• Journal of the Korean GEO-environmental Society
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• v.11 no.10
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• pp.33-39
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• 2010

A self-organized nano-structured, photocatalytic $TiO_2$ membrane with large surface area of anatase crystallites was successfully fabricated by anodization. The nano-structured anodized $TiO_2$ membrane was characterized using EDX, SEM and XRD techniques and the effect of electrolyte type and concentration to fabricate $TiO_2$ metal membrane was also investigated. Regular nano tubular arrays were obtained By the EDX, SEM and XRD patterns, the anodized $TiO_2$ membrane showed the enhanced photocatalytic properties of anatase phase. Photocatalytic activities of fabricated $TiO_2$ metal membrane was also experimentally investigated as model compound of humic acid.

• Journal of the Korean Chemical Society
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• v.43 no.1
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• pp.23-29
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• 1999

The Al oxide layer formed in 1M $H_2SO_4$ solution and the influence of applied frequency for electrodeposition of Mn on Al oxide layer were characterized using by impedance spectroscopy. Mn compounds were electrodeposited at the base of pores during deposition with applied low frequency voltage. For the Mn deposited oxide layer at 6OHz and 5Hz in 1 g/L $KMnO_4$ solution, in equivalent circuit for interpretation, the resistance ($R_2$) and capacitance ($C_2$) were considered to be due to deposition of Mn on base of pore. The electrochemical behavior of barrier layer and porous oxide layer on Al have been characterized by capacitance ($C_b$) and Young capacitance ($C_Y$) in equivalent circuit model.

• Journal of Korean Electronics
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• v.3 no.7
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• pp.138-146
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• 1983

• Proceedings of the Korean Radioactive Waste Society Conference
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• 2005.11a
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• pp.58-59
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• 2005

• 전기의세계
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• v.27 no.2
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• pp.32-33
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• 1978

1.반도체표면에서 금속피막의 광투과율 2.퍼멀로이박막의 전류센서

• Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics
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• v.4 no.1
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• pp.3-12
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• 1967

This study has been endeavored to deposit resistance films of tin oxide on the cylindrical Pyrex glass rods. In this report, at first an outline of the film formation is described and later some electrical properities of the resistance films manufactured through new method is discussed in detail. Because the new method which is called, "Chemical Vapour Reaction Process", is not only easy to get stable resistance films, but also doesn't need vacuum systtem, it seems to be a promising fundamental process to go into flow system mass production. Electrical properties of resistance films made by the new mathod are similar to or surpassing those by provious method (for example splay method). The top data thus obtained shows that surface resistivity is 25ohm/sq. with 12 ppm in temperature coefficient of resistor. resistor.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2013.08a
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• pp.122.2-122.2
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• 2013

플라즈마 전해산화(plasma electrolytic oxidation) 기술을 이용하여 제작한 산화 피막은 피막의 하층부(기지 금속과 접해 있는 부분)는 ${\alpha}$-phase의 산화물이 대부분을 이루고 있으며, 기지 금속과의 접착성도 뛰어나다. 하지만 피막의 표면이 거칠고, 다공성을 띄는 특징을 보인다. 본 연구에서는 피막의 거칠기와 다공성을 제어하기 위한 방법으로 전해액에 포함된 불순물(Si, P 등) 조성비의 변화에 초점을 맞췄으며, 불순물(Si, P 등)의 조성비를 변화시켜 가면서 실험을 진행하였다. 실험에는 60 Hz, 35 kW(700 V, 50 A)의 power supply가 사용되었다. 또한, 실험의 결과로 제작된 시편의 내전압(10 V/s), 내플라즈마(200 W, 10 min, Ar 5 sccm, 200 mTorr), 내화학성(HCl 36.46 wt%, 120 min) 테스트를 진행하였으며, 실험 결과를 바탕으로 ${\phi}300$ 대면적 시편의 제작도 완료하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2017.05a
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• pp.150.1-150.1
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• 2017

