• Journal of the Korean Chemical Society
• /
• v.35 no.6
• /
• pp.699-706
• /
• 1991

The moderate power (500 W) Microwave Induced Plasma was generated with helium gas and was used for the direct analysis of aqueous samples. Usually, the helium plasma obtained with a modified Beenakker type cavity forms a cylindrical one. Though, by the careful controls of gas flows, a "toroidal" shape plasma could be made but its analytical performances were found to be worse. Using the glass frit nebuliser, the detection limits for metal ions obtained were around 10~100 ppb and that for chloride was about 50ppm.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
• /
• 2007.11a
• /
• pp.140-141
• /
• 2007

반도체 소자의 공정에 있어서 device scaling으로 인한 고유전 게이트 산화막 (high-k dielectics thin film)의 공정 개발 확보 방안이 필요하다. 본 논문에서는 유도결합 플라즈마를 이용하여 고유전율 박막을 식각하였다. CF4, SF6 등의 가스에서 금속-F, 금속-S 결합의 낮은 휘발성으로 인하여 시료 표면에 잔류하여 낮은 식각률을 보이며 측벽 잔류물을 형성하였으며, HBr, Cl 기반 플라즈마에서 금속-Br, 금속-Cl 결합은 시료 표면으로부터 탈착이 용이하여 효과적인 식각이 이루어짐을 확인할 수 있었다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
• /
• 2013.02a
• /
• pp.191-191
• /
• 2013

금속 산화물 촉매 입자는 특정한 파장에 의해서 활성화되면서 전자-정공 쌍을 생성한다. 광촉매원리를 이용하면 전자 정공 제공을 통해 기존의 물질 주위에 활성 라디칼을 생성하고 물질의 특성을 변화시킬 수 있다. 이런 독특한 특성을 이용한 금속산화물의 다양한 연구가 물리, 화학, 재료, 생명 분야에서 이루어지고 있다. 본 연구에서는 광촉매 입자와 대기압 플라즈마와의 특성을 활용하여 발생되는 물리적 특성과 재료적인 특성을 이용한 응용 연구에 대한 내용을 다루고 있다. 특히 광촉매로 가장 많이 사용되는 $TiO_2$가 $200^{\circ}C$ 이하 저온 플라즈마 방전가스에 의해 상변화되는 현상을 다루고 이에 대한 구체적인 재료 분석을 실시 하였다. 즉, 저온의 알곤과 알곤/산소 대기압 플라즈마에 의해 처리된 $TiO_2$의 결정성 변화에 대해서 조사하였고 이를 이용하여 유사 작용제의 분해에 대한 연구를 하였다. 신경작용제(VX: nerve agent)의 유사작용제인 말라치온(Malathion)뿐만 아니라 셀룰로우즈(cellulose) 계의 복잡한 구조의 화학유기물 등을 대기압 플라즈마를 이용해 분해시킬 수 있음을 알 수 있었다. 본 연구에서는 대기압 플라즈마와 금속산화물의 결정성 변화에 대한 분석을 통해 기능성화된 촉매입자를 이용한 효과적인 화학물질의 분해를 소개하고, 대기압 플라즈마의 나노 소재기술로의 높은 응용가능성도 함께 살펴보았다.

• Proceedings of the KWS Conference
• /
• v.43
• /
• pp.49-51
• /
• 2004

레이저 아크 하이브리드 용접에서 보호가스로 헬륨을 사용하였을 때 레이저에 의해 발생하는 금속 증기가 아크 플라즈마의 거동에 미치는 영향에 관하여 시뮬레이션 하였다. 해석에 필요한 기본적인 물성치들은 헬륨과 금속 증기의 부분압에 따라 비율로서 결정하였고 아르곤을 사용하였을 때와 비교하여 헬륨 플라즈마의 특성을 파악하였다. 또한 보호가스의 종류에 따라 레이저 빔의 흡수율을 계산하여 고옥의 플라즈마가 발생할 때 헬륨 보호가스가 적당함을 보였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
• /
• 2012.05a
• /
• pp.251-251
• /
• 2012

다양한 금속기판 위에 탄소나노튜브(CNT)를 직접성장 시키는 경우, 플라즈마를 이용한 기판 전처리가 CNT의 저온 합성 및 합성수율 향상에 미치는 영향을 살펴보았다. 합성용 금속기판으로는 SUS316L, Inconel, Invar, Hastelloy 등 Ni계 합금을 이용하였다. 전처리 시 플라즈마의 인가전력 및 기판온도의 증가에 따라 기판 표면조도의 증가를 확인하였고, 그에 따른 합성온도 저하 및 합성수율 증대 결과를 얻었다. 기판 열처리를 부가적으로 실시한 경우, 기판 열처리 온도 또한 합성수율에 영향을 미침을 알 수 있었으며, 특히, 인코넬 기판의 경우, 열처리 후 플라즈마 전처리를 실시한 기판에서 합성수율이 크게 향상되는 것을 알 수 있었다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
• /
• 2016.02a
• /
• pp.223-223
• /
• 2016

