• 제목/요약/키워드: 구리 박막

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전해도금법을 이용한 구리 박막의 성장 및 열처리 효과 (Growth and Annealing Effect of Cu thin Films Using Electroplating Technique)

  • 박병남;강현재;최시영
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제40권10호
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    • pp.1-8
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    • 2003
  • 본 연구는 Cu/Ta/Si 기판 위에 전해 도금법으로 성장시킨 구리 박막을 성장 시켰다. 성장 속도는 음극 전류 밀도에 비례하고, 용액의 유량에 반비례하였다. 성장된 구리 박막의 저항률은 약 2.1 μΩ㎝ 이었고, Int/sub (111)//Int/sub (200)/, 비는 5.4였으며, 박막내에 불순물은 발견되지 않았다. 성막후에 10/sup -3/ torr 진공 중에서 온도를 변화해 가면서 열처리를 수행하였다. 열처리후에 저항률은 17 %, 결정성은 40 %의 향상을 보였으며 170℃ 까지는 박막의 스트레스는 변화가 없었다.

전해액 조성이 전기도금으로 제작된 구리박막의 특성에 미치는 영향 (Effect of electrolyte composition on Cu thin film by electroplating)

  • 송유진;서정혜;이연승;염기수;류영호;홍기민
    • 한국정보통신학회:학술대회논문집
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    • 한국해양정보통신학회 2008년도 추계종합학술대회 B
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    • pp.95-99
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    • 2008
  • 반도체 소자의 소형화에 따라 낮은 비저항을 가진 구리가 ULSI의 금속배선으로 사용되고 있다. 구리선의 비저항은 RC delay와 집적회로의 신호전달에 영향을 미치게 된다. 본 논문에서는 전기도금 된 구리박막의 비저항에 대해 전해액이 미치는 영향을 조사하였다. 4탐침 표면저항측정기로 비저항을 평가하였고, XRD (X-ray Diffraction), AFM (Atomic Force Microscope), FE-SEM (Field Emission Scanning Electron Microscope), XPS (X-ray Photoelectron Spectroscopy)로 박막의 특성을 조사하였다. 실험한 결과, 전해액의 조건이 전기도금으로 증착된 낮은 비저항을 갖는 구리박막의 형성에 있어 중요한 역할을 하는 것을 확인하였다.

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SF6/O2 플라즈마를 이용한 구리 표면 처리 후 표면 Corrosion 특성 연구 (Study on SF6/O2 Plasmas for Copper Surface Characteristics)

  • 임노민;이준명;이재민;이병준;권광호
    • 한국표면공학회:학술대회논문집
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    • 한국표면공학회 2015년도 추계학술대회 논문집
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    • pp.333-333
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    • 2015
  • 본 연구에서는 디스플레이 패널 식각에 있어서 전극인 구리 박막 표면에 $SF_6/O_2$ 플라즈마 사용 시 발생되는 Corrosion 현상을 분석하기 위해 $SF_6/O_2$ 가스의 조성비를 변화하며 실험을 진행하였다. 유도결합 $SF_6/O_2$ 플라즈마를 이중 랭뮤어 탐침과 광 분광법을 이용한 플라즈마 진단을 통해 $SF_6/O_2$의 조성비의 변화에 따른 플라즈마 상태를 분석하고, $SF_6/O_2$ 플라즈마 조성비를 변화시켜 구리 박막의 표면을 처리한 후 발생되는 Corrosion과 Corrosion이 구리에 미치는 영향을 조사하기 위해 XPS, SEM, 4 point probe 등을 이용하였다.

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1 keV $Ar^+$이온빔으로 개질된 polytetrafluoroethylene (PTFE) 위의 구리 박막 증착 (Deposition of Copper Film on Polytetrafluoroethylene (PTFE) Modified by 1 keV Ion Irradiation)

