• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
• /
• 2011.05a
• /
• pp.125-125
• /
• 2011

티타늄 화합물은 뛰어난 물리적 특성과 인체 무해성을 가지고 있어 생체, 내식 및 내마모 재료 등에 널리 응용되고 있으며, 금(gold)색의 색상 구현을 통해 미적 기능성 향상을 위한 표면처리 분야에도 많은 관심을 받고 있다. 본 연구에서는 아크 방전법을 이용해 밀착력이 우수한 다층 TiN 박막을 제조하고 미세조직 변화에 따른 특성을 알아보고자 한다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
• /
• 1999.07a
• /
• pp.142-142
• /
• 1999

열역학적 평형하에서 금(Au)은 사파이어(Sapphire: 다결정 Al203)와 반응을 하지 않으므로 접합성이 약하나 사파이어표면을 Ar 이온으로 에칭한후 금박막을 증착하였을 때 후 열처리 없이도 대단히 강한 접합(>70MPa)이 얻어졌다. 접합기구를 규명하기 위해 고 해상도 Auger 전자광분광기로 금/사파이어 쌍의 입계에 Ai-Al-O 화합물이 1-2 원자층 범위내에서 형성되어 있고 7KeV의 Ar 이온에너지로 3분간 조사하을 때 사파이어표면에 환원으로 인한 금속알루미늄이 형성되어 있음이 발견되었다. 이 이온조사로 인한 환원은 선택적 에칭으로 인한 것으로 TRIM 계산결과와도 일치하는 것이다. 따라서 금박막과 이온조사된 사파이어 사이의 강한 접합은 이온조사로 인한 사파이어 표면에 충돌할 때의 운동 에너지가 구동력이 되어 Au-Al-O 화합물의 형성으로 결론될 수 있다.

• Analytical Science and Technology
• /
• v.7 no.4
• /
• pp.471-476
• /
• 1994

The capability of PIXE (Proton Induced X-ray Emission) method for the precision measurement of coating thickness has been tested by measuring several gold coated copper plates. Two different experimental methods are applied and compared. The results are compared with those by the weight measurement and proton RBS (Rutherford Backscattering Spectrometry). The advantage of the method is that it can be also used for the nondestructive thickness measurement of this layers on large-scaled samples or archeological samples which cannot be placed in a vacuum chamber.

• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
• /
• 2007.07a
• /
• pp.299-300
• /
• 2007

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea TE
• /
• v.42 no.1
• /
• pp.7-12
• /
• 2005

It was analyzed that the vibration and frequency characteristics for quartz crystal using a finite element method, ANSYS. It was investigated that the resonant frequency of quartz crystal by fixing the diameter of quartz crystal for the various its thickness. There were also studied that the resonant frequency value with different electrode thin films of Au, Ag and Al. As the result of this study, the best condition for quartz crystal unit was determined by the finite element method. If the thickness of quartz crystal is smaller than 0.2 mm, the high frequency over 8.102 MHz was obtained. In addition, as to the change of resonant frequency on electrode thin film, Al turned out to be superior to Au or Ag in frequency response.

• Journal of the Korean Vacuum Society
• /
• v.20 no.2
• /
• pp.93-99
• /
• 2011

We investigated how the surface roughness of electrode affects the charge injection at the pentacene/Au interface. After depositing Au film on the Si substrate by sputtering, we annealed the sample to control the Au surface roughness. Pentacene and Au top electrode were subsequently deposited to complete the sample. The nucleation density of pentacene was slightly higher on the rougher Au electrode, but surface morphologies of thick pentacene films were similar on both the as-prepared and the roughened Au electrodes. The current-voltage curves obtained from the Au/pentacene/Au structure measured as a function of temperature indicated that the interface barrier was higher for the rougher Au bottom-electrode. We propose that the higher barrier was caused by the lower work function of rougher electrode surface and the higher trap density at the interface.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
• /
• v.4 no.1
• /
• pp.42-45
• /
• 1994

Deposition of silicon on pretreated sapphire and glass substrates has been investigated by the solution growth method at low temperatures. An average 14 $\mu\textrm{m}$ thickness of silicon was grown over a large area on sapphire substrate originally coated with a much thinner silicon layer [0.5 $\mu\textrm{m}$ (100) Si/(1102) sapphire)] at low temperatures from $380~460^{\cire}C$. Successful results were obtained from surface treated glass substrates in the temperatures range from $420~520^{\circ}C$.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
• /
• 2008.06a
• /
• pp.178-178
• /
• 2008

초소형 박막의 열전 발전모듈은 작은 부피와 한번 설치시 교체없이 지속적인 전원공급으로 소형의 센서 노드에 전원으로 각광 받고 있다. 이에 본 논문에서는 In Plane방식의 PIN Junction의 박막형 열전소자를 제작하여 보았다. 열전 박막인 P-type의 $BiSbTe_3$와 N-type의 $Bi_2Te_3$은 (001)GaAs 기판에 MOCVD(Metal Organic Chemical Vapour Deposition)방식으로 성장하였으며 전극으로는 E-Beam Evaporator를 이용하여 금(Au), 알루미늄(Al)을 사용하였다. 열전박막의 두께는 MOCVD의 성장시간과 온도 MO-x 가스의 압력으로 조절하여 주었다. 제작결과 1Pairs 당 약 $63{\mu}V$/K을 나타내었다.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
• /
• 2012.05a
• /
• pp.89.2-89.2
• /
• 2012

$150^{\circ}$ 이상의 접촉각을 가지는 초소수성 표면은 self-cleaning, anti-fingerprint, anti-contamination 등의 특성을 가지므로 전자, 도료, 자동차 등 다양한 산업에서 활용될 수 있다. 재료 표면의 친/소수성은 물리적 요인과 화학적 요인 두 가지 요인을 조절함으로써 제어할 수 있다. 즉, 표면의 거칠기를 크게 하거나 표면에너지를 낮춰줌으로써 초소수성 표면을 구현할 수 있다. 실리카는 자연계에 매우 풍부하게 존재하고 있으며, 생체무해하며 내구성과 내마모성, 화학적 안정성, 고온 안정성 등을 지니고 있어 박막소재로 이용하기에 우수한 특징을 지니고 있다. 이러한 실리카 초소수성 코팅층을 형성하는 방법으로 본 연구에서는 전기분무법으로 마이크로 크기의 실리카 입자로 형성된 코팅층을 형성하였다. 이러한 마이크로 구조의 표면거칠기를 더욱 높이기 위하여 금 나노입자를 부가적으로 형성시켜 마이크로-나노구조 혼성의 계층구조를 만들고자 하였다. 금 나노입자는 자외선 조사 광환원법을 사용하였고, 이러한 계층구조에 플루오린 처리를 하여 계층구조 초소수성 코팅층을 형성하였다. 계층구조를 가지는 실리카 코팅층은 물 이외에 표면장력이 낮은 용액에서도 높은 접촉각을 보였고, 이러한 코팅층의 고온 안정성과 내구성, UV 저항성 등을 조사하여 실제 응용 가능성을 검토하였다.

• Proceedings of the Korean Society of Precision Engineering Conference
• /
• 2006.05a
• /
• pp.475-476
• /
• 2006

Self-assembled monolayers (SAMs) formed by the adsorption of alkanethiols, HS(CH2)nX, where X is an organic functional group, onto gold surfaces have attracted widespread interest as templates for the fabrication of molecular and biomolecular microstructures. Previously photopatterning has been thought of as being restricted to the micron scale, because of the well-known diffraction limit. So, we have explored a novel approach to nanofabrication by utilizing a femtosecond laser.