• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2012.08a
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• pp.407-407
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• 2012

화학기상증착법(CVD; Chemical Vapor deposition)으로 h-BN을 증착하여 성장 시간에 따른 표면의 특성 및 결정성을 연구하였다. 암모니아 보레인(BH3NH3)을 보론 나이트라이드(Boron Nitride) 박막의 전구물질로 이용하였으며, $70{\sim}120^{\circ}C$로 열을 가하여 열분해하였다. $25{\mu}m$ 두께의 구리 기판을 챔버에 넣어서 Low pressure (~25 mTorr) 상태가 되도록 한다. 25 mTorr 이하의 압력에서 수소 가스 (0.2~1sccm)를 넣고 $20^{\circ}C$/min로 가열한 후 약 한 시간 후에 $990{\sim}1,000^{\circ}C$가 된다. 그 후 Cu foil의 표면을 부드럽게 하고, 산화막을 제거하기 위해 $990^{\circ}C$에서 40 분간 열처리(annealing)한다. 그 후 암모니아 보레인에서 분해된 보라진 가스(borazine; B3H6N3)로 h-BN을 합성한다. 성장 시간이 길수록 더 많은 부분이 보론 나이트라이드에 의해 덮인다는 것을 관찰하였고, 성장 시 주입하는 수소의 양(0.2~5 sccm)과 알곤(0~15 sccm)의 혼합 비율에 따라 보론 나이트라이드의 domain size가 변화함을 알 수 있었다. 그 각각의 차이를 주사 전자현미경(SEM; Scanning Electron Microscopy)을 통해 확인하고, 결정성을 라만 분광(Raman spectroscopy), 광전자 분광(XPS; X-ray photoelectron spectroscopy)으로 비교 분석하였다.

• Current Photovoltaic Research
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• v.3 no.2
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• pp.61-64
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• 2015

In solar industry, numerous researchers reported about cold spray method among various electrode formation technic, but there are no known a bonding mechanism of metal powder. In this study, a cross-section of copper electrode formed by cold spray method was observed and heterogeneous phase between silicon substrate and copper electrode was analyzed using morphology observation technic. SEM and TEM analysis were performed to analyze a crystallinity and distribution shape of heterogeneous copper phase. Molecular dynamics simulation was performed to calculate glass transition temperature of copper metal. In the result, amorphous copper phase was observed near interface between silicon substrate and metal electrode. The results of the molecular dynamics simulation show that an amorphous copper phase could be formed at a temperature below the melting point of copper because cold spraying resulted in a lower glass transition temperature.

• Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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• v.6 no.3
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• pp.25-35
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• 1999

LTCC (Low Temperature Cofired Ceramic) or LTCC-M (Low Temperature Cofired ceramic on Metal) technology is one of MCM-C (Multichip Module on Ceramic) technologies and becomes to be widely used in consumer, RF and automotive electronics. As green sheets for LTCC are cofired below $1000^{\circ}C$ in comparison with those for HTCC (High Temperature Cofired Ceramic), high conductivity metal traces such as gold, silver and copper can be used. The dimensional stability in LTCC-M technology enables embedded passives to be integrated inside modules, which enhances the electrical performance and increases the reliability of the modules. Coefficient of thermal expansion and dielectric constant can be controlled by changing composition and heating profile for cofiring. In this technical review, LTCC and LTCC-M technologies are introduced and advantages of those technologies are explained.

• Journal of the Korean Society for Nondestructive Testing
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• v.35 no.5
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• pp.314-320
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• 2015

The present study investigates the thermal characteristics of a nanoscale superconductor material. A thin-film of $YBa_2Cu_3O_7-x$ was deposited on a $SrTiO_3$ substrate by using a pulsed-laser deposition technique and characterized using an ultrafast laser system. In order to extract a thermal conductivity value, a numerical solution for a transient one-dimensional heat conduction equation was obtained using a finite-difference method. The curve-fit shows a value 1.2 W/mK, which is relatively lower than those of bulk materials. This research provides a material property of superconductor thin-film required for the thermal design of micro or nanodevices.

