• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국전기전자재료학회 2007년도 하계학술대회 논문집 Vol.8
• /
• pp.225-226
• /
• 2007

나노 기술은 21 세기에 들어와 모든 산업에 고루 이용되며 미래를 이끌어 나갈 기숱로 평가되고 있다. 고압 회전기용 주절연재료의 개발에서도 에폭시에 나노충진제를 혼합하여 복합재료로 만드는 나노기술이 활용되고 있으며, 이러한 나노기술을 바탕으로 절연성능을 높이고, 열적, 기계적 안정성을 높이는 기술 개발에 관심을 기울이고 있다. 하지만 이러한 성능향상을 위해서는 반드시 에폭시 기지 내에 충진제가 골고루 분산되어야 하며. 에폭시의 점도로 인해 제조 과정에서 발생하는 기포의 생성은 시료의 제조에 큰 영향을 끼치게 된다. 본 연구에서는 이러한 점에 착인하여 무충진 시료와 제조과정에서 혼입될 수 있는 불순물, 족 분산을 위한 유기 용매를 제조과정에서 고의로 혼합하여 이에 따른 기계적/유전적 특성과 엉항를 살펴보았다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국전기전자재료학회 2004년도 하계학술대회 논문집 Vol.5 No.1
• /
• pp.44-47
• /
• 2004

단일 나노선 연구에 있어서 나노선에 원하는 패턴을 선택적으로 구현하는 새로운 방법을 소개한다. 기존에 많이 쓰였던 SEM(Scanning Electron Microscope) 사진을 통한 나노선의 위치를 찾는 방법은 전자빔에 의해 유도되는 비결정성 탄소입자 등으로 인해 측정하고자하는 나노선의 전기적 특성을 왜곡시킬 수 있다. 이러한 점을 예방하고 작업의 편리성을 위하여 ER(E-beam Resist)이 코팅된 상태에서 바로 SEM을 이용해 패터닝하는 방법을 고안하였다. 또 다른 방법으로 기존의 AFM(Atomic Force Microscope) 사진으로 위치를 찾는 방식의 단점인 긴 작업시간을 개선하기 위해 광학현미경 사진을 이용해 패터닝하는 방법을 고안하였다. 이러한 방법들은 작업의 편리성이나 패턴의 정확도면에서 서로 보완적인 성격을 가지고 있어 필요에 따라 방법을 선택할 수 있다.

• 한국진공학회지
• /
• 제20권1호
• /
• pp.7-13
• /
• 2011

자기조립화된 Fe/Au 이중층 위에 $L1_0$형 구조를 갖는 FePd 나노 점을 성공적으로 제작하였다. AFM를 이용하여 초기에 편평한 Fe/Au 이중층 박막이 온도가 증가함에 따라서 응집되어 나노 점 구조로 변형되는 것을 확인하였다. 또한 형성된 이중층위에 FePd 다층막을 $300^{\circ}C$, $350^{\circ}C$, $400^{\circ}C$, $450^{\circ}C$에서 각각 증착하였다. 초격자 구조를 갖는 FePd 다층막의 표면형상은 응집현상에 의하여 자기조립화된 이중층의 형상과 유사하였다. XRD 측정결과, $350^{\circ}C$ 이상에서 열처리된 FePd 다층막은 $L1_0$형 구조를 갖는다는 것을 확인하였다. 그리고 박막두께에 따른 XPS 측정결과는 전체 박막의 화학적 조성이 증착순서와 일치하는 것을 보여주었다. 결과적으로 추가적인 식각공정 없이 화학적으로 규칙화된 FePd 초격자 나노 점의 제작에 성공하였다.

