• Title/Summary/Keyword: 구조천이

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The electronic states and transition state of Zr and Hf oxide as a phase shift maske for DUV lithography (DUV lithography 위상 변위 마스크용 Zr, Hf Oxide의 전자상태 및 천이 상태 연구)

  • 김성관;김양수;노광수;허성민;최성운;송정민
    • Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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    • 2003.11a
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    • pp.215-215
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    • 2003
  • 현재 이용되고 있는 위상 변위 마스크, 즉 Cr 계열의 마스크나 MoSiON 마스크는 DUV지역에서 낮은 굴절률을 갖는다. 그 겯과 마스크의 두께가 90 nm 이상이 되고, 웨이퍼에서 패턴 형성 시 에러율이 증가하게 된다. 본 연구에서는 DUV 지역에서 굴절률이 높을 것이라고 예상되는 Zr과 Hf의 oxide를 위상 변위 마스크 물질의 선정하고 각 물질의 전자 상태와 천이 상태를 분석하여 위상변위 마스크로써의 이용가능성을 연구하자 한다. 상온에서 Zr, Hf oxide의 안정한 구조는 cubic 구조와 monoclinic 구조이다. 현재 cubic 구조의 Zr, Hf oxide에 대한 전자 상태는 연구가 많이 되어 있는 반면 monoclinic 구조에서의 전자상태 연구는 미흡하다. 본 연구에서는 monoclinic 구조를 이용하여 Zr, Hf oxide의 클러스터 모델을 제작하였다. 제작된 클러스터 모델에 대하여 DV-X$\alpha$ 계산법을 적용, 기저상태의 전자상태를 계산하였다. 그리고 각 모델에서 Zr L-edge, Hf L-edge 그리고 O K-edge의 천이상태를 연구하여, 기저 상태의 전자상태와 천이상태를 연구하여 광학 성질과의 연관성을 연구하고자 하였다.

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변형효과와 비포물선효과를 고려한 반도체 양자세선의 전하분포와 부띠천이

  • Kim, Dong-Hun;Yu, Ju-Tae;Yu, Ju-Hyeong;Yu, Geon-Ho;Kim, Tae-Hwan
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2012.02a
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    • pp.383-383
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    • 2012
  • 전자소자 및 광전소자의 최적화 조건을 확립하기 위해 반도체 나노양자구조의 물리적 현상에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 반도체 양자세선은 일차원 구조의 기초 물리 특성 관찰과 소자로서의 응용 가치가 높다. 양자세선을 사용한 단전자 트랜지스터, 공명터널 다이오드, 발광다이오드, 광탐지기 및 레이저 소자 제작과 관련한 연구가 활발히 진행 중에 있다. 나노양자구조들 중에서 양자우물과 양자점에 대한 실험적 및 이론적 연구가 많이 진행되었으나, 복잡한 공정 과정과 물리적 이론의 복잡함으로 양자세선에 대한 연구는 상대적으로 미흡하다. 양자세선을 이용한 전자소자와 광전소자의 효율을 증진하기 위해서는 양자세선의 전자적 성질에 대한 연구가 중요하다. 본 연구에서는 InAs/InP 양자세선에 대한 기저상태와 여기상태의 전하분포, 부띠천이 및 전자적 성질을 고찰하였다. 가변 메시 유한 차분법을 이용하여 양자세선의 이산적 모델을 확립하여 변형효과가 양자세선 구조에서 부띠에 영향을 주는지 조사하였다. 변형효과와 비포물선효과를 고려한 슈뢰딩거 방정식을 사용하여 변형 포텐셜을 계산하였으며 양자세선의 포텐셜 변화를 관찰하였다. 양자세선의 포텐셜 변화에 따라 전하구속분포, 에너지 준위 및 파동 함수를 계산하였다. 기저상태의 부띠 간에 발생하는 천이와 여기상태의 부띠 간에 발생하는 부띠 간의 엑시톤 천이 에너지 값을 계산하였다. 계산한 부띠 에너지 천이 값이 광루미네센스로 측정한 엑시톤 천이와 잘 일치하였다. 이 결과는 양자세센의 이차원적인 전자적 구조를 이해하고 양자세선을 사용하여 제작된 전자소자 및 광전소자의 전자적 성질을 연구하는데 도움을 주며, 저전력 나노양자소자를 제작하는 기초지식을 제공하는 중요한 역할을 할 것이다.