• Journal of IKEEE
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• v.3 no.2 s.5
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• pp.259-267
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• 1999

In this paper, a C-band 6-bit phase shifter is designed and fabricated and design techniques for each phase bit are represented. We applied the loaded line type to $5.625^{\circ},\;11.25^{\circ},\;22.5^{\circ}\;and\;45^{\circ}$ phase bits and the hybrid coupled type to $90^{\circ}$ phase bit and the switched line type to $180^{\circ}$ phase bit, respectively on a microstrip copper substrate.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2014.02a
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• pp.379.2-379.2
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• 2014

열 화학기상증착법은 여러 가지 그래핀의 제작방법 중 대면적으로 양질의 그래핀을 효과적으로 합성할 수 있는 방법으로 널리 이용되고 있다. 이 방법으로 그래핀을 합성할 경우, 주요 변수로 성장 온도와 촉매 금속이 있으며 이를 적절히 조절함으로써 합성되는 그래핀의 결정성과 층수를 조절할 수 있다[1-3]. 본 연구에서는 탄소 용해도가 작은 두꺼운 촉매 금속 기판 위에 선택적인 위치에 탄소 용해도가 큰 얇은 촉매 금속을 증착하여 그래핀의 층수를 적절하게 제어하고자 한다. 그래핀을 합성하기 위해 온도를 증가시키는 과정에서 두 층의 촉매 금속은 표면 에너지를 낮추기 위해 합금을 형성하게 되며, 이 때 탄소 용해도가 변화할 것으로 예상된다. 이 변화하는 탄소 용해도에 맞추어 탄소 공급원인 메탄 가스를 주입하는 시기를 적절히 조절하게 되면, 합성되는 그래핀의 층수 조절이 가능할 것이라 예상한다. 탄소 용해도가 큰 금속으로 니켈을, 탄소 용해도가 작은 금속으로 구리를 선택하였다. 우선 니켈의 확산 거리를 계산하여 메탄 가스를 주입하는 적절한 온도를 결정하였으며, 이 온도를 기준으로 표면에서의 니켈의 함량을 분석하였다. 니켈의 함량과 표면에서의 탄소의 구성비의 관계를 조사한 결과, 본 실험에서 이용한 방법으로 그래핀의 층수를 조절하는 것이 가능하다는 것을 확인하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2014.02a
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• pp.380.1-380.1
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• 2014

열 화학기상증착법은 여러 가지 그래핀의 제작방법 중 대면적으로 양질의 그래핀을 효과적으로 합성할 수 있는 방법으로 널리 이용되고 있다. 이 방법으로 그래핀을 합성할 경우, 주요 변수로 성장 온도와 촉매 금속이 있으며 이를 적절히 조절함으로써 합성되는 그래핀의 결정성과 층수를 조절할 수 있다[1-3]. 본 연구에서는 탄소 용해도가 작은 두꺼운 촉매 금속 기판 위에 선택적인 위치에 탄소 용해도가 큰 얇은 촉매 금속을 증착하여 그래핀의 층수를 적절하게 제어하고자 한다. 그래핀을 합성하기 위해 온도를 증가시키는 과정에서 두 층의 촉매 금속은 표면 에너지를 낮추기 위해 합금을 형성하게 되며, 이 때 탄소 용해도가 변화할 것으로 예상된다. 이 변화하는 탄소 용해도에 맞추어 탄소 공급원인 메탄 가스를 주입하는 시기를 적절히 조절하게 되면, 합성되는 그래핀의 층수 조절이 가능할 것이라 예상한다. 탄소 용해도가 큰 금속으로 니켈을, 탄소 용해도가 작은 금속으로 구리를 선택하였다. 우선 니켈의 확산 거리를 계산하여 메탄 가스를 주입하는 적절한 온도를 결정하였으며, 이 온도를 기준으로 표면에서의 니켈의 함량을 분석하였다. 니켈의 함량과 표면에서의 탄소의 구성비의 관계를 조사한 결과, 본 실험에서 이용한 방법으로 그래핀의 층수를 조절하는 것이 가능하다는 것을 확인하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2011.08a
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• pp.309-309
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• 2011

