• The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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• v.11 no.4
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• pp.514-522
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• 2000

In this thesis, a two-dimensional active phased array antenna without phase shifter is studied for two-dimensional beam scanning. A designed two-dimensional oscillator-type active array antenna, radiation elements and the oscillator circuits were combined with via-hole and coupled by slot on the opposite ground plane. The operating characteristics are analyzed and experimentally demonstrated , The two-dimensional $4\times4$ elements were designed for the proper coupling strengths and coupling phases by adjusting the width, length and offset position of slot-lines. The fabricated active phased array antenna shows the beam shift characteristics capable of scanning from $-17^{\circ}$ to $18^{\circ}$ with respect to broadside in one dimension, from $-5^{\circ}$ to $10^{\circ}$ in two dimension. The experimental results show that it is possible to use the oscillator-type active phased array antenna as a two-dimensional planar array antenna.

• The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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• v.21 no.3
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• pp.315-320
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• 2010

In this paper, an internal TDMB(Terrestrial Digital Multimedia Broadcasting) antenna for mobile phone is proposed. The overall dimension of designed antenna with substrate is 30 mm$\times$5 mm$\times$0.6 mm. The proposed antenna consists of a meander type radiator which is connected front- and back-plane of Kapton substrate by via hole and parasitic element for tuning the resonant frequency. And to compensate the electric length of desired frequency, passive inductor is used for matching element. Measured gain of the implemented antenna -17.6 dBi at 174 MHz, -13.01 dBi at 195 MHz, and -14.9 dBi at 216 MHz.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• v.9 no.2
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• pp.685-688
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• 2005

An efficient sustain driver and a useful reset circuit composition technique are proposed for plasma display panel drive. The proposed sustain driver uses a series resonance between an external inductor and a panel to recover the energy dissipated by a capacitive displacement current of PDP. It consists of four switching devices, an inductor, and external capacitors, which supply sustain voltage sources. Although the amplitude of an input voltage source is twice as high as that of conventional sustain drivers, average voltage stress imposed on power switching devices is nearly same in their values. Moreover, the input voltage source can be directly applied for the use of a reset voltage source. Owing to this scheme, the proposed sustain driver and the embedded reset circuit have a simple configuration. The operational principle and design example are given with theoretical analyses. The validity of the proposed drive system is verified through experiments using a prototype equipped with a 7.5-inch-diagonal AC plasma display panel.

• The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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• v.21 no.6
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• pp.706-713
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• 2010

In this paper, the small loop antenna with a parasitic loop structure for penta-band mobile phone application is proposed. This antenna is composed of a feed monopole, a radiating loop antenna with a parasitic loop structure and an additional radiating element. The antenna is printed on the very thin flexible substrate to mount on the dielectric carrier with a volume of 40 mm$\times$11 mm$\times$3 mm. The bandwidth of the proposed antenna is 402 MHz(773~1,175 MHz) for low band and 583 MHz(1,622~2,205 MHz) for high band. As a result, the proposed antenna covers the five bands of GSM850, GSM900, DCS1800, PCS1,900 and WCDMA for a 3:1 VSWR. Moreover, the radiation pattern, gain and efficiency are appropriate for mobile handset. Therefore, this antenna is suitable for small sized multi-band mobile handset applications.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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• v.37 no.1
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• pp.8-18
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• 2000

We presented a BGA(Ball Grid Array) package for RF circuit modules and extracted its electrical parameters. As the frequency of RF system devices increases, the effect of its electrical parasitics in the wireless communication system requires new structure of RF circuit modules because of its needs to be considered of electrical performance for minimization and module mobility. RF circuit modules with BGA packages can provide some advantages such as minimization, shorter circuit routing, and noise improvement by reducing electrical noise affected to analog and digital mixed circuits, etc. We constructed a BGA package of ITS(Intelligent Transportation System) RF module and measured electrical parameters with a TDR(Time Domain Reflectometry) equipment and compared its electrical parasitic parameters with PCB RF circuits. With a BGA substrate of 3${\times}$3 input and output terminals, we have found that self capacitance of BGA solder ball is 68.6fF, and self inductance 146pH, whose values were reduced to 34% and 47% of the value of QFP package structure. S11 parameter measurement with a HP4396B Network Analyzer showed the resonance frequency of 1.55GHz and the loss of 0.26dB. Routing length of the substrate was reduced to 39.8mm. Thus, we may improve electrical performance when we use BGA package structures in the design of RF circuit modules.

• Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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• v.15 no.5
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• pp.3074-3078
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• 2014

We implemented a dual-band slot-coupled patch (SCP) antenna for the external access point (AP) of the wireless local area network (WLAN) band. The antennas consist of two radiators on three layers. The first radiator is a slotted bow tie antenna operating at the 2.4-2.483 GHz band. The second radiator is a patch antenna with parasitic elements operating at 4.095-5.845 GHz. The high gain and broad bandwidth is important element of wireless access. To enhance the bandwidth, a coupled feeding was used in the first radiator and a parasitic patch was used in the second radiator. We used a parasitic patch and chock to improve the directivity and isolation in both radiators. The porposed antenna was designed by EM simulation tool and measured. The S11 of the antenna was less than -11dB (VSWR 1.8:1) at operating frequency. The peak gain was more than 6 dBi in the first antenna and more than 8 dBi in the second antenna.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 1999.07d
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• pp.1827-1829
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• 1999

