• Title/Summary/Keyword: 구리 기판

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Rutherford Backscattering of Black Chrome Solar Selective Coatings (흑색크롬 태양광 선택흡수막의 Rutherford산란)

  • Lee, Kil-Dong;Chea, Young-Hi;Auh, Paul-Chung-Moo
    • Solar Energy
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    • v.10 no.1
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    • pp.57-62
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    • 1990
  • The influence of substrate materials on the thermal stability of black chrome coating was investigated by Rutherford backscattering spectrometry(RBS). In order to study thermal degradation the sample were annealed in air for 24 hour at temperature of 450. Cu, Ni, and S.S(Stainless steel 304) were used as substrate for selective coating. The experimental results of substrate diffusion was discussed. It was found that little diffusion of substrate material occurred for the sample pre. pared on stainless steel.

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The Properties of Ta, Nb as Diffusion Barriers Against Copper Diffusion (구리 확산방지막으로서의 Ta와 Nb 박막의 특성에 관한 연구)

  • Choe, Jung-Il;Lee, Jong-Mu
    • Korean Journal of Materials Research
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    • v.6 no.10
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    • pp.1017-1024
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    • 1996
  • 본 연구에서는 여러 기판에 대한 Cu의 확산정도를 알기 위하여 Ta, Nb, Co/Ta이중층 및 Co/Nb 이중층 위에 기화법으로 증착하고 열처리를 실시하였다. 열처리한 Ta막은 열처리하지 않은 Ta막보다 Cu 확산방지막으로서의 성능이 더 떨어지는데, 이것은 열처리에 의하여 Ta막이 결정화되기 때문이다. Cu/Co/Ta/(001)Si 구조에서의 구리 실리사이드 생성온도는 Cu/Co/Ta(001)Si 구조에서의 그것보다 더 높다. 한편, nb의 Cu에 대한 barrier 특성은 Ta와 비슷한 수준이다. 또한 Cu막 도포 이전에 Pd+HF활성화 전처리나 N2플라즈마 전처리를 실시하면, Cu의 핵생성뿐만 아니라 기판에 대한 Cu막의 접착성도 향상된다.

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Thick Copper Substrate Fabrication by Air-Cooled Lapping and Post Polishing Process (공기 냉각 방식의 래핑을 이용한 구리 기판 연마 공정 개발)

  • Lee, Ho-Cheol;Kim, Dong-Jun;Lee, Hyun-Il
    • Journal of the Korean Society of Manufacturing Technology Engineers
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    • v.19 no.5
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    • pp.616-621
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    • 2010
  • New type of the base material of the light-emitting diode requires copper wafer in view of heat and electrical conductance. Therefore, polishing process of the substrate level is needed to get a nanometer level of surface roughness as compared with pattern structure of nano-size in the semiconductor industry. In this paper, a series of lapping and polishing technique is shown for the rough and deflected copper substrate of thickness 3mm. Lapping by sand papers tried air cooling method. And two steps of polishing used the diamond abrasives and the $Al_2O_3$ slurry of size 100mm considering the residual scratch. White-light interferometer proved successfully a mirror-like surface roughness of Ra 6nm on the area of $0.56mm{\times}0.42mm$.

Effect of surface modification on adhesion of copper films on PET prepared by ECR-MOCVD (ECR 상온화학증착법에 의해 PET기판에 제조된 구리 박막의 표면전처리에 따른 접착력 특성)

