• Journal of the Korean Chemical Society
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• v.19 no.2
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• pp.92-97
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• 1975

The molecular and electronic structures of $TiCl(OC_6H_5)_3{\cdot}C_6H_5OH\;and\;Ti(OC_6H_5)_4{\cdot}C_6H_5OH$ have been studied by employing cryoscopic and electronic spectroscopic methods. The cryoscopic data have shown that the dimeric tetraphenoxytitanium(Ⅳ) phenolate in solid undergoes complete dissociation into monomer in solution and also the chlorocomplex starts dissociation around the concentration of 8 m mole/l. Therefore, these two Ti-complexes are pentacoordinated in dilute solution and the local symmetry of the titanium ion in these complexes seems to be trigonalbipyramid. The electronic spectra of $TiCl(OC_6H_5)_3{\cdot}C_6H_5OH$ and $Ti(OC_6H_5)_4{\cdot}C_6H_5OH$ each show two band, systems, one vibration-structural band characteristic of the aromatic ring in the near UV and another visible band at 26.8 kK, 29.6 kK, respectively, which are assigned as a ligand to metal charge transfer band corresponding to $^1A_1''{\to}^1E'\;or\;^1E''$ transition.

• Korean Chemical Engineering Research
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• v.51 no.4
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• pp.470-475
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• 2013

Zr-benzendicarboxylate structure, UiO-66 was prepared in 1-L batch scale by using a unique sonochemical-solvothermal combined synthesis method. The produced UiO-66 showed uniform particles of ca. $0.2{\mu}m$ in size with the BET surface area of $1,375m^2/g$ in high product yield (>95%). The UiO-66 showed 198 and 84 mg/g $CO_2$ adsorption capacity at 273 K and 298 K, respectively, with excellent $CO_2$ selectivity ($CO_2:N_2=32:1$) at ambient conditions. The isosteric heat of $CO_2$ adsorption varied from 33 to 25 kJ/mol as the adsorption progressed. The UiO-66 tested for xylene isomer separation in a liquid-phase batch mode confirmed preferential adsorption of the adsorbent for o-xylene over m-, and p-xylene.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 1994.11a
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• pp.98-98
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• 1994

최근 청색반도체레이저의 실현을 위하여 ZnSe가 대표하는 II-Ⅵ족 화합물반도체와 Gan가 대표하는 III족 질화물반도체분야에서 집중적인 연구가 이루어지고 있으며, 아직까지 실용화 되지 않고 있는 청색반도체레이저의 출현에 대하여 많은관심이 모아지고 있다. III족 질화물반도체는 InM(Eg:1.9eV)부터 AIN(Eg: 6.2eV)에 이르기까지 전 조성영역에서 완전한 고용체를 이루며, 실온에서 직접천이형 에너지 대구조를 가지므로 청색 혹은 자외영역에서 동작하는 발광소자를 제작하는데 있어 유망시 되고 있는 소재이다. 특히 GaN와 InN의 3원흔정인 GaInN를 활성층으로 이용하면 그 발전파장을 370nm부터 650nm까지 즉 가시 전 영역으로부터 근 자외영역을 포함할 수 있게 된다. 이 연구에서는 AIGaN/GaInN 이중이종접합(DH) 구조의 고아여기에 의한 유도방출고아의 편광 특성을 조사하였다. 유기금속기상에피텍셜(MOVPE)법으로 성장한 AIGaN/GaInN DH 구조의 표면에 수직으로 펄스 발진 질소레이저(파장: 337.1cm, 주기 10Hz, 폭: 8nsec) 빔을 조사하고 DH구조의 단면으로부터의 유도방출광을 편광기를 통과 시킨 후 스펙트럼을 측정하였다. 입사고아 밀도가 증가함에 따라 약 402nm의 파장에서 유도발출에 의한 가도가 큰 피크가 나타났고, 그 반치폭은 약 18meV이었다. 실온에서 AIGaN/GaInN DH 구조로 부터의 유도방출에 필요한 입사광밀도의 임계치는 약 130㎾/$\textrm{cm}^2$이었다. 한편 편광각이 90$^{\circ}$일때는 발광스펙트럼의 강도가 매우 낮고 단지 자연방출에 의한 스펙트럼만이 나타났다. 편광각이 0$^{\circ}$일 때 최대의 방출광 강도를 나타내었으며, 편광각이 -90$^{\circ}$로 회전함에 따라 발고아강도의 강도가 감소하였다. 이와 같은 결과는 광여기에 의하여 AIGaN/GaInN DH 로 부터의 유도방출광이 GaInN활성층의 단면에 평행한 전기장의방향으로, 즉 TE모드로 선형적으로 편광됨을 의미한다. AIGaN/GanN DH 로 부터의 유도방출이 선형적으로 TE모드로 편광되는 것은 이 구조를 이용한 청색 및 자외선 반도체 레이저다이오드의 실현에 매우 유익한 것이다.