알루미늄 합금은 경량성과 우수한 가공성, 내식성 등의 특성을 지니고 있고 구리나 아연, 마그네슘, 실리콘 등과 쉽게 합금화 가능하다. 또한 알루미늄과 그 합금은 자동차, 항공기, 건축물, 레저 그리고 가전용품의 재료로도 널리 사용되고 있다. 특히 Al에 Si을 소량 첨가하게 되면 내식성과 반사율이 향상되는 것으로 알려져 있다. 본 연구에서는 마그네트론 스퍼터링으로 Al, Al-Si 박막을 코팅하여 박막의 미세구조와 가시광선의 반사율을 관찰하였다. 시편은 Si wafer를 사용하였으며 알코올과 아세톤으로 각각 10분간 초음파 세척한 후 진공장비에 장착하여 Ar 분위기에서 glow discharge로 in-situ cleaning을 약 30분간 실시하였다. 시편청정이 끝나면 ~10-6 Torr 까지 진공배기를 실시하고 Ar 가스를 주입하여 2.5 mTorr로 진공도를 유지하면서 박막 코팅을 실시하였다. 기판-타겟의 거리는 12 cm로 고정 하였고 0.7, 1.5, 2.0 kW의 스퍼터링 파워와 외부 자기장의 변화에 따라 실험을 실시하였다. 순수한 Al 박막의 경우 외부 자기장 변화가 박막조직 변화에 영향을 주었으나 Si이 함유된 Al 합금 박막에서는 외부 자기장의 효과보다는 스퍼터링 전원의 세기가 박막 조직을 변화시키는 주된 공정변수였다. 박막의 반사율은 Si이 함유된 박막이 순수한 Al 박막보다 높았으며 스퍼터링 전원 세기가 증가할수록 반사율이 증가하는 경향성을 보였다. 이것은 Si을 Al에 첨가하여 스퍼터링 전원 세기를 최적화하는 것만으로도 치밀한 조직의 박막을 코팅할 수 있으며 높은 반사율을 갖는 박막을 코팅할 수 있음을 의미한다.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2016.11a
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• pp.135-135
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• 2016

Recently flexible electrode materials have attracted attention in various electrical devices. In general, copper(Cu) is widely used electrical conductive material. However, Cu film showed drastically reduction of electrical conductivities under an applied tensile strain of 10%. These poor mechanical characteristics of Cu have difficulty applying in flexible electronic applications. In this study, mechanical flexibilities of Cu thin film were improved by hybridization with carbon nanotubes(CNTs) and laser sintering. First, thin carbon nanotube films were fabricated on a flexible polyethylene terephthalate(PET) substrate by using ultrasonic spray coating of CNT dispersed solution. After then, physically connected CNT-Cu NPs films were formed by utilizing ultrasonic spray coating of Cu nanoparticles dispersed solution on prepared CNT thin films. Finally, CNT-Cu thin films were firmly connected by laser sintering. Therefore, electrical stabilities under mechanical stress of CNT-Cu hybrid thin films were compared with Cu thin films fabricated under same conditions to confirm improvement of mechanical flexibilities by hybridization of CNT and Cu NPs.

• Journal of the Korean Institute of Illuminating and Electrical Installation Engineers
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• v.24 no.5
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• pp.1-7
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• 2010

LEDs, compared to conventional light sources, have many advantages and their applications are rapidly expanding, especially in areas such as back-lights for LCD. In this paper, we propose a new LED lamp structure suitable for applications requiring a low power. In the proposed LED lamp structures, LED chips are mounted on a transparent polycarbonate plate, and thus photons are transmitted through the both sides of the plate. The copper layer deposited on the polycarbonate plate is patterned to form circuit patten and the chip mount pad, on which LED chips are mounted. We speculate that our proposed LED lamp structures may be used as a type of plate light source.