  • 조준식;윤기현;고석근
    • 한국재료학회지
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    • 제10권1호
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    • pp.77-82
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    • 2000
  • 1 keV $Ar^+$ 이온빔을 이용하여 polytetrafluoroethylene (PTFE)의 표면을 개질하고 그 위에 $5000\;{\AA}$의 구리 박막을 이온빔 스퍼터링법을 이용하여 증착하였다. 이온빔 조사에 의하여 PTFE의 표면에는 cone이 형성되며 cone의 높이는 이온 조사량이 증가함에 따라 점차로 증가함을 알 수 있었다. x-ray photoelectron spectroscopy (XPS) 분석을 통하여 조사된 PTFE의 표면에서는 이온 조사량이 증가함에 따라 Fls peak의 강도가 감소하며 이는 F 원자의 선택적인 스퍼터링에 기인한 것으로 생각된다. 또한 이온 조사에 의해 생성된 불안정한 사슬들은 crosslinking에 의하여 새로운 C-F 계열의 결합들을 생성하였다. 이온빔 스퍼터링법에 의하여 증착된 구리 박막은 PTFE 표면의 cone을 따라 균일하게 증착되며 PTFE의 표면 거칠기가 증가함에 따라 (111) 방향으로 우선 성장함을 알 수 있었다. 증착된 구리 박막의 비저항은 개질전 PTFE의 $2.7{\mu}{\Omega}cm$에서 $1{\tiems}10^{16}/\textrm{cm}^2$의 이온 조사량으로 개질된 PTFE의 $4.3{\mu}{\Omega}cm$까지 이온 조사량에 따라 점차로 증가하였다. $1{\tiems}10^{17}/\textrm{cm}^2$의 이온 조사량으로 개질된 PTFE 위에 증착된 구리 박막의 갑작스런 비저항 증가는 구리 박막의 단락에 의한 것으로 보인다.

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PECVD법으로 구리 막 위에 증착된 실리콘 박막의 이차전지 음전극으로서의 전기화학적 특성 (Electrochemical Characteristics of the Silicon Thin Films on Copper Foil Prepared by PECVD for the Negative Electrodes for Lithium ion Rechargeable Battery)

  • 심흥택;전법주;변동진;이중기
    • 전기화학회지
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    • 제7권4호
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    • pp.173-178
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    • 2004
  • 플라즈마 화학 기상 증착법으로 구리 막$(foil,\;35{\mu}m)$표면 위에 $SiH_4$와 Ar혼합가스를 공급하여 실리콘 박막을 증착 한 후 리튬 이온전지의 음극으로 활용하였다. 증착 온도에 따라 비정질 실리콘 박막과 copper silicide박막 형태의 다른 두 종류의 실리콘 박막 구조가 형성되는 것이 관찰되었다. $200^{\circ}C$ 이하의 온도에서는 비정질 실리콘 박막이 증착되었고, $400^{\circ}C$ 이상의 온도에서는 실리콘 라디칼과 확산된 구리 이온의 반응에 의한 그래뉼러 형태의 copper silicide박막이 형성되었다. 비정질 실리콘 박막은 copper silicide박막 보다 높은 용량을 나타냈으나 충·방전 반응에 의한 급격한 용량 손실을 나타냈다. 이것은 비정질 실리콘 박막의 부피 팽창에 의한 것으로 추정된다. 그러나 copper silicide 박막을 음극으로 사용했을 때는 copper silicide를 형성한 실리콘과 구리의 화학결합이 막 구조의 부피변화를 감소 시켜줄 뿐 아니라 낮은 전기 저항을 갖기 때문에 싸이클 특성이 향상되었다.

구리 흡착에 의한 비정질 실리콘 박막의 저온 결정화 거동 (Low-Temperature Crystallization of Amorphous Si Films by Cu Adsorption)

  • 조성우;손동균;이재신;안병태
    • 한국재료학회지
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    • 제7권3호
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    • pp.188-195
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    • 1997
  • 비정질 실리콘 박막 위에 구리용액을 스콘코팅하여 구리이온을 흡착시킨 후 이를 표면 핵생성 site로 이용하는 새로운 저온 결정화 방법에 관하여 연구하였다. 구리 흡착으로 LPCVD비정질 실리콘 박막의 결정화온도를 $500^{\circ}C$까지 낮출 수 있었고 결정화시간도 크게 단축되었다. $530-600^{\circ}C$에서 어닐링시 구리가 흡착된 비정질 실리콘 막은 나뭇가지 형태의 fractal을 이루며 결정화되었다. 이때 fractal크기는 구리용액의 농도에 따라 $30-300{\mu}m$로 성장하였다. Fractal의 내부는 새 털 모양의 타원형 결정립으로 구성되어 있으며 TEM 에 의한 최종 결정립의 크기는 $0.3-0.4{\mu}m$로 intrinsic 비정질 실리콘 박막을 $600^{\circ}C$에서 어닐링하였을 때화 크기가 비슷하였다. 구리용액의 농도 증가에 따라 핵생성 활성화 에너지와 결정성장 활성화 에너지가 감소하였다. 결과적으로 구리 흡착이 표면에서 우선 핵생성 site를 증가시키고 핵생성 및 fractal 성장에 필요한 활성화 에너지를 모두 낮추어 저온에서도 결정화가 촉진되었음을 알 수 있었다.