구조용 합금 중 가장 우수한 비강도를 나타내는 마그네슘 및 마그네슘 합금은 최근 자동차, 항공, 기계 및 전자산업 등 다양한 산업분야에서 이용되고 있다. 하지만 마그네슘 합금은 반응성이 매우 커서 쉽게 부식되는 단점이 있다. 따라서 최근 내식성 향상을 위한 표면처리 기술에 대한 연구의 필요성이 증대되고 있으며, 그 중 플라즈마 전해산화법(Plasma electrolytic oxidation)은 양극산화반응을 이용하여 고내식성, 고경도의 산화피막을 금속 표면에 형성시키는 방법으로 많은 연구가 진행되고 있다. 본 연구에서는 탄산이온이 포함된 수용액에서 수산화나트륨의 농도가 AZ31 마그네슘 합금의 플라즈마전해산화 피막형성에 미치는 영향에 대해 알아보았다. 다양한 농도의 수산화나트륨 용액에서 DC 전류를 인가하여 플라즈마전해산화 피막을 형성하였다. 탄산 이온이 포함된 수용액에서 수산화나트륨의 농도가 높아질수록 플라즈마 전해산화 피막의 형성전압은 낮아지며, 초기 피막 형성전압 상승 속도 또한 빠르게 증가하며 피막 형성전압 등락의 폭은 감소하는 것으로 나타났다.

• The korean journal of orthodontics
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• v.25 no.1 s.48
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• pp.43-54
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• 1995

This study was conducted to examine the metal release of TiN-plated stainless steel orthodontic appliances by constructing the simulated orthodontic appliances equivalent to maxillary half arch, by dividing into TiN-plated and TiN-nonplated Bloops and by dividing again these groups into welded and nonwelded groups. And then, the total quantity of metal release was obtained by measuring the amounts of both soluble and precipitated nickel and chromium after immersing in artificial saliva for 15 days. And then, the corrosion appearance of surface structure was observed by using SEM. The results of this study were summarized as follows. 1. The total amounts of released nickel and chromium showed that the TiN-plated group after welding(Group 1) was 25.46 ${\mu}g$, respectively, and 17.4 ${\mu}g$, while the TiN-nonplated group after welding(Group III) was 54.69 ${\mu}g$, respectively, and 85.27 ${\mu}g$. Then, the TiN-Plated group indicated less amounts of metal release(p<0.05). 2. The total amounts of the TiN-plated group without welding(Group II) was 0.05${\mu}g$ and 0.34${\mu}g$, respectively. Then, it was shown that the TiN-plated group without welding(Group II) indicated less metal release than that of the TiN-Plated group after welding(Group I)(p<0.01, p<0.05). 3. When observing their surface structure, there were a lot of precipitate and pitting corrosion in the groups with welding(Group I & III), when the TiN-plated group(Group I) showed lower level than the TiN-nonplated group(Group IIII). On the other hand, the groups without welding(Group II & IV) indicated a little of pitting corrosion. 4. In case of observation with the naked eyes, it was shown that there were significant disco1oration and corrosion in the groups with welding(Group I & III), while there was no any remarkable change in the groups without welding(Group II & IV).

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2015.05a
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• pp.139-140
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• 2015

주석(Sn)은 뛰어난 유연성을 나타내기 때문에 접촉저항을 감소시킬 목적으로 전자부품과 전자기기의 도선과 단자를 피복하는데 사용된다. 하지만 특정한 조건에서 시간경과와 함께 위스커라는 침상결정이 발생하여 회로 단락을 초래하는 것이 문제이다. 위스커는 직선형, 굴곡형, 곡선형의 형태로 성장하며 직경은 $1{\mu}m$, 길이는 수백 ${\mu}m$에서부터 수 mm에 이른다. 발생 초기단계에서 성장이 정지된 작은 덩어리도 위스커와 함께 관찰된다. 주석도금 피막에서 발생하는 위스커는 1940년대 미국의 전화교환기 단락원인으로 널리 알려지게 되었다. 이러한 위스커를 억제하는 방법으로 주석-납 도금이 개발되었다. 주석-납 도금피막에서는 작은 덩어리가 다수 발생하는 반면에 위스커는 발생하지 않는다. 하지만 2006년 7월에 시행된 RoHS(Restriction of the use of certain Hazardous Substances) 지령에서 수은, 카드뮴, 6가 크롬 및 납은 유해물질로 지정되어 사용이 엄격히 규제되고 있다. 주석 도금피막의 위스커가 발생하고, 성장하는 원인으로 도금피막 내부의 압축응력과 전위, 산화피막, 도금피막-기판계면에서 발생하는 금속간화합물 주변의 변형을 들 수 있다. 본고에서는 도금하여 얻은 주석피막 표면에 형성된 위스커를 중심으로 증착피막과 주석도금 피막을 용융 응고하여 형성된 합금의 경시변화를 비교하고, 작은 덩어리와 위스커의 발생 및 성장 기구에 관하여 기술하였다.