일함수가 4.63 eV인 Vanadium silicide (V3Si) 나노입자 메모리소자를 제작하여 전기적 특성과 열 안정성에 대하여 알아보았다. p-Si기판에 약 6nm 두께의 SiO2 터널층을 건식 산화 방법으로 성장시킨 후 V3Si 나노입자를 제작하기 위해서 V3Si 금속박막을 스퍼터링 방법으로 4 nm~6 nm의 두께로 터널 절연막 위에 증착시켰다. 그리고 컨트롤 절연막으로 SiO2를 초고진공 스퍼터를 이용하여 50 nm 증착하였고, 급속 열처리 방법으로 질소 분위기에서 $800^{\circ}C$의 5초 동안 열처리하여 V3Si 나노 입자를 형성하였다. 마지막으로 200 nm두께의 Al을 증착하고, 리소그래피 공정을 통하여 채널 길이와 너비가 각각 $2{\mu}m$, $5{\mu}m$, $10{\mu}m$를 가지는 트랜지스터를 제작하였다. 제작된 시편의 V3Si 나노입자의 크기와 균일성은 투과 전자 현미경으로 확인하였고, 후 열처리 공정 이후 V3Si의 존재여부의 확인을 위해서 X-ray 광전자 분광법의 표면분석기술을 이용하여 확인하였다. 소자의 전기적인 측정은 Agilent E4980A LCR meter, 1-MHz HP4280A와 HP 8166A pulse generator, HP4156A precision semiconductor parameter analyzer을 이용하여 측정온도를 $125^{\circ}C$까지 변화시키면서 전기적인 특성을 확인하였다. 본 연구에서는 온도에 선형적 의존성을 가지는 전하누설 모델인 T-model 을 이용하여 나노입자 비휘발성 메모리소자의 전하누설 근원을 확인한 후, 메모리 소자의 동작 특성과의 물리적인 연관성을 논의하였다. 이를 바탕으로 나노입자 비휘발성 메모리소자의 열적안정성을 확보하고 소자 특성향상을 위한 최적화 구조를 제안하고자 한다.

• Korean Journal of Materials Research
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• v.5 no.6
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• pp.633-638
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• 1995

Two types of $Ta_2O_{5}$, films, prepared by thermal oxidation and PECVD, on P-type(100) Si wafers were studied to examine the relationship between electrical properties and stresses of the films. For the thermally oxidized films, Ta films were depositied on the Si wafers by dc magnetron sputtering followed by thermal oxidation as functions of oxidation temperature and time. The PECVD films were deposited on the Si wafers as a fuction of RF power density. The relationship between the electrical properties and film stresses were studied. In the case of thermally oxidized $Ta_2O_{5}$ film, the electrical properties and film stress were not found to be dependent on each other, while PECVD $Ta_2O_{5}$ films showed that the electrical properties were depended on the film stress.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2009.11a
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• pp.119-119
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• 2009

선택적 액상증착(Selective Liquid Phase Deposition)을 이용하면, 기존의 열에 의한 손상 없이 섭씨 50도 이하의 낮은 온도로 실리콘 산화물을 증착시킬 수 있다. 형성된 액상증착 실리콘 산화물은 조직이 매우 치밀하며 표면이 매우 고르게 형성됨을 확인하였다. 뿐만 아니라, 액상증착 실리콘 산화물의 누설 전류 또한 매우 낮음을 확인하였다. 또한 형성된 박막에 다양한 온도 하에서 열처리하여 산화막의 특성 변화를 관찰하였으며, 열처리 후에도 박막의 표면 거칠기나 누설전류의 변화가 미미한 것을 확인하였다. 이것은 액상증착 실리콘 산화물이 열처리 유무와 관계없이 집적회로에서 좋은 절연소재로 사용될 수 있는 가능성을 내포한다.