• Applied Chemistry for Engineering
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• v.30 no.1
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• pp.11-16
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• 2019

Ni-benzene-1,3,5-tricarboxylic acid based metal organic frameworks were successfully synthesized by hydrothermal method and thermally treated at various temperature. The electrochemical performance of composites was investigated using cyclic voltammetry, galvanostatic charge-discharge, and electrochemical impedance spectroscopy. Among all prepared composites, the samples annealed at $250^{\circ}C$ showed the highest capacitance with a low resistance, and high cycle stability. It was possible to obtain the low electrical resistance and high electric conductivity of the electrode by improved microstructure and morphology after the thermal annealing at $250^{\circ}C$. The samples annealed at $250^{\circ}C$ also displayed the maximum specific capacitance with a value of $953Fg^{-1}$ at a current density of $0.66A/g^{-1}$ in 6 M KOH electrolyte. Moreover, a 86.4% of the initial specific capacitance of the composite was maintained after 3,000 times charge-discharge cycle tests. Based on these properties, it can be concluded that the composite could be applied as potential supercapacitor electrode materials.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.32 no.6
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• pp.225-230
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• 2022

A new two-fold interpenetrating two-dimensional (2D) Tb(III) metal-organic framework (MOF), [Tb(p-XBP4)_2.5(H₂O)₂]·W(CN)₈ (1), was prepared using a p-XBP4 (N,N'-p-phenylenedimethylenbis(pyridin-4-one)), Cs₃[W(CN)₈], and Tb(NO₃)₃·6H₂O. The single crystal X-ray diffraction indicated that Tb-MOF exhibits a unique two-fold interpenetrating 2-D framework. It was also characterized through Fourier transform infrared spectroscopy (FTIR), and single and powder X-ray diffraction. To probe the molecular magnetic behavior, the magnetic properties of Tb-MOF were investigated by direct-current (DC) and alternating-current (AC) magnetic susceptibilities measurements and discussed.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2009.06a
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• pp.117-117
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• 2009

