정보통신설비 접지의 기본적인 방법은 각 설비에 대한 접지계통간에 아무런 접속이 되지 않는 것이다. 이것을 독립접지라고 하는데 이렇게 할 경우에 어느 한 접지체로의 이상전류 유입에 따른 대지전위 상승에 의하여 다른 접지체에 상승유도전압(rising potential)이 걸려 해당 설비에 손상을 입힐 수 있으므로 각 접지체간에 적절한 이격거리를 확보해 주어야 한다. 그러나 설치공간상의 제약을 받게 되므로 때로는 접지계통간에 접속시켜 등전위화를 이룸으로써 이상전류 유입에 따른 영향을 배제할 수 있다. 일본의 기술 영향을 받은 우리나라는 오랜 동안 독립접지 방식이 안정된 방법으로 인식되어 공통접지에 대한 우려를 가지고 있다. 본 논문에서는 공통접지가 어떻게 활용될 수 있는지에 대하여 알아보도록 하겠다.
정보통신설비 접지의 기본적인 방법은 각 설비에 대한 접지계통간에 아무런 접속이 되지 않는 것이다. 이것을 독립접지라고 하는데 이렇게 할 경우에 어느 한 접지체로의 이상전류 유입에 따른 대지전위 상승에 의하여 다른 접지체에 상승유도전압(rising potential)이 걸려 해당 설비에 손상을 입힐 수 있으므로 각 접지체 간에 적절한 이격거리를 확보해 주어야 한다. 그러나 설치공간상의 제약을 받게 되므로 때로는 접지계통간에 접속시켜 등전위화를 이룸으로써 이상전류 유입에 따른 영향을 배제할 수 있다. 이것을 공통접지라고 하는데 일본의 기술 영향을 받은 우리나라는 오랜 동안 독립접지 방식이 안정된 방법으로 인식해와 공통접지에 대한 우려를 가지고 있다. 그러나 최근에는 ITU-T의 접지 관련 표준화 활동에서 중요한 역할을 수행하고 일본에게 있어서도 독립접지로서 수용할 수 없는 현실적 환경 문제의 개선을 위하여 통신센터빌딩등에 적용할 수 있는 통합적인 공통접지 시스템 기술을 개발하고 있다.
본 연구에서는 갭을 갖는 전극을 제작하고, 전극사이의 간격이 좁아짐에 따른 분석물질의 전기화학적 신호증폭현상을 확인하였다. 광 리소그래피와 전자빔 리소그래피를 이용하여 기본 전극을 구성하고 이를 바탕으로 전극의 표면에 금속의 환원을 유도함으로써 환원시간에 따라 전극이 점점 좁아지게 하는 방법을 이용하여 다양한 간격의 갭 전극을 제작하였다. 이와같은 방법으로 제작된 전극을 전기화학 신호분석장치에 연결하고, $2{\mu}m$의 간격부터 약 50 nm 까지의 다양한 전극 간격을 가지는 갭 전극 각각에 대한 전기화학적 신호를 분석하였다. 전극에 Ferricyanide 를 노출시켜 전극의 간격이 좁을수록 FeCN63-의 산화 환원에 따른 패러데이 전류가 증폭하는 것을 확인하였으며, 분석물질의 검출 한계 농도 또한 낮아짐을 확인하였다. 이러한 실험결과는 일정전위기의 순환전압전류법, 주사전자현미경, 원자힘현미경을 이용하여 분석되었다.
디스플레이용 유도결합 플라즈마 시스템에서 CF4/O2 혼합가스를 이용하여 SiO2 식각공정에 대한 연구를 하기 위해 플라즈마 변수들에 대한 공간 분포를 살펴 보았다. 장비의 규격은 8세대 급, 안테나는 4turn을 기본으로 하며 동일한 크기의 안테나 9개를 배치하였다. 시뮬레이션 결과에 따른 플라즈마 주요변수들(전자밀도, 전자온도, 전위차)의 공간분포와 CF3+, CF2+, CF+, O2+, O-, F+, F- 이온들에 대한 공간분포를 확인 할 수 있었다.
플라즈마 밀도와 전자온도는 반도체 및 디스플레이 공정결과에 결정적인 역할을 하므로 그에 대한 진단법 연구는 필수적이다. 하지만 대부분의 연구는 공정플라즈마와 같이 프로브 팁이 증착된 환경에서는 진단이 힘든 실정이다. 이러한 한계를 극복하기 위해서 부유전위 근처에서 고조파 진단법(floating harmonic method)에 대한 연구가 제시되었다[1]. 저밀도 플라즈마에서는 제 2 고조파의 측정이 어렵기 때문에 전자온도를 정확히 측정하기 힘들 수가 있다. 따라서 이에 대안으로 본 논문에서는 부유 고조파 진단법을 기반으로 하여 진폭과 주파수를 다르게 한 두개의 소신호 정현파 전압신호를 동시에 인가하여 플라즈마 변수를 진단하는 방법을 개발하였다. 본 방법을 이용하여 유도결합 아르곤 플라즈마에서 RF전력과 압력변화에 따라 플라즈마 변수진단을 진행하였고, 기존의 고조파 진단법의 결과와 일치하는 경향을 보이는 것을 확인하였다. 이 방법은 측정된 전류의 고조파 성분을 이용하지 않고 기본주파수를 가지는 전류의 크기 비율을 사용하여 전자온도 값을 구하기 때문에 저밀도 플라즈마에서 정밀한 진단이 가능할 것으로 예상된다.