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Ku-Band Transitions between Microstrip and Substrate Integrated Waveguide and Microstrip and Hollow Substrate Integrated Waveguide (Ku-대역 마이크로스트립-SIW 및 마이크로스트립-HSIW 천이 구조)

  • Hong, Sung-June;Kim, Seil;Lee, Min-Pyo;Lim, Jun-Su;Kim, Dong-Wook
    • The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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    • v.30 no.2
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    • pp.95-103
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    • 2019
  • In this paper, we present a microstrip-to-substrate integrated waveguide(SIW) transition and microstrip-to-hollow SIW(HSIW) transition for Ku-band satellite communication systems. For the complete utilization of the HSIW, a structure filled with air instead of a dielectric material, a microstrip-to-HSIW transition is designed, fabricated, and compared with a microstrip-to-SIW transition. A back-to-back microstrip-to-SIW transition is measured in the range 12~18 GHz; it exhibits a return loss ${\geq}20dB$ and an insertion loss of $1.5{\pm}0.2dB$. In contrast, a back-to-back microstrip-to-HSIW transition exhibits a return loss of at least 15 dB and an insertion loss of $0.55{\pm}0.2dB$ in the same frequency range.

A High Efficiency Full-Bridge Converter With Phase-Shifted Controlled Active Rectifier (위상-천이 제어 기법의 액티브 정류기 구조를 갖는 고효율 풀-브릿지 컨버터)

  • Han, Jung-Kyu;Kim, Keon-Woo;Choi, Seung-Hyun;Moon, Gun-Woo
    • Proceedings of the KIPE Conference
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    • 2019.07a
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    • pp.14-16
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    • 2019
  • 본 논문에서는, 위상-천이 제어 기반의 액티브 정류기 구조를 갖는 새로운 고효율 풀-브릿지 컨버터를 제안한다. 기존의 위상-천이 풀-브릿지 컨버터는 풀-브릿지 구조로 인한 스위치의 작은 도통손실과, 영전압 스위칭 등의 특징으로 인해 높은 용량에서 널리 쓰이는 토폴로지이다. 하지만, 위상-천이 풀-브릿지 컨버터는 넓은 입력전압 범위에서 설계되면 1차측에 큰 환류 전류가 생겨 도통손실이 증가하는 문제점을 갖는다. 따라서 이를 해결하기 위해, 제안하는 회로는 액티브 정류기를 사용하여 1차측 스위치들이 항상 최대 시비율로 동작할 수 있게 한다. 이로 인하여 순환 전류가 사라져 넓은 입력전압 범위에서도 높은 효율을 달성 할 수 있다. 뿐만 아니라, 제안하는 정류기의 구조 상 특징으로 인해 액티브 정류기의 스위치는 전압 링잉을 갖지 않고 출력 전압으로 고정되어 낮은 전압 스트레스를 갖는다. 제안하는 회로의 효용성을 증명하기 위해, 250-400V 입력, 56V/12.8A 출력에서 실험이 진행되었다.

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Design of Phase Shift Lines in Linear Power Amplifier Using Shifted Photonic Bandgap (가변 PBG 천이격자를 이용한 선형증폭기 위상제어 선로 설계)

  • 윤진호;서철헌
    • The Journal of Korean Institute of Communications and Information Sciences
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    • v.27 no.5C
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    • pp.496-499
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    • 2002
  • In this paper, a phase shifter with shifting photonic bandgap(PBG) cell in linear feedforward amplifier is designed and fabricated in 5GHz wireless LAN band. Now a day, the phase shifter has been fabricated with hybrid type. In this paper, a portion of PBG cell is shifted for the tuning phase. The phase shift was achieved maximum 80o in our PBG structure. Shifting PBG cell has been applied in feedforward main loop to cancel the main two tone signal.

Plant Community Structure of Donghakas Valley in Kyeryongsan National Park (계룡산국립공원 동학사 계곡의 식물군집구조)

  • Han, Bong-Ho;Cho, Woo;Lee, Soo-Dong
    • Korean Journal of Environment and Ecology
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    • v.14 no.4
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    • pp.238-251
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    • 2001
  • 본 연구는 계룡산국립공원 동학사 계곡의 식물군집구조를 파악하기 위하여 실시되었으며, 10cm$\times$10m(100$\m^2$) 조사구를 52개 설정하여 식생조사를 실시하였다. 52개 조사구는 TWINSPAN에 의한 classifi-cation 분석과 DCA ordination 분석을 통하여 소나무군집(16개 조사구), 밤나무군집(4개 조사구), 신갈나무군집(5개 조사구), 졸참나무군집(13개 조사구), 느티나무군집(4개 군집), 서어나무군집(10개 조사구)으로 나누어졌다. 6개 군집의 천이경향을 살펴보면 소나무군집, 신갈나무군집, 졸참나무군집,느티나무군집은 각 층위별 안정된 층위구조로 현상태를 유지할 것이며, 밤나무구닙은 참나무류를 거쳐 서어나무로의 천이가 진행될 것으로 판단되었고, 서어나무군집은 졸참나무와 굴참나무군집으로 퇴행천이될 것이다. 6개 군집의 Shannon의 종다양도지수는 1.2732~1.4699이었다.