산업 및 기술의 발전에 의해 많은 신소재들이 개발되고 있다. 그 중에서 금속 나노 분말의 경우, 자성소재, 차세대 MLCC, 전도성 페이스트, 살균 등 여러 산업분야에서 관심을 보이면서, 다양한 재료들이 개발되고 있는 추세이다. 그 중에서 금속 나노 분말은 입자 미세화에 따른 경도, 인성, 연성들의 기계적 특성 향상, 전자기적 기능의 향상 등 기존재료에 비해 우수한 물성, 새로운 기능의 발현이 입증되면서 차세대 소재로서 많은 연구가 진행되고 있다. 또한 최근에는 단순한 나노입자의 제조단계를 뛰어넘어 입경 및 입도의 제어 형상제어를 통한 입자 균일성이 요구되고 있다 DC 열 플라즈마를 이용한 나노입자 합성 방법은 초고온의 온도의 달성이 가능하여, 모든 금속원소에 대한 나노화 및 고순도화가 용이할 뿐만 아니라, 제조공정이 단순한 친환경 공법으로 저비용으로 나노입자를 제조할 수 있는 장점을 갖고 있다. 본 연구에서는 이송식 DC 열 플라즈마를 이용한 Cu 나노분말 제조, 비이송식 DC 열 플라즈마를 이용한 Fe 나노분말 합성 연구를 통해 반응기의 압력과 플라즈마 파워, Gas 유량등의 공정 변수가 나노입자 생성 특성에 미치는 영향을 확인 하였다. 또한 DC 열플라즈마 나노입자 합성 시스템에 대한 장비와 기술도 소개한다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
• /
• 2012.02a
• /
• pp.538-538
• /
• 2012

전북대학교 고온 플라즈마 응용 연구 센터는 교육과학기술부 기초연구사업 중 고가연구장비 구축사업의 일환으로 고부가가치 재료 연구 및 시험생산이 가능한 소재공정용 200kW ICP(RF) 플라즈마 발생장치를 구축하고 있다. 200 kW급 ICP (RF)형 플라즈마 발생장치는 수~수십 um 크기의 금속, 세라믹 등 고융점 원료분말 등을 수~수십 um 크기의 금속, 세라믹 등 고융점 원료 분말을 순간적으로 용해, 기화 및 분해시키고 이들 기화 또는 분해된 증기를 급랭시키는 과정에서 대량으로 초미분($<1{\mu}m$)을 합성하는 RF 플라즈마 분말 합성 시스템으로 시간당 1 kg 이상의 나노 분말의 제조가 가능하도록 설계 제작된 생산 지원용 대형 ICP(RF) 플라즈마 장치이다.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
• /
• 2012.05a
• /
• pp.335-335
• /
• 2012

금속 박막과 PI film 과의 접촉력을 증가시키기 위하여 remote - type modified dielectric barrier discharge (DBD) module을 이용하여 대기압 플라즈마 표면 처리를 실시한 결과, 접촉각이 매우 낮게 형성됨을 관찰 할 수 있었다.

• Korean Journal of Materials Research
• /
• v.3 no.6
• /
• pp.565-574
• /
• 1993

The Ar/Ar- $H_{2}$ plasma method Lvas applied to reduce and refine high purity Nb metal. Inaddition, the reaction between molten Nb metal and hydrogen were also analyzed in the Ar-(20%)$H_{2}$plasma. The metallic Nb of 99.5wt% was obtained at the ratio of $C/Nb_{2}O_{5}$=5.00 in the Ar plasma reductionand the $O_2$ loss from the thermal decomposition of niobium oxides did not take place. In the Ar-(20%)Hi plasma the metallic Nb of 99.8wt% was produced at the ratio of $C/Nb_{2}O_{5}$=4.80. It was observedthat a major reaction of the deoxidation was the reaction with H, Hi, and a deoxidation by the evaporationof $NbO_x$ did not occur but a mass loss of Nb did by a "splash" effect. The deoxidation reaction rateobeyed the 1st order reaction kinetics and the reaction rate constant(k') of deoxidation was $7.8 \times 10_{-7}$(m/sec).The solubility of hydrogen in Nb metal was 60ppm and it was larger than the solubility of molecularstate hydrogen by 40ppm in the Ar-(20%)$H_{2}$ plasma method. A saturation was within 60sec anda hydrogen content was reduced below lOppm by a Ar plasma re-treatment.by a Ar plasma re-treatment.

• Korean Journal of Metals and Materials
• /
• v.47 no.1
• /
• pp.44-49
• /
• 2009

Indium tin oxide(ITO) thin films were deposited on the glass substrates by radio-frequency (RF) magnetron sputtering method. The influence of rapid thermal annealing (RTA) treatment on the optical and electrical properties of the films were investigated for the purpose of fabricating plasma display signboard. Structural properties, surface roughness, sheet resistance and transmittance of the ITO film were analysed by using x-ray diffraction method, atomic force microscopy (AFM), four point prove, and ultraviolet-visible spectrometer, respectively. It was found that the RTA treatment increased the transmittance and decreased the resistivity of the ITO film, respectively. Furthermore, we successfully demonstrated the direct-current plasma signboard by using ITO electrode and phosphors.