최근 고집적화 구조는 저항(resistance)과 정전용량 (capacitance)에 의한 신호 지연 (RC delay) 증가로 인한 혼선 (cross-talk noise)과 전력소모 (power dissipation)등의 문제를 발생시킨다. 칩 성능에 영향을 미치는 제한인자를 최소화하기 위해서는 저저항 배선 금속과 저유전상수 (low-k)의 층간 절연막 (IMD, intermetal dielectric) 물질이 필요하다. 최근 PECVD (plasma enhanced chemical vapor deposition)를 이용하여 증착시킨 유기살리케이트 (OSG, organosilicate glass)는 가장 유망한 저유전상수 물질로 각광받고 있다. 본 연구에서는 제일원리 연구를 통하여 OSG의 전구체 중에 하나인 DEMS 문자를 모델링하고, 에너지적으로 가장 안정한 구조를 찾아서 각 원자 간의 결합에 따른 해리에너지 (dissociation energy)를 계산하고, DEMS가 H-terminated Si 표면과 반응하는 기구에 대해 고찰하였다. 최적화된 DEMS 분자의 구조를 찾았고 DEMS 분자가 결합이 깨져 조각 분자군으로 될 때의 에너지들을 계산하였다. 계산된 해리에너지로부터 DEMS 분자의 O 원자와 C분자의 결합이 깨져서 $C_2H_5$를 조각 분자군으로 생성할 확률이 총 8가지의 경우에서 가장 높다는 것을 알 수 있었다. 8 가지의 해리된 DEMS 조각 분자군들이 H-terminated Si 표면과 반응할 때의 반응에너지를 계산한 결과 표면의 Si 원자와 DEMS 분자에서 $C_2H_5$가 해리되어 생성된 조각 분자군의 O 원자가 결합을 하고 부산물로 $C_2H_6$를 생성하는 반응이 가장 선호된다는 것을 알 수 있었다. DEMS 분자로 증착시킨 OSG에 대하여 제일원리법을 이용하여 계산한 연구는 보고된 바 없기 때문에, DEMS 분자의 각 원자 간의 해리에너지와 Si 기판과의 반응에너지는 추후 연구개발의 중요한 기초 자료가 될 수 있다.

• Composites Research
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• v.37 no.3
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• pp.155-161
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• 2024

Boron nitride nanotubes and carbon nanotubes are the most representative one-dimensional nanostructures, and have received great attention as reinforcement for multifunctional composites for their excellent physical properties. The two nanotubes have similar excellent mechanical stiffness, strength, and heat conduction properties. Therefore, the reinforcing effect of these two nanotubes is greatly influenced by the properties of their interface with the polymer matrix. In this paper, recent comparative studies on the reinforcing effect of boron nitride nanotubes and carbon nanotubes through experimental pull-out test and in-silico simulation are summarized. In addition, the conflicting aspect of the two different nanotubes with structural defects in their side wall is discussed on the viscoelastic damping performance of nanocomposites.

• Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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• v.1 no.1
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• pp.37-42
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• 2000

Copper thin films have been prepared by a metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) technology on polyimide and TiN substrates. The Cu-MOCVD technology has advantages of the high deposition rate and the good step coverage compared with the conventional physical vapor deposition (PVD) technology in several industrial applications. The Cu films have been deposited with varying the experimental conditions of substrate temperatures and copper source vapor pressures. The films were annealed in a vacuum condition after the deposition, and the annealing effect on the electrical properties of the films was measured. The crystallinity and the microstructures of the films were observed by scanning electron microscopy (SEM), and the electrical resistivity was measured by 4-point probe. In the case of the Cu deposition on TiN substrate, the best electrical property of the films was measured for the samples prepared at 18$0^{\circ}C$. Very high deposition rate of the Cu film up to 250 nm/min was obtained on the polyimide substrate when the mixture of liquid and vapour precursor was used.

• Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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• v.19 no.1
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• pp.61-66
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• 2012

Chemical Mechanical Planarization (CMP) is a polishing process used in the microelectronic fabrication industries to achieve a globally planar wafer surface for the manufacturing of integrated circuits. Pad conditioning plays an important role in the CMP process to maintain a material removal rate (MRR) and its uniformity. For metal CMP process, highly acidic slurry containing strong oxidizer is being used. It would affect the conditioner surface which normally made of metal such as Nickel and its alloy. If conditioner surface is corroded, diamonds on the conditioner surface would be fallen out from the surface. Because of this phenomenon, not only life time of conditioners is decreased, but also more scratches are generated. To protect the conditioners from corrosion, thin organic film deposition on the metal surface is suggested without requiring current conditioner manufacturing process. To prepare the anti-corrosion film on metal conditioner surface, vapor SAM (self-assembled monolayer) and FC (Fluorocarbon) -CVD (SRN-504, Sorona, Korea) films were prepared on both nickel and nickel alloy surfaces. Vapor SAM method was used for SAM deposition using both Dodecanethiol (DT) and Perfluoroctyltrichloro silane (FOTS). FC films were prepared in different thickness of 10 nm, 50 nm and 100 nm on conditioner surfaces. Electrochemical analysis such as potentiodynamic polarization and impedance, and contact angle measurements were carried out to evaluate the coating characteristics. Impedance data was analyzed by an electrical equivalent circuit model. The observed contact angle is higher than 90o after thin film deposition, which confirms that the coatings deposited on the surfaces are densely packed. The results of potentiodynamic polarization and the impedance show that modified surfaces have better performance than bare metal surfaces which could be applied to increase the life time and reliability of conditioner during W CMP.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2012.05a
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• pp.83-83
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• 2012

