• Korean Chemical Engineering Research
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• v.59 no.4
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• pp.548-556
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• 2021

This study was conducted to investigate the applicability of lignocellulosic fiber and coconut shell activated carbon (CSA) for the production of a particulate matter (PM)-reducing air-filter as raw materials to solve the environmental problems of non-woven fabrics. CSA had a good potential to use as a raw material of air-filter for reducing volatile organic compounds as well as noxious metals, and reduction capability of the CSA was 5 times higher than that of wood fiber. Natural adhesives formulated with proteinaceous wastes mostly were applied successfully to fabricate air-filters with the shape of fiberboard. The air-filter fabricated with the minimum target density of 200 kg/m³ and the maximum CSA-content of 40 wt% in fiberboard had a good manageable strength. However, the fiberboard filters was required to make vent-holes for improving an air-permeability of the filters. Size of the CSA particles was adjusted to greater than 2 mesh with the consideration of strength and formability of the fiberboard. Three-layers fiberboard that only wood fiber and the mixture of wood fiber and CSA were formed in the surface and middle layers, respectively, was determined to the optimal condition for the production of air-filters. In addition, traditional Korean paper handmade from mulberry trees (TKP) showed a good PM-reducing property as an air-filter. It is concluded that air-filtering set composed of fiberboard with vent-holes and TKP instead of conventional air-filters made with non-woven fabrics can be used as a filter for reducing the concentrations of PM, VOC and noxious metals existed in indoor and outdoor spaces.

• Microbiology and Biotechnology Letters
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• v.7 no.2
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• pp.75-89
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• 1979

One strain of Penicillium sp. (175-66-B), isolated from soil, was able to produce a substance that has a strong inibition activity against the Agkistrodon and Trimeresurus venoms. In this experiment, the chemical and biological properties of the sample were investigated. As an inhibitory substance, it was effective to the proteinase, hemorrhagic and lethal factors of Agkistrodon and Trimeresurus venoms, and also effective to several fractions of the proteinases and hemorrhagic factors of Agkistrodon halys blomhoffi venom. Moreover, in the addition of prednisotone, it was more effective for the cure of the mouse envenomated with the venom amount of two fold of MLD$_{100}$. This substance was very stable to the acid, alkali and heat. Its melting point was high enough to sublime at 222$^{\circ}C$ without any decomposition. This sample was easily dissolved only in hot water, but not in several organic solvents except for a little dissolution in elate. It did not have the chelating activity. It had very strong specificity to the snake venoms. but its activity was depressed by the addition of zinc or cupric salts. This sample had no acute toxicity to the mouse. Its chemical formula was $C_{16}$ $H_{12}$$N_2$ $O_{10}$ with the molecular weight of about 392. It has two epoxy groups and four carboxyl radicals, but amino, nitrite and nitrate radicals, unsaturated bonds and aromatic ring were not detected. Theuchemical configuration of this sample was suggested to be;

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2014.02a
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• pp.310-310
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• 2014