본 연구에서 제시된 모델을 기반으로 KCl-LiCl/Cd의 전해제련 시스템 해석을 통하여 다성분 금속염의 전해 분리의 기본 특성을 이해할 수 있었으며, 주어진 정전류 전해제련 모사에서 전해거동을 예측할 수 있었다. 또한 시간에 따른 용융염 전극반응에 참여하는 각 원소들의 전류 및 전극반응에 가해지는 전위를 예측할 수 있는 모델로써 전해장치의 설계 및 운전시 전해 변수들이 전해성능에 미치는 영향을 판단하는데 유용하게 활용될 것이 기대된다.
근년 산업의 발달에 따른 재료의 다양성때문에 구조물의 안전성 확보및 신뢰성 향상을 위하여 사용재료의 파괴방지에의 연구의 중요성이 종래에 비해서 한층 더 높아지고 있으며, 현재까지 행하여지고 있는 이들 연구를 대별하면 다음의 3가지 분야로 나눌 수 있다. 즉 제 1 은 순수형 태에서의 파괴의 본질을 결정구조나 전위론등에 기초를 두고 물성론적 입장에서 논하려고 하는 분야, 제 2 는 재료가 가진 야금학적 인자(화학성분, 미시조직인자 등)가 파괴에 미치는 영향을 미시조직학적 관점으로부터 취급하는 분야, 제 3 은 재료를 보다 거시적으로 보아서 균일한 탄 소성체로서 취급하고, 주로 역학적 관점에서 규명하는 파괴역학분야이다. 특히 20수년간 비약적인 진보를 가져온 파괴역학의 수법은 구조물의 불안정파괴에 대한 안전확보라는 견지에서 커다란 성과를 가져왔다. 파괴역학에 있어서의 흥미대상은 예나 지금이나 파괴인성(Fracture Toughness )의 문제에 향해져 있다. 본강좌에서는 파괴역학및 파괴인성의 기본적 개념에 대하여 설명함과 동시에 파괴인성의 평가법에 대해서 기술한다.
본 논문에서는 전력 VDMOSFET를 2차원 수치해석하여 I_V특성을 구할 수 있는 computer program을 작성하였고 이 program에 의해서 전력 수직이중확산형 MOS(VDMOS)의 I-V 분포 특성, 전위 및 전자정공 농도 분포특성이 computer simulation되었다. 또 teansconductance, on-resistance 및 표면 이동도 model이 적용된 I_V특성이 simulation되어 실험값 및 선행연구자의 결과값과 비교되었다. 기본 방정식은 유한차등분법(F.D.M)에 의해서 해석되었고 Gummel이 알고리즘과 Mock의 식이 적용 되었다.
한국표면공학회 2011년도 춘계학술대회 및 Fine pattern PCB 표면 처리 기술 워크샵
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pp.137-138
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2011
구리 이온은 -0.40V (vs. SCE)에서 전기화학적 환원이 일어나는 반면, 니켈 이온은 -1.19V (vs. SCE)에서 전착이 발생한다. 따라서, 단일 도금욕조 내에서 Ni-Cu 합금도금층을 제조하기 위해서는 두 금속 이온종 간의 전위차를 줄여주어야 하는데, 이를 위해 본 연구에서는 $Na_3C_6H_5O_7{\cdot}2H_2O$를 착화제로 사용하였다. 다양한 Ni-Cu 합금 도금층의 조성을 얻기 위하여 기본 도금욕 내 황산니켈과 황산구리의 비율을 10:1로 설정하였다. 도금 공정 조건에 따른 합금 도금층 조성 변화를 관찰하기 위하여 도금액 pH와 교반 속도에 따른 도금층 조성 변화를 분석하였으며, 도금액의 UV-VIS과 도금층의 XRD 와 SEM 측정을 통하여 도금욕과 도금층 간의 상관 관계를 유추하였다. 본 도금액에 사용된 $Na_3C_6H_5O_7{\cdot}2H_2O$ 착화제의 효과는 pH3에서 가장 현저하였으며, pH 변화 및 교반 속도 변화를 이용하여 다양한 합금 조성을 얻을 수 있었다.
가설검증 과정에서 자료 분석 결과 산출된 통계치에 대한 해석은 몇 가지 통계학적 이론을 토대로 분석 결과 산출된 관련 통계치의 이론적 확률 분포에 의해 좌우된다. 예를 들어 실험 조건 간 측정치의 평균 차이에 대한 통계적 유의미성은 대개 전집 특성에 대한 몇 가지 이론적 가정에 기초해 구성된 해당 평균 차이값의 확률 분포(예: Student's t)에 기초해 결정된다. 본 연구는 이러한 이론적 통계치의 분포가 아닌 실측정 자료의 무선 재구성을 통해 얻어진 경험적 통계치의 분포에 기초해 가설 검증을 시도하는 무선재추출법의 기본 논리와 장점을 살펴보고 사건관련전위 분석 상황에서의 응용 가능성을 모색하였다. 더 나아가 무선 추출 원리에 기초한 무선치환법이 적용된 구체적 사례를 소개하고 ERP 자료 분석에 있어서 경험적 통계 분석 적용에 앞서 유의할 점을 살펴봄으로써 뇌파 연구자들의 무선재추출법에 대한 정확한 이해를 도모하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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