• Proceedings of the Acoustical Society of Korea Conference
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• spring
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• pp.131-134
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• 2000

음성신호처리에서 스펙트럼 분석은 매우 중요하다. 하지만 스펙트럼 분석을 위해서 사용되는 윈도우에 의해 생기는 누설에러지 때문에 음성신호의 스펙트럼 정보가 왜곡된다. 본 논문에서는 스펙트럼 분석 시 발생되는 창함수 사용에 의해 생기는 누설에너지를 최소화하기 위한 새로운 창함수를 제안하고자 한다. 그 형태는 전체 창함수크기의 반을 방형창으로 나머지 반을 해밍창으로 하고 창의 처음 부분은 $\pm$20표본에서 영점을 찾아주는 것이다. 이 창함수의 특징은 신호분석에 있어서 왜곡은 크지만 그 형태에 있어서 가장 이상적인 방형창함수의 장점과 side lobe가 작아 비교적 왜곡이 적은 해밍창함수의 장점을 취한 것이라 하겠다. 실제 음성 신호에의 적용에 있어서 방형창과 해밍창의 적용비는 신호의 종류 및 용도에 따라 달리할 수 있다. 제안한 창함수는 해밍창함수 보다는 좁은 main lobe 특성으로 음성신호의 단구간 스펙트럼 분석시 음성의 빠른 변화특성을 적절히 보여줄 수 있고 방형창보다는 side lobe의 영향을 줄일 수 있다.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2013.11a
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• pp.71-72
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• 2013

최근 철도시스템 분야에서도 기존의 접촉식 가공 전차선 급전 방식을 벗어나 새로운 개념의 에너지 전송시스템으로써 무선급전시스템의 다양한 응용 연구가 진행되고 있다. 본 논문에서는 전자기 유도방식의 일종인 무선급전시스템을 철도차량에 적용시키기 위해 운전조건에 따른 특성 연구를 수행 하였다. 전력 전송의 효율을 높이기 위해 유도급집전체(IPT, Inductive Power Transformer)의 누설 자속(Leakage Flux)을 보상할 수 있는 6-kW 60-kHz 시제품(Laboratory Prototype)을 제작하여 급전체와 집전체간 위치 변화에 따른 무선급전시스템의 전력전송량 변화를 알아보았다. 또한. 급전체와 집전체간 위치 변화에 따라 변하는 누설 자속을 측정하고 운전주파수를 변경하여 무선급전시스템의 전력전송량의 변화를 알아보았다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2011.07a
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• pp.1109-1110
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• 2011

본 논문에서는 선간단락 시 단락전류에 의한 전력용 변압기의 단락특성을 해석하였다. 변압기 사양은 1[MVA], 6,600/660[V] 단상 내철형 배전용 변압기를 사용하였으며, 변압기에 유입되는 단락전류를 회로방정식을 이용해 계산하였다. 단락전류에 의해 발생되는 누설자속 밀도는 유한요소법을 이용해 계산하였고, 계산된 단락전류와 누설자속 밀도에 의해 권선에서 발생하는 축 방향과 반경방향 단락전자력을 계산하였다.

• 전기의세계
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• v.39 no.12
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• pp.63-67
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• 1990

MOSFET의 드레인 불순물 농도 분포는 hot carrier효과 및 드레인 누설전류 특성에서 중요한 요소가 된다. 특히 MOSFET의 게이트 아래 부분의 수평 농도는 게이트 전압에 의한 누설전류 특성에 큰 영향을 주는 것으로 알려져 있다.[1][2]. 보통의 수직농도분포는 SIMS기법, ARS 방법등을 이용하여 측정이 가능하다. 그러나, 수평 불순물 농도분포는 실험적으로 구하는 방법이 없었고 보통 이차원 공정 시뮬레이션(MINIMOS, SUPRA등)을 통하여 산출하였다. 최근 드레인의 수평 불순물 농도분포를 게이트와 드레인 사이의 용량 측정에 의해 구하는 방법이 제시되었다[3]. 이방법에서는 농도가 높은 경우에는 수평접합깊이를 절대적인 값으로 구하지 못하였다. 본 논문에서는 게이트-드레인간 용량 측정에 의해 수평접합깊이를 구하고 그 농도분포를 추출하는 방법을 제시하고, ASR방법에 의해 측정된 수직 불순물 농도분포와 비교하고 검토한다.