• Korean Chemical Engineering Research
• /
• 제46권3호
• /
• pp.465-472
• /
• 2008

나노재료의 합성이나 나노구조물질의 제작은 나노기술을 기반으로 하는 전자소자를 구현하기 위해서 많은 연구가 진행되고 있다. 나노다공성 알루미나 마스크(nanoporous alumina mask) 를 이용하여 균일도와 정렬도가 우수한 나노구조물들을 제조할 수 있고 이들의 크기와 밀도는 알루미나 마스크의 동공의 직경과 동공밀도를 조절하여 제어할 수 있다. 이러한 방법은 낮은 비용으로 나노구조물의 대면적 제조 공정 개발이 가능하고, 정보통신기술와 바이오기술-나노기술을 융합하는 새로운 물질의 제조에 응용할 수 있을 것이다. 그러므로, 알루미나 마스크를 사용하여 다양한 크기와 밀도를 갖는 나노물질을 제조하는 기술은 새로운 형태의 다양한 전자소자의 구현을 위해 가능성이 큰 기술이라 할 것이다. 본 논문에서는 나노다공성 알루미나 마스크를 제조하는 기술과 이를 이용한 양자점(quantum dots), 나노홀(nanoholes), 나노막대(nanorods) 등의 나노구조물 제조와 그 구조물의 응용성에 대해 알아보고자 한다.

• 마이크로전자및패키징학회지
• /
• 제26권3호
• /
• pp.71-74
• /
• 2019

본 연구는 발광층으로의 전자 주입을 억제하기 위해 ZnO 나노입자보다 낮은 전자 이동도를 갖는 $TiO_2$ 나노입자를 무기 전자 수송층으로 사용하여 standard와 inverted 두 가지 구조의 양자점 전계발광 소자를 제작하고 그 특성을 비교하였다. Standard 구조의 소자에서는 전류 밀도가 낮은 것에 비해 inverted 구조의 소자에서는 전류 밀도가 매우 높은 것을 확인하였다. 휘도의 경우 inverted 구조의 소자가 standard 구조의 소자보다 더 높았지만 높은 전류 밀도로 인해 낮은 전류 효율을 나타냈다. 또한 전류 밀도가 높은 만큼 구동 전압이 높았으며, 방출 파장 스펙트럼에서 적색 편이를 확인하였다. Standard 구조의 소자에서 나타난 낮은 전류 밀도를 통해, $TiO_2$ 나노입자가 양자점 전계발광 소자에서 전자 주입을 억제할 수 있는 가능성을 확인하였다.

• 한국콘텐츠학회:학술대회논문집
• /
• 한국콘텐츠학회 2011년도 춘계 종합학술대회 논문집
• /
• pp.329-330
• /
• 2011

나노기술은 특정의 기술 영역에 속하는 것이 아닌, 나노크기 수준의 물질(소재)이나 부품 또는 소자, 시스템(기계) 등 거의 모든 기술 영역과 관련되어 있는, 응용의 성격이 강한 기술이다. 나노기술 개발 수준은 국가 간, 혹은 기업 간의 경쟁력을 결정할 중요한 요인 중 하나로 자리잡을 것이며, 나노기술의 현황과 발전 양상의 분석은 기술 기반 산업의 미래를 위해서도 꼭 필요한 연구의 주제일 것이다. 본 연구에서는 논문의 서지정보를 통해 최근 국내에서 연구되고 있는 나노기술 중 나노소재 분야의 융합도를 측정하고, 그 결과에 대한 시사점을 제시하고자 한다. 나노소재기술과의 융합은 주로 다학제과학과 화학, 물리학 등 응용분야가 넓고 여러 학문을 포괄적으로 수용할 수 있는 학문에서 많이 발생하였고, 그 외 전기전자, 엔지니어링 분야와의 융합 역시 발견할 수 있었다. 내부중심성과 융합도와의 연관성에 대한 연구가 더욱 활발히 이루어져 그 설명력을 높일 수 있다면, 현실적합성을 획득하여 과학정책과 기술발전에 방향성을 제시하는 하나의 모형이 될 수 있으리라 기대한다.