반도체 소자가 고집적화 되고 미세화 될수록 좁은 면적에 여러 기능을 가진 우물을 형성시켜야하나 기존의 우물로는 고온 장시간 열처리로 인하여 측면 확산이 깊게 되고, 불순물 농도 분포는 표면으로부터 농도가 점차 낮아진다. 따라서 기존 우물의 불순물 분포로는 기생 트랜지스터에 의한 렛치-엎과 알파 입자에 의한 SER의 감소를 위하여 필요한 벌크에서의 고농도 분포를 유지하기가 곤란하다. 이러한 문제는 차세대 반도체 개발을 위해서는 반드시 해결해야 할 것이며 이것을 해결할 수 있는 공정으로는 고 에너지 이온 주입과 저온, 단시간 열처리이다. 고 에너지 이온 주입 시의 불순물 분포를 어떻게 제어할 것인가에 대한 것과 여기서 부수적으로 나타나는 격자 손상과 그 회복 및 잔류결함의 성질을 어떻게 알고 이를 게터링 등에 이용할 것이냐에 대한 것이다. 실리콘 기판 내로 가속된 이온은 실리콘 격자와 충돌하면서 많은 1차 결함이 생기고. 이들은 후속 열처리 과정에서 활성화되면서 대부분은 실리콘 격자의 위치에 들어가 활성화되고. 그 나머지는 실리콘내의 격자간 산소, 격자간 실리콘. 격자 빈자리와 상호 작용을 하여 2차 결함을 형성한다. 에피택셜 웨이퍼와 p-type웨이퍼에 비소 이온을 고에너지로 주입후 2단계 열처리에 의한 농도분포변화와 핵생성과 결함성장에 관해 실험하였고, 핵생성온도는 $600^{\circ}C$이하이고, 성장에 필요한 온도는 $700^{\circ}C$이상이다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 1998.07f
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• pp.1977-1980
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• 1998

본 논문에서는 출력단에 동기정류기를 사용하는 영전압 스위칭 방식의 고효율 하프 브리지(H-B)컨버터에 대해 다루고자 한다. 컨버터 손실의 대부분은 출력단 정류기 부분, 주 스위치, 트랜스 등에서 발생되며, 이중 출력단 정류기에 쇼트키 다이오드를 이용하는 경우 쇼트키 다이오드의 on-drop에 의한 손실이 적지 않게 된다. 따라서 이를 감소시키기 위해 쇼트키 다이오드를 MOSFET동기 정류기로 대치하고자 한다. 동기 정류기 방식에 이용되는 MOSFET에는 도통손실이 있으나 이는 쇼트키 다이오드의 on-drop에 의한 손실에 비해 매우 작으며, 특히 MOSFET의 기생 성분을 이용하여 영전압을 구현함으로써 MOSFET의 도통 손실을 현저히 감소시킬 수 있게 된다. 또한 H-B 컨버터의 경우 주 스위치에 전원전압과 동일한 크기의 전압이 인가되므로 내압이 작은 소자의 이용이 가능하게 되며, 이와 같이 함으로써 사용 부품 수의 감소, 내압이 낮은 주 스위치의 사용, 더 나아가 효율이 높은 고효율 컨버터를 구현 할 수 있다.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.6 no.7
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• pp.1079-1083
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• 2002

We made ESD tester to measure ESD threshold voltage of semiconductor devices. The HBM ESD test is the most popular method to measure the ESD threshold voltage of MMSIC. We use flyback method which is one of the DC-DC converter to get high ESD voltage. With flvback method, we can isolate the 1ow voltage part from the high voltage part of HBM ESD tester. We use an air gap of the relay which is used for switch to satisfy the rise time of ESD standard(MIL-STD). As a result, with the flyback method and the air gap of relay, we can make ESD tester whose parasitic components are minimized.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2006.07d
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• pp.2061-2062
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• 2006

a-Si(amorphous silicon) TFT(thin film transistor)는 TFT-LCD(liquid crystal display)의 화소 스위칭(switching) 소자로 폭넓게 이용되고 있다. 현재는 a-Si을 이용하여 gate drive IC를 기판에 집적하는 ASG(amorphous silicon gate) 기술이 연구, 적용되고 있는데 이때 가장 큰 제약은 문턱 전압(Vth)의 이동이다. 특히 고온에서는 문턱 전압의(Vth) 이동이 가속화 되고, Ioff current가 증가 하게 되고, 저온($0^{\circ}C$)에서는 전류 구동능력이 상온($25^{\circ}C$) 상태에서 같은 게이트 전압(Vg)에 대해서 50% 수준으로 감소하게 된다. 특히 ASG 회로는 여러 개의 TFT로 구성되는데, 각각의 TFT가 고온에서 Vth shift 값이 다르게 되어 설계시 예상하지 못 한 고온에서의 화면 무너짐 현상 즉 고온 노이즈 불량이 발생 할 수 있다. 고온 노이즈 불량은 고온에서의 각 TFT의 문턱전압 및 $I_D-V_G$ 특성을 측정한 결과 고온 노이즈 불량에 영향을 주는 인자가 TFT의 width와 기생 capacitor비 hold TFT width가 영향을 주는 것으로 실험 및 시뮬레이션 결과 확인이 되었다. 발생 mechanism은 ASG 회로는 AC 구동을 하기 때문에 Voff 전위에 ripple이 발생 되는데 특히 고온에서 ripple이 크게 증가 하여 출력 signal에 영향을 주어 불량이 발생하는 것을 규명하였다.