• 제목/요약/키워드: 글로우방전 질량분석

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SIMS와 GDMS를 이용한 구리와 탄탈 박막내의 주요불순물 분석 (Analysis of dominant impurities in Cu and Ta films using SIMS and GDMS)

  • 임재원
    • 한국진공학회지
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    • 제13권2호
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    • pp.79-85
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    • 2004
  • 본 논문은 구리와 탄탈 박막내에 불순물로써 함유되기 쉬운 수소와 탄소, 그리고 산소 원소에 대해 이차이온 질량분석기(secondary ion mass spectrometry)와 글로우방전 질량분석기(glow discharge mass spectrometry)를 이용하여 분석하였고, 이들의 분석결과에 대해서 고찰하였다. 구리와 탄탈 박막은 실리콘 기판 위에 비질량 분리형 이온빔 증착장비를 이용하여 기판 바이어스를 걸지 않은 경우와 -50 V(구리 박막) 또는 -125 V(탄탈 박막)의 기판바이어스를 걸은 상태에서 증착하였다. 세슘 이온빔을 이용하여 분석한 SIMS 결과에서, 기판 바이어스를 걸지 않은 경우, 상당히 많은 피크들이 강하게 관찰되었는데 이는 위의 주요불순물들의 결합에 의한 상태로 검출된 것으로 이들 주요불순물들의 조합에 의해 가능한 질량번호를 산출하여 SIMS 결과의 모든 피크들을 해석할 수 있었다. 또한, 박막 내의 주요불순물들의 정량적인 GDMS 분석에 의해 SIMS 결과와의 일치성을 확인할 수 있었다.

글로우방전 질량분석법을 이용한 구리 박막내의 미량불순물 분석: 음의 기판 바이어스에 의한 불순물원소의 농도변화 (Trace impurity analysis of Cu films using GDMS: concentration change of impurities by applying negative substrate bias voltage)

  • 임재원
    • 한국진공학회지
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    • 제14권1호
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    • pp.17-23
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    • 2005
  • 본 논문은 글로우방전 질량분석법(Glow Discharge Mass Spectrometry: GDMS)을 이용하여 구리 박막내의 미량 불순물의 농도분석과 음의 기판 바이어스에 대한 구리 박막내의 불순물의 농도변화에 대해서 고찰하였다. 구리 박막은 실리콘 기판 위에 비질량 분리형 이온빔 증착장비를 이용하여 기판 바이어스를 걸지 않은 경우와 -50 V의 기판 바이어스를 걸은 상태에서 증착하였다. 전기를 통하지 않는 분석 샘플의 경우, 직류(DC) GDMS에 의한 분석시, 샘플 표면에서의 charge-up 효과에 의해 분석에 어려움이 있었지만, 본 실험에서는 간편하게 분석이 가능하도록 샘플을 알루미늄 포일(foil)로 감싸서 구리 박막으로부터 실리콘 기판 뒤의 샘플 홀더까지 전기적 접촉이 이루어지도록 하였다. 구리 타겟과 증착된 구리 박막들에 대한 GDMS 분석결과에 의해서, 전체적으로 박막내의 불순물의 양이 음의 기판 바이어스에 의해 줄어듦으로써 구리 박막의 전체 순도를 높일 수 있다는 것을 알게 되었다. 음의 기판 바이어스에 의한 불순물들의 농도변화는 각각의 불순물의 이온화 포텐셜의 차이에 의한 것으로, 박막 증착시 플라즈마내의 Penning ionization effect와 본 논문에서 제시한 이온화 과정에 의해 각 불순물의 농도변화가 설명되어질 수 있었다. 또한, 기판 위에서의 구리 이온들의 충격에 의한 cleaning effect도 박막내의 불순물의 농도변화에 기여했다고 판단된다.

글로우방전 질량분석법을 이용한 다층박막의 표면 분석 (Analysis of multi-layered Surface with Glow Discharge-Mass Spectrometry)

  • 박용남;이계호;김효진
    • 분석과학
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    • 제10권5호
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    • pp.357-361
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    • 1997
  • Griemm 형태의 글로우방전셀을 상업용 사중극자 ICP-MS에 장착시켜 다층박막의 표면 분석을 시도하였다. 지름이 2.0mm인 양극과 적절한 실험 최적 조건을 사용한 결과 ${\mu}m$ 두께의 여러층들을 30여 분 이내에 분석할 수 있었다. Cu-Ni 및 Fe-Ni의 다층막을 GDMS로 분석한 결과 10nm정도의 분해능이 가능하였으며, 이는 바닥이 평평한 crater를 얻을 수 있는 실험조건에서 측정하였기 때문이다.

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미량원소 분석을 위한 GD/MS 이온원의 개발에 관한 연구 (Development of the Ion Source of Glow Discharge/Mass Spectrometry for the determination of trace elements)

  • 우진춘;임흥빈;문대원;이광우;김효진
    • 분석과학
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    • 제5권2호
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    • pp.169-176
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    • 1992
  • 금속시료의 미량원소를 분석하기 위하여 jet형과 글로우방전 이온원을 제작하여 질량 분석기와 연결시킨 후 상대이온세기와 검출한계를 측정하였다. Jet형 이온원으로 구리시료의 시료 손실속도를 측정하였을 때 가스흐름속도가 0.01L/min이었을 때 0.23 mg/min이고 가스흐름이 없을 때는 0.11 mg/min이었다. 그러나 구리의 이온세기를 측정하였을 때는 두 이온원에서 큰 차이가 없었다. 여섯 개의 동합금시료의 검정곡선으로부터 구한 각 원소의 상대이온세기는 철의 0.57부터 크롬의 3.5 범위였다. Jet형 이온원으로 4mA, 1000V 방전시 순수 구리시료의 각 원소에 대한 검출한계는 0.9 ppm에서 2 ppm 수준으로 나타났다.

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