  • Hyun, Jin;Byun, Dong-Jin;Lee, Jung-Gi
    • Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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    • 2003.11a
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    • pp.210-210
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    • 2003
  • ECR(Electron Cyclotron Resonance)은 전자기장에 의한 회전주파수와 전원으로 가해지는 마이크로웨이브(microwave)의 주파수가 일치할 때 발생하는 공진(resonance)현상이다. ECR에 의해 형성된 고밀도, 고에너지의 플라즈마가 상온하에서도 표면에너지가 낮은 고분자수지상에 접착력과 내구성 및 성능이 우수한 금속박막을 형성시킬 수 있는 특징을 지니고 있다. [1] 이러한 고분자수지 표면에 제조되는 금속박막소재는 반도체산업을 비롯하여, 박막전지, 전자파 차폐 등의 다양한 용도로 개발되고 있다. 그러나, 고분자수지와 금속박막계면간의 접착성의 저하로 후처리 공정에서 외부의 응력을 받게되면 막이 쉽게 탈리되는 문제점이 대두되었고, 이에 대한 개선이 요구되고 있다. 따라서, 본 연구에서는 공업적으로 많이 사용되는 표면 전처리방법을 통하여 구리 박막의 접착력을 향상시키고자 하였다. 상온화학증착 방법에 의해 고분자수지표면에 구리금속박막을 제조하고 여러 가지 표준방법을 사용하여 고분자수지와 구리박막간의 접착특성을 조사하였다.

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Effect of bath type on shape and properties of dendritic Cu powder (전기도금욕 종류가 수지상 구리 분말의 형상 및 물성에 미치는 영향에 관한 연구)

  • Park, Da-Jeong;Park, Chae-Min;Kim, Yang-Do;Lee, Gyu-Hwan
    • Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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    • 2015.05a
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    • pp.148-149
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    • 2015
  • 본 연구에서는 전기 도금법을 이용하여 수 마이크로미터(${\mu}m$)에서 수십 마이크로미터 크기의 수지상(dendrite) 구리분말을 제조하였다. 구리 도금욕의 종류($Cu_2P_2O_7$, $CuSO_4$, $CuCl_2$), 인가 전위(E, Volt) 및 기판에 따른 수지상(Dendrite)의 형상적인 특성이 비교되었으며, 형상에 따른 겉보기밀도와 비표면적 측정(BET)이 진행되었다. 수지상의 2차 가지길이와 주축길이의 비(ratio)를 형상의 차이로 분류한 결과 염화구리 도금욕에서 0.14 로서 가장 큰 값을 가지며 겉보기 밀도는 $1.04g/cm^3$로 가장 낮은 값을 보였다.

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무전해 Ni-P 도금층을 확산방지층으로 사용한 Bi-Te계 열전발전모듈의 제작

  • Jang, Jae-Won;Son, In-Jun;Bae, Seong-Hwa;Park, Gwan-Ho;Jo, Sang-Heum
    • Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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    • 2018.06a
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    • pp.104.1-104.1
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    • 2018
  • 열전소자는 열전현상을 이용한 재료로서 여기서 열전현상이란 열을 전기로 또는 전기를 열로 바꿀 수 있는 에너지 변환 현상을 의미한다. 그 중 Bi-Te계 열전소자는 $200^{\circ}C$이하의 온도에서 열전 효율이 우수하기 때문에 항공, 컴퓨터 등의 열전발전 또는 열전냉각 모듈에 널리 사용된다. 열전 모듈 제작시 Bi-Te 소자는 구리 기판에 접합하여 사용하게 되는데 이 때 솔더의 성분인 Sn과 기판의 Cu는 소자내로 확산하여 금속간 화합물을 형성한다. 이렇게 형성된 금속간 화합물은 접합강도를 저하시키는 원인뿐만 아니라 열전 성능을 저하시키는 원인이 된다. 본 연구에서는 이러한 접합강도와 열전성능의 저하를 막기 위해 BiTe 소자의 표면에 $4{\mu}m$두께의 Ni-P 도금 공정을 추가하여 Ni-P 도금층이 Cu와 Sn의 확산을 막는 방지층 역할을 하게 한다. 그리고 도금한 소자를 $3mm{\times}3mm{\times}3mm$로 커팅하여 구리 기판에 접합하여 열전 모듈을 제작하였다. 제작된 열전모듈의 단면을 EPMA분석한 결과 Ni-P 도금층이 확산방지층으로 잘 작용되었음을 확인하였다. 또한 접합강도 측정결과 도금을 하지 않은 Bi-Te소자에 비해 접합강도가 향상되었음을 확인하였다. 따라서 Ni-P도금을 실시함으로서 금속간 화합물 형성을 억제하고 열전모듈의 성능과 접합강도를 향상시킬 수 있었다.

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