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차세대 반도체 소자의 배선을 위한 구리박막의 reflow (Reflow of copper film for the interconnection of the next generation semiconductor devices)

  • 김동원;김갑중;권인호;이승윤;라사균;박종욱
    • 한국진공학회지
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    • 제6권3호
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    • pp.206-212
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    • 1997
  • 차세대 반도체 소자의 배선재료로 사용될 것으로 예상되는 구리의 reflow 특성을 조 사하였다. 구리박막을 hole 및 trench 패턴 위에 금속유기화학증착법으로 증착하고 $350^{\circ}C$에 서 $550^{\circ}C$까지의 열처리 온도 범위 및 질소, 산소 분위기에서 열처리하였다. 질소 분위기에서 열처리 한 경우에는 구리가 패턴을 채우지 못하였고 열처리 온도 $450^{\circ}C$ 이상의 산소 분위기 에서 열처리 한 경우에는 reflow에 의하여 구리가 패턴을 채웠다. 이러한 현상은 구리의 산 화시 발생되는 열에 의하여 부분적으로 액상화된 구리가 표면에너지 및 위치에너지를 감소 시키기 위하여 패턴을 채우면서 발생하는 것으로 생각된다. 산소 분위기에서 열처리한 경우 에는 응집물 표면에 300$\AA$이하의 구리 산화물이 형성되었으며 열처리 온도 $550^{\circ}C$에서 구리 의 응집에 의하여 비저항이 급격하게 증가하였다.

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Fe-Ni-Co 박판의 동적 나노 압침법과 유한 요소법에 의한 표면 기계적 특성 평가 (Evaluation of Surface Mechanical Properties of Electro-formed Fe-Ni-Co Thin Foil by Dynamic Nano-indentation and Finite Element Methods)

  • 강보경;최용
    • 한국표면공학회:학술대회논문집
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    • 한국표면공학회 2017년도 춘계학술대회 논문집
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    • pp.124-124
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    • 2017
  • Fe-Ni-Co 합금 박막(<$100{\mu}m$)을 황화물계 용액에서 전주공정으로 제조하였다. XRF로 측정한 박판의 평균 조성은 Fe-34 wt.% Ni-3 wt.% Co 이다. AFM으로 측정한 표면 조도는 35.2 nm 이다. 표면의 나노 경도는 평균 5.4 GPa 이었다. Oliver 모델을 적용한 구리 박막의 탄성하강강성도는 약 75 이었다. Alekhin 모델을 적용한 구리 박막의 마찰계수, 피로한계는 각각 0.134, 0.027 이었다. 유한요소법으로 평가한 Berkovich 형 나노압침선단의 하중분포를 이차원 선형 및 비선형 해석하면 1 [mN]의 정적하중을 가한 Fe-Ni-Co 박막은 약 576 [mN]로 예측되었다. 압침선단의 하중집중정도는 표면탐침현미경으로 관찰한 압흔의 변형정도와 유사한 경향을 보였다.

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표면 조도에 따른 구리박막의 실시간 고유인장응력 거동 (The Effect of Surface Roughness on In-Situ Intrinsic Tensile Stress Behavior in Cu Thin)

  • 조무현;류상;김영만
    • 한국표면공학회:학술대회논문집
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    • 한국표면공학회 2008년도 추계학술대회 초록집
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    • pp.63-63
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    • 2008
  • Volmer-Weber 형의 성장을 하는 구리박막은 두께 증가에 따라 초기 압축, 인장, 2차 압축응력의 독특한 3단게 응력거동을 보인다. 인장응력의 경우 일반적으로 박막 두께 증가에 따른 과잉 부피를 줄이기 위해 결정립 성장 및 결정립 병합이 인장응력을 일으킨다고 보고되고 있다. 박막 증착시 결정립 크기는 증착속도, 증착된 원소의 이동도, 섬의 핵생성 속도 등 여러 가지 인자의 상호작용에 의해 결정되므로, 본 연구에서는 각각 다른 표면조도를 갖는 기판을 사용하여 결정립 성장 및 결정립 병합을 다르게 함으로써 고유인장응력 기구를 밝히고자 한다.

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