ZnO박막은 넓은 밴드갭 (3.37 eV), 높은 여기 결합 에너지 (60 meV)를 가지는 육방정계 우르자이트(hexagonal wurtzite) 결정구조를 가지는 II-VI족 화합물 반도체로, 가시광선 영역에서의 높은 광학적 투과도 특성과 자외선 파장에서 발광이 가능한 장점을 가진다. 최근, ZnO박막 성장 기술이 상당히 발전하였지만, 아직까지도 p-형 ZnO박막 성장 기술은 충분히 발전하지 못하여 ZnO의 동종접합 LED는 아직 상용화되지 않고 있는 실정이다. 따라서, 많은 연구 그룹에서 p-GaN, p-SiC, p-diamond, p-Si 등과 같은 p-type 물질 위에 n-type ZnO를 성장시킨 이종접합 다이오드가 연구되고 있다. 특히, p-GaN의 경우 ZnO와의 격자 불일치 정도가 1.8 % 정도로 작다는 장점이 있어 많은 연구가 이루어 지고 있다. 일반적으로 c-축을 기반으로 한 극성ZnO 발광다이오드에서는 자발 분극과 압전 분극 현상에 의해 밴드 휨 현상이 발생하고, 이로 인해 전자와 정공의 공간적 분리가 발생하게 되어 발광 재결합 효율이 제한되고 있다는 문제가 발생한다. 따라서, 본 연구에서는 극성 (0001) 및 비극성 (10-10) n-ZnO/p-GaN 발광다이오드의 성장 및 발광 소자의 전기 및 광학적 특성에 대한 비교 연구를 진행하였다. 금속유기 화학증착법을 이용하여 c-면과 m-면 위에 각각 극성 (0001) 및 반극성 (11-22) GaN박막을 $2.0{\mu}m$ 성장시킨 후 Mg 도핑을 한 p-GaN을 $0.4{\mu}m$ 성장시켜 각각 극성 (0001) 및 반극성 (11-22) p-GaN템플릿을 준비하였다. 이후, N2분위기 $700^{\circ}C$에서 3분동안 열처리를 통하여 Mg 도펀트를 활성화시킨 후 원자층 증착법을 이용하여 동시에 극성 및 반극성 p-GaN의 위에 n-ZnO를 $0.11{\mu}m$ 성장시켜 이종접합구조의 발광소자를 형성하였다. 이때, 극성 (0001) p-GaN 위에는 극성의 n-ZnO 박막이 성장되는 반면, 반극성 (11-22) p-GaN 위에는 비극성 (10-10) n-ZnO 박막이 성장됨을 HR-XRD로 확인하였다. 극성 (0001) n-ZnO/p-GaN이종접합 발광다이오드의 전계 발광 스펙트럼에서는 430 nm 와 550 nm의 두 피크가 동시에 관찰되었다. 430 nm 대역의 파장은 p-GaN의 깊은 준위에서 발광하는 것으로 판단되며, 550 nm 피크 영역은 ZnO의 깊은 준위에서 발광되는 것으로 판단된다. 특히, 10 mA 이하의 저전류 주입시 550 nm의 피크는 430 nm 영역보다 더 큰 발광세기를 나타내고 있다. 하지만, 10 mA 이상의 전류주입 하에서는 550 nm의 영역보다 430 nm의 발광세기가 더욱 증가하는 것을 확인할 수 있었다. 이것은 ZnO의 밴드갭이 3.37 eV로 GaN의 밴드갭인 3.4 eV다 작기 때문에 우선적으로 ZnO의 깊은 준위에서 발광하는 550 nm가 더욱 우세하지만, 지속적으로 전류주입 증가에 따른 캐리어 증가시 n-ZnO에서 p-GaN로 전자가 넘어가며 p-GaN의 깊은 준위인 430 nm에서의 피크가 우세해지는 것으로 판단된다. 반면에, 비극성 (10-10) n-ZnO/반극성 (11-22) p-GaN 구조의 이종접합 발광다이오드로 전계 발광 스펙트럼에서는 극성 (0001) n-ZnO/p-GaN에 비하여 매우 낮은 전계 발광 세기를 나타내고 있다. 이는, 극성 n-ZnO/p-GaN에 비하여 비극성 n-ZnO/반극성 p-GaN의 결정성이 상대적으로 낮기 때문으로 판단된다. 또한, 20 mA 영역에서도 510 nm의 깊은 준위와 430 nm의 발광이 관찰되었다. 동일한 20 mA하에서 두 피크의 발광세기를 비교하면 430 nm의 영역은 극성 n-ZnO/p-GaN에 비하여 매우 낮은 값을 나타내고 있다. 이는 반극성 (11-22) p-GaN의 경우 극성 (0001) p-GaN에 비하여 우수한 p-형 특성에 기인한 것으로 판단된다.