금속 실리사이드는 낮은 비저항, 실리콘과의 좋은 호환성 등으로 배선 contact 물질로 널리 연구되고 있다. 특히 $CoSi_2$는 선폭의 축소와 관계없이 일정하고 낮은 비저항과 열적 안정성이 우수한 특성 등으로 배선 contact 물질로 활발히 연구되고 있다. 금속 실리사이드를 실리콘 평면기판에 형성시키는 방법으로는 열처리를 통한 금속박막과 실리콘 기판 사이에 확산작용을 이용한 SALICIDE (self-algined silicide) 기술이 대표적이며 CoSi2도 이와 같은 방법으로 형성할 수 있다. Co 박막을 증착하는 방법에는 물리적 기상증착법 (PVD)과 유기금속 화학 증착법 등이 보고되어있지만 최근 급격하게 진행 중인 소자구조의 나노화 및 고 단차화에 따라 기존의 증착 기술은 낮은 단차 피복성으로 인하여 한계에 부딪힐 것으로 예상되고 있다. ALD(atomic layer deposition)는 뛰어난 단차 피복성을 가지고 원자단위 두께조절이 용이하여 나노 영역에서의 증착 방법으로 지대한 관심을 받고 있다. 앞선 연구에서 본 연구진은 CoCp2 전구체과 $NH_3$ plasma를 사용하여 Plasma enhanced ALD (PE-ALD)를 이용한 고 순도 저 저항 Co 박막 증착 공정을 개발 하고 이를 SALICIDE 공정에 적용하여 $CoSi_2$ 형성 연구를 보고한 바 있다. 하지만 이 연구에서 PE-ALD Co 박막은 플라즈마 고유의 성질로 인하여 단차 피복성의 한계를 보였다. 이번 연구에서 본 연구진은 Co(AMD)2 전구체와 $NH_3$, $H_2$, $NH_3$ plasma를 반응 기체로 사용하여 Thermal ALD(Th-ALD) Co 및 PE-ALD Co 박막을 증착 하였다. 고 단차 Co 박막의 증착을 위하여 Th-ALD 공정에 초점을 맞추어 Co 박막의 특성을 분석하였으며, Th-ALD 및 PE-ALD 공정으로 증착된 Co 박막의 단차를 비교하였다. 연구 결과 Th-ALD Co 박막은 95% 이상의 높은 단차 피복성을 가져 PE-ALD Co 박막의 단차 피복성에 비해 크게 향상되었음을 확인하였다. 추가적으로, Th-ALD Co 박막에 고 단차 박막의 증착이 가능한 Th-ALD Ru을 capping layer로 이용하여 CoSi2 형성을 확인하였고, 기존의 PVD Ti capping layer와 비교하였다. 이번 연구에서 Co 박막 및 $CoSi_2$ 의 특성 분석을 위하여 X선 반사율 분석법 (XRR), X선 광전자 분광법 (XPS), X선 회절 분석법 (XRD), 주사 전자 현미경 (SEM), 주사 투과 전자 현미경 (STEM) 등을 사용하였다.