• Proceedings of the International Microelectronics And Packaging Society Conference
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• 2003.11a
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• pp.177-180
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• 2003

초 박형 실리콘 칩을 이용하여 실리콘 칩들을 포함한 모듈 전체가 굽힘이 자유로운 유연 패키징 기술을 구현하였으며 bending test와 FEA를 통해 초 박형 실리콘 칩의 기계적 특성을 살펴보았다. 초 박형 실리콘칩$(t<30{\mu}m)$은 표면손상의 가능성을 배제하기 위해 화학적 thinning 방법을 이용하여 제작되었으며 열압착 방식에 의해 $Kapton^{(R)}$에 바로 실장 되었다. 실리콘칩과 $Kapton^{(R)}$ 기판간의 단차가 적기 때문에 전기도금 방식으로 전기적 결선을 이룰 수 있었다. 이러한 방식의 패키징은 이러한 공정은 flip chip 공정에 비해 공정 간단하고 wire 본딩과 달리 표면 단차 적다. 따라서 연성회로 기관을 비롯한 인쇄회로기판의 표면뿐만 아니라 기판 자체에 삽임이 가능하여 패키징 밀도 증가를 기대할 수 있으며 실질적인 실장 가능면적을 극대화 할 수 있다.

• Proceedings of the Korean Society of Precision Engineering Conference
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• 2003.10a
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• pp.79-79
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• 2003

• Proceedings of the Korean Society of Precision Engineering Conference
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• 2003.10a
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• pp.88-88
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• 2003

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 1995.06a
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• pp.33-33
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• 1995

• Journal of the Korean Ceramic Society
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• v.35 no.2
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• pp.137-144
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• 1998

High-temperature superconducting joints between 61 filaments of Bi-2223 tapes were fabricated by chem-ical corrosion and repeated thermomechanical process. The silver sheath of the superconducting tape was chemically removed using chemical etchant(NH4OH:H2O2=1:1) from one side of each tape without altering the form of lap joint. The joined region was formed by uniaxial pressing and a series of thermomechanical process and then subjected to properties measurement and microstructural analysis. The critical current(Ic) variation and I-V characteristics along the joint were mesured with several configuration of proble points. Ic value of the transition region of the joint inthe multifilament tape which limit the total current carring capacity of the superconducting tape was higher than that of monofilament tape. But the transition ex-ponent n-value of the multi-filament tape was lower than that of monofilament wire due to the interaction of the individual superconducting core of the multi-filament. The critical current through the joint area was improved by respeated press and reaction annealing treatment.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2016.02a
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• pp.135-135
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• 2016

차세대 가스터빈 엔진 및 초음속 항공기 내 고온부의 온도가 증가함에 따라, 기존의 초내열합금 기반 소재를 사용하기 어려워지고 있다. 초고온 세라믹스는 높은 기계적 물성, 화학적 안정성 등 우수한 고온 특성을 가지고 있어 기존의 초고온 소재를 대체 할 수 있는 물질로 부상되고 있다. 하지만 기존의 금속 기반 소재 대비 높은 밀도로 인하여 초고온 세라믹 단일체를 비행체 부품에 적용하기에는 어려움이 있다. 이에 초고온 세라믹스와 탄소섬유를 포함하는 세라믹 복합체(Ceramic Matrix Composite, CMC)를 제작하여 동등한 기계적 물성을 보이면서 무게를 감소시키는 연구들이 진행 중에 있다. 초고온 세라믹스가 함침 된 세라믹 복합체의 경우 우수한 내삭마, 내산화 특성을 보이지만, 장시간 고온에 노출되어 탄소 섬유가 드러나게 되면 급격한 산화로 인해 소재 특성의 열화가 진행되는 단점을 가지고 있다. 따라서, 탄소 섬유가 드러나지 않도록 복합체 표면에 코팅층을 형성하여 세라믹 복합체 모재를 보호하는 방법이 활발히 연구되고 있다. 본 연구에서는 진공 플라즈마 용사 공정을 이용하여 다양한 공정조건 하에서 초고온 세라믹 코팅층을 형성하였다. 수십 마이크론 크기 분포를 갖는 HfC 분말을 Ar 유송 가스를 이용하여 플라즈마 화염 내부로 투입하였다. 플라즈마 화염 가스는 Ar 과 H2를 혼합하여 구성되었으며, 분위기 가스로는 N2를 사용하였다. 코팅에 사용된 모재로는 ZrB2 단일체와 SiC가 미량 포함된 HfC 단일체를 사용하였다. 다양한 공정 조건하에서 형성된 HfC 코팅층의 두께, 미세 조직구조를 SEM을 이용하여 관찰하였으며, XRD를 이용하여 형성된 HfC 코팅층의 결정구조를 분석하였다.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.7 no.2
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• pp.88-93
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• 1998

The fabrication process and emission characteristics of gated silicon field emitter arrays(FEAs) using chemical-mechanical-polishing (CMP) method are described. Novel fabrication techniques consisting of two-step dry etching with oxidation of silicon and CMP processes were developed for the formation of sharp tips and clear-cut edged gate electrodes, respectively. The gate height and aperture could be easily controlled by varying the polishing time and pressure in the CMP process. We obtained silicon FEAs having self-aligned and clear-cut edged gate electrode opening by eliminating the dishing problem during the CMP process with an oxide mask layer. The tip height of the finally fabricated FEAs was about 1.1 $\mu$m and the end radius of the tips was smaller than 100 $\AA$. The emission current meaured from the fabricated 2809 tips array was about 31 $\mu$A at a gate voltage of 80 V.

• Journal of the Korean Electrochemical Society
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• v.20 no.1
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• pp.1-6
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• 2017

This study investigated the effect of surface pretreatment, which removes native Cu oxides on Cu seed layer, on subsequent Cu electro-/electroless deposition in Cu interconnection. The native Cu oxides were removed by using citric acid-based solution frequently used in Cu chemical mechanical polishing process and the selective Cu oxide removal was successfully achieved by controlling the solution composition. The characterization of electro-/electrolessly deposited Cu films after the oxide removal was then performed in terms of film resistivity, surface roughness, etc. It was observed that the lowest film resistivity and surface roughness were obtained from the substrate whose native Cu oxides were selectively removed.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.18 no.6
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• pp.1401-1406
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• 2014

Knowledge of the manufacturing process of semiconductor devices in order to obtain a copper pattern using chemical mechanical polishing (CMP) planarization using a Wafer polishing process is applied with a thickness of the copper measured in real time, which need to be precisely controlled by, where the acquisition the actual thickness of the sensor value with the calculated value in terms of error can occur in the process. Approximated the actual measurement values so as to obtain a method using a simple average, moving average, compared to the results using filters onggo Strom real-time measurements of the thickness of the units of the control system to reduce the variation in the implementation of the method described for the.

• Proceedings of the Membrane Society of Korea Conference
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• 2004.05b
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• pp.172-175
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• 2004

지금까지의 악을 이용한 분리공정은 수처리 분야에 초점이, 맞춰져 있었고, 상업적으로도 상용화되어왔다. 그러나 최근 들어 기체분리에 관한 많은 연구가 진행되고 있을 뿐 아니라 상업적으로도 관심의 대상이 되고 있다. 그 관심이 성공으로 이어지기 위해서는 기계적, 화학적으로 안정하며, 높은 선택도와 함께 높은 투과도를 갖는 막을 안정적으로 제조하는 기술의 개발이 시급하다.(중략)