• ETRI Journal
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• v.8 no.3
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• pp.15-23
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• 1986

ISL(Integrated Schottky Logic)의 고집적화를 위하여 종래의 p-n 접합 격리 방법 대신에 산화막으로 격리시킨 2마이크론의 최소 설계치수를 갖는 소자를 설계, 제작하여 특성을 분석하였다. 접합 형성을 위한 불순물은 이온 주입법을 이용하여 고속소자가 필연적으로 갖추어야 하는 얕은 접합으로 형성을 시켰으며, 출력단의 쇼트키 다이오드는 백금 실리 사이드를 이용하였다. 링 발진기의 특성에서 최소 전달지연 시간은 한 게이트당 5.7ns의 속도 특성과 논리 진폭은 360mV의 현격한 특성을 나타내었다 .

• Journal of the Institute of Convergence Signal Processing
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• v.8 no.4
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• pp.285-292
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• 2007

SoC which deploys software modules as well as hardware IPs on a single chip is a major revolution taking place in the implementation of a system design, and high-level synthesis is an important process of SoC design methodology. Recently, SPARK parallelizing high-level synthesis software tool has been developed. It takes a behavioral ANSI-C code as an input, schedules it using code motion and various code transformations, and then finally generates synthesizable RTL VHDL code. Although SPARK employs various loop transformation algorithms, the synthesis results generated by SPARK are not acceptable for basic signal and image processing algorithms with nested loop. In this paper we propose a SoC platform with an application-specific PLD targeting local operations which are feature of many loop algorithms used in signal and image processing, and demonstrate design process which maps behavioral specification with nested loops written in a high-level language (ANSI-C) onto 2D systolic array. Finally the derived systolic array is implemented on the proposed application-specific PLD of SoC platform.

• Ceramist
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• v.4 no.1
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• pp.5-13
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• 2001

차세대 ULSI 소자의 다층금속배선을 위한 저유전 물질중에서, 기존의 절연막인 TEOS-$SiO_2$ 증착 장비 및 공정을 최대한 이용할 수 있으며, 물성 또한 TEOS oxide와 유사하다는 점에서 적용 시점을 앞당길 수 있는 SiOF 박막과 SiOC 박막의 특성에 대해 고찰해 보았다. 1세대 저유전 물질이라 할 수 있는 SiOF는 후속공정에도 안정적인 상태의 박막을 얻기 위해서는 3.0이하의 유전상수를 얻는 것이 불가능한 반면, SiOC는 3.0 이하의 유전상수를 가지는 안정적인 박막을 얻을 수 있다. SiOC 물질은 저밀도의 단일물질로서, 물질 내부에 후속공정에 영향을 미칠만한 기공을 포함하지 않기 때문에 후속 CMP 공정에 적합하였으며, $450^{\circ}C$이하의 열 공정에서도 응력변화 및 박막성분 탈착이 거의 일어나지 않는 점 또한 SiOC 박막의 우수한 후속공정 적합성을 보여주는 결과였다. 이러한 결과를 종합하여 볼 때, 현재 사용되고 있는 1세대 저유전 물질인 SiOF 박막을 대체할 차세대 저유전 물질로 SiOC 물질이 유망하며, 이는 3.0 이하의 유전상수를 요구하는 Gb DRAM 소자나 보다 빠른 동작속도가 생명인 논리회로(logic circuit) 소자에 적용될 경우 큰 소자특성 개선이 기대된다.

• Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics
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• v.26 no.1
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• pp.62-68
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• 1989

In this paper, Analog/Digital BCDMOS technology that the bipolar devices for driver applications CMOS devices for logic applications, and DMOS devices for high voltage applications is pressented. An optimized poly-gate p-well CMOS process is chosen to fabricate the BCDMOS, and the basic concepts to desigh these devices are to improve the characteristics of bipolar, CMOS & DMOS with simple process technology. As the results, $h_{FE}$ value is 320 (Ib-$10{\mu}A$ for bipolar npn transistor, and there is no short channel effects for CMOS devices which have Leff to $1.25{\mu}m$ and $1.35{\mu}m$ for n-channel and p-channel, respectively. Finally, breakdown voltage is obtained higher than 115V for DMOS device.

• The Journal of Korean Institute of Communications and Information Sciences
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• v.14 no.3
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• pp.189-196
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• 1989

In this paper, BICMOS gate array technology that has CMOS devices for logic applications and bipolar devices for driver applications is presented. An optimized poly gate p-well CMOS process is chosen to fabricate the BICMOS gate array system and the basic concepts to design these devices are to improve the characteristics of bipolar & CMOS device with simple process technology. As the results hFE value is 120(Ic=1mA) for transistor, and there is no short channel effects for CMOS devices which have Leff to 1.25um and 1.35um for n-channel, respectively, 0.8nx gate delay time of 41 stage ring oscillators is obtained.

• Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics
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• v.17 no.6
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• pp.93-98
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• 1980

In this paper, the principles of cascade realization o( conservative logic circuits are explored and the problem of realizing arbitrary 3-3 logic circuit with mini mal number of logic elements is handled, The five primitive classes 5, 15, 21, 24 and 29 are selected to realize all of the 31 equivalent c]asses by cascading only two of them. The crossovers of lines are permitted in this realization 3nd the upper bound of crossovers is three. The results are summarized and listed in a table.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2018.06a
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• pp.46-46
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• 2018

메모리 소자의 수요가 데스크톱 컴퓨터의 정체와 모바일 기기의 폭발적인 증가로 NAND flash 메모리의 고집적화로 이어져서 3차원 집적 기술의 고도화가 중요한 요소가 되고 있다. 1 mm 정도의 얇은 웨이퍼 상에 만들어지는 메모리 소자는 실제 두께는 몇 마이크로미터 되지 않는다. 수직방향으로 여러 장의 웨이퍼를 연결하면 폭 방향으로 이미 거의 한계에 도달해있는 크기 축소(shrinking) 기술에 의지 하지 않고서도 메모리 소자의 용량을 증대 시킬 수 있다. CPU, AP등의 논리 연산 소자의 경우에는 발열 문제로 3D stacking 기술의 구현이 쉽지 않지만 메모리 소자의 경우에는 저 전력화를 통해서 실용화가 시작되었다. 스마트폰, 휴대용 보조 저장 매체(USB memory, SSD)등에 수 십 GB의 용량이 보편적인 현재, FEOL, BEOL 기술을 모두 가지고 있는 국내의 반도체 소자 업체들은 자연스럽게 TSV 기술과 이에 필요한 장비의 개발에 관심을 가지게 되었다. 특히 이 중 TSV용 스퍼터링 장치는 transistor의 main contact 공정에 전 세계 시장의 90% 이상을 점유하고 있는 글로벌 업체의 경우에도 완전히 만족스러운 장비를 공급하지는 못하고 있는 상태여서 연구 개발의 적절한 시기이다. 기본 개념은 일반적인 마그네트론 스퍼터링이 중성 입자를 타겟 표면에서 발생시키는데 이를 다시 추가적인 전력 공급으로 전자 - 중성 충돌로 인한 이온화 과정을 추가하고 여기서 발생된 타겟 이온들을 웨이퍼의 표면에 최대한 수직 방향으로 입사시키려는 노력이 핵심이다. 본 발표에서는 고전력 이온화 스퍼터링 시스템의 자기장 해석, 냉각 효율 해석, 멀티 모듈 회전 자석 음극에 대한 동역학적 분석 결과를 발표한다. 그림1에는 이중 회전 모듈에 대한 다물체 동역학 해석을 Adams s/w package로 해석하기 위하여 작성한 모델이고 그림2는 180도 회전한 서브 모듈의 위상이 음극 냉각에 미치는 효과를 CFD-ACE+로 유동 해석한 결과를 나타내고 있다.

• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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• 1991.07a
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• pp.129-134
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• 1991

반도체 물질들은 일반적으로 흡수 끝 (absorption edge) 근처에서 비선형 광학 계수가 이례적으로 크고, 그 반응 속도가 빠른 특성을 갖고 있다. 본 논문에서는 반도체와 반도체 미세구조에 있어서의 비선형 광학적 특성 및 초고속 논리 광소자로서의 응용을 고찰하였다.

• The Journal of the Korea Contents Association
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• v.5 no.4
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• pp.180-187
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• 2005

In this paper, we developed an online lecture for digital logic circuit which is a basic course in electric/electronic education. Because of importance of the laboratory experiences in this course and to reflect industrial requests, we have selected most effective experimental examples in each chapter and inserted instructions for basic usags of ORCAD and digial clock design. Moreover, we developed cyber lab to design students' own circuit using Flash animation. Two features of this cyber lab are real-like graphics for devices and breadboards to improve reality and patented new IC chip objects for easy experiments, which help the students understand digital logic easily.

• Journal of the Korea Society of Computer and Information
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• v.4 no.4
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• pp.15-24
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• 1999

In this paper, we propose a new CPLD technology mapping algorithm improving run-time under time constraint. In our technology mapping algorithm, a given logic equation is constructed as the DAG type, then the DAG is reconstructed by replicating the node that outdegree is more than or equal to 2. As a result. it makes delay time and the number of CLBs, run-time to be minimized. Also, after the number of multi-level is defined and cost of each nodes is calculated, the graph is partitioned in order to fit to k that is the number of OR term within CLB. The partitioned nodes are merged through collapsing and bin packing is performed in order to fit to the number of OR term within CLB.