• 대한기계학회논문집A
• /
• 제38권8호
• /
• pp.893-898
• /
• 2014

펄스 레이저를 적용한 실버나노와이어의 접합 영향이 연구되었다. 조사된 레이저 펄스 에너지는 실버나노와이어 네트워크에서 실버나노와이어간에 접합을 유도하였으며 이로 인해 투명 기저위의 실버나노와이어 네트워크 박막에 전기 저항값을 조절할 수 있었다. 특히 이러한 나노네트워크에서의 접합은 개별 나노와이어의 접촉점의 형태로 발생되었고 접합의 효과는 전체 실버나노와이어 네트워크의 전기저항 변화 측정으로 평가하였다. 또한 레이저 빔 펄스폭 및 레이저 평균 출력이 나노와이어 접합 비율 평가에 적용되어 연구되었다. 실버나노와이어 네트워크의 광학 특성도 관찰되었으며 이에 레이저 공정 요소 대비 효과도 연구되었다. 최적화된 레이저빔 적용 재료처리는 특화된 국부 재료 특성 개선에 장점을 보였다. 펄스 레이저를 이용한 실버나노와이어의 재료처리의 적용과 그 효과에 대해서도 논의한다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
• /
• 한국진공학회 2011년도 제41회 하계 정기 학술대회 초록집
• /
• pp.346-346
• /
• 2011

실리콘 나노와이어는 높은 표면적으로 인해 뛰어난 감지 능력을 가지는 재료 중 하나로 다양한 센서 응용 분야에 사용되고 있다. 이를 제작하는 방법에는 Micro Electro Mechanical Systems (MEMS) 공정을 이용한 Top-down 방식과 Vapor-Liquid-Solid (VLS) 공정을 이용한 Bottom-up 방식이 널리 사용되고 있다. 특히 Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition(PECVD)와 Au 촉매를 이용한 Bottom-up 방식은 수십 나노미터 이하의 실리콘 나노와이어를 간단한 변수 조절을 통해 성장시킬 수 있다. 또한 Au/Si의 공융점인 363$^{\circ}C$보다 낮은 온도에서 $SiH_4$를 분해시킬 수 있어 열적 효과로 인한 손실을 줄일 수 있는 장점을 지니고 있다. 하지만 PECVD를 이용한 실리콘 나노와이어 성장은 VLS 공정을 통해 표면으로부터 수직으로 성장하게 되는데 이는 센서 응용을 위한 전극 사이의 수평 연결 어려움을 지니고 있다. 따라서 이를 피하기 위한 표면 성장된 실리콘 나노와이어가 요구된다. 본 연구에서는 PECVD VLS 공정을 이용하여 $HAuCl_4$를 촉매로 이용한 표면 성장된 Tree-like 실리콘 나노와이어를 성장시켰다. 공정가스로는 $SiH_4$와 이를 분해시키기 위해 Ar 플라즈마를 사용 하였고 웨이퍼 표면에 HAuCl4를 분사하고 고진공 상태에서 챔버 기판을 370$^{\circ}C$까지 가열한 후 플라즈마 파워(W) 및 공정 압력(mTorr)을 변수로 두어 실험을 진행하였다. 기존의 보고된 연구와 달리 환원된 금 입자 대신 $HAuCl_4$용액을 그대로 사용하였는데 이는 표면 조도(Surface roughness)를 가지는 Au 박막 상태로 존재하게 된다. 이 중 마루(Asperite) 부분에 PECVD로부터 발생된 실리콘 나노 입자가 상대적으로 높은 확률로 흡착하게 되어 실리콘 나노와이어의 표면성장을 유도하게 된다. 성장된 실리콘 나노와이어는 SEM과 EDS를 이용하여 직경, 길이 및 화학적 성분을 측정하였다. 직경은 약 100 nm, 길이는 약 10 ${\mu}m$ 정도로 나타났으며 Tree-like 실리콘 나노와이어가 성장되었다. 향후 전극이 형성된 기판위에 이를 직접 성장시킴으로써 이 물질의 I-V 특성을 파악 할 것이며 이는 센서 응용 분야에 도움이 될 것으로 기대된다.

• 광학과기술
• /
• 제20권2호
• /
• pp.12-16
• /
• 2016

• 광학과기술
• /
• 제20권2호
• /
• pp.8-11
• /
• 2016