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Transition Repression Architecture for scan CEll (TRACE) in a BIST environment (BIST 환경에서의 천이 억제 스캔 셀 구조)

  • Kim In-Cheol;Song Dong-Sup;Kim You-Bean;Kim Ki-Cheol;Kang Sung-Ho
    • Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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    • v.43 no.6 s.348
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    • pp.30-37
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    • 2006
  • This paper presents a modified scan cell architecture to reduce the power dissipation during testing. It not only eliminates switching activities in the combinational logic during scan shifting but also reduces switching activities in the scan chain during the time. Furthermore, it limits the transitions on capture cycles. It can be made for test-per-scan BIST and employed in both single scan style and multiple scan style. Experimental results demonstrate that the proposed structure achieves the same fault coverage with lower power consumption compared to other existing BIST schemes.

Corrosion Characteristics and Oxide Microstructure of Zirconium Alloys for Nuclear Fuel Cladding (핵연료피복관용 Zr 합금의 부식특성 및 산화막 미세구조)

  • Jeong, Yong-Hwan;Baek, Jong-Hyeok;Kim, Seon-Jae;Kim, Gyeong-Ho;Choi, Byeong-Gwon;Jung, Yeon-Ho
    • Korean Journal of Materials Research
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    • v.8 no.4
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    • pp.368-374
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    • 1998
  • The corrosion characteristics of zirconium alloys have been investigated in various aqueous solutions of LiOH. NaOH, KOH, RbOH. and CsOH at 3S$0^{\circ}C$. The concentrations of solutions were set to 4.3 mmol and 32.Smmol with equimolar $M^+$ and OH . The oxide characterization was performed using TEM on the samples corroded in 32. Smmol LiOH, NaOH, and KOH solution. The samples were prepared to have the same oxide thickness for the pretransition and post- transition regimes. Considering the trend of experimental data, the cation would playa major role in the corrosion process of Zr alloys in alkali hydroxide solutions. The microstructures of the oxides formed in various solutions were quite different. In LiOH solution the oxides grown in pre-transition as well as post-transition had the equiaxed structures with many pores and open grain boundaries. The oxides grown in NaOH solution had the protective columnar structures in pre-transition and the equiaxed structures with many open grain boundaries in post- transition. On the other hand. in KOH solution the columnar structure was maintained from pre- transition to post- transition. It was considered that the cation incorporation into zirconium oxide controlled the oxide characteristics and the corrosion acceleration in alkali hydroxide solutions.

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스펙트럼천이 신형전환로 개념

  • 한국원자력산업회의
    • Nuclear industry
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    • v.8 no.4 s.62
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    • pp.76-78
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    • 1988
  • 스펙트럼천이 신형전환로 (이하 신형전환로)는 표준 가압수형원자로의 로심과 로심주변을 변형한 원자로이다. 신형전환로와 기존 가압수형원자로와의 다른 점은 핵연료집합체설계와 원자로내부구조인데, 신형전환로 로심은 기존의 가압수형원자로와 유사한 구조의 핵연료집합체로 구성되어 있으나 주요한 차이는 사각형이 아니라 육각형으로 되어 있다는 점이다.

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A High Efficiency Phase-Shifted Full-Bridge Converter with Wide Input Voltage Range (넓은 입력전압 범위에서 높은 효율을 가지는 위상천이 풀브릿지 컨버터)

  • Han, Jung-Kyu;Choi, Seung-Hyun;Moon, Gun-Woo
    • Proceedings of the KIPE Conference
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    • 2017.07a
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    • pp.3-4
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    • 2017
  • 본 논문에서는, 넓은 입력전압 범위에서 높은 효율을 가지는 위상천이 풀브릿지 컨버터를 제안한다. 위상천이 풀브릿지 컨버터는 풀브릿지 구조로 인한 스위치의 작은 도통 손실과, 영전압 스위칭 등의 특징으로 인해 높은 용량에서 널리 쓰이는 토폴로지이다. 하지만, 위상천이 풀브릿지 컨버터는 넓은 입력전압 범위에서 설계되면 1차측에 큰 환류 전류가 생겨 도통손실이 증가하는 문제점이 생긴다. 따라서 이를 해결하기 위해, 제안하는 회로는 추가 소자 없이 간단히 2차측 정류기 구조를 바꾸어, 1차측 환류 전류를 제거한다. 이로 인해 제안하는 회로는 넓은 입력전압 범위에서도 높은 효율을 가진다. 제안하는 회로의 효용성을 증명하기 위해, 320-400V 입력 전압과 56V/12.8A의 출력에서 실험이 진행되었다.

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