Proceedings of the Korean Society of Precision Engineering Conference
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2004.05a
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pp.198-198
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2004
압전 구동기는 여러 가지 적용에 있어서 높은 응답 속도와 큰 힘, 작은 크기 둥의 장점을 가지고 미세 구동에서 독보적인 위치를 차지하고 있다. 하지만, 히스테리시스, 크? 등의 압전 소자 자체의 비선형성과 이의 구동을 위한 증폭기 등의 한계로 압전 소자의 동적인 특성은 비교적 열악한 것으로 알려져 있다. 특히, 구동 속도가 빨라질 수록 히스테리시스 곡선의 모양이 달라게 되어 구동 궤적의 정확한 예측이 어려우며, 증폭기의 최대 발생 전류가 충분치 않을 경우 압전 구동기가 지령치를 따르지 못하게 된다.(중략)
본 논문에서는 DLL(Delay Locked Loop)를 응용하여 광통신 시스템에 응용할 수 있는 완전공핍 광 싸이리스터(Depleted Optical Thyristor)의 구동 Driver를 설계하였다. 광스위칭 소자로 활용될 DOT를 구동시키기 위해서는 Thyristor의 구조 특성을 고려할 때 강한 역방향 전압 펄스와 함께 높은 순방향 전류 펄스의 특성을 가지는 파형이 필요하다. 구동 Driver의 제작 공정은 삼성 CMOS $0.35{\mu}m$, 1 poly, 4 metal 공정을 사용하였고 시뮬레이션 결과 500 MHz 대역에서 DOT를 구동하기 위한 전압, 전류 특성을 가지는 파형을 얻을 수 있었다.
커패시터 소자와 브릿지 다이오드만을 사용한 교류전원 LED 구동회로를 분석하여, 초저손실 고효율 특성과 더불어 입력전류의 고조파 및 역률특성이 양호해지는 동작점을 찾아내었다. 커패시터 소자는 교류전원에 직렬로 연결되어 전력손실 없이 LED 전류를 제한하는 역할을 하게 되며, 브릿지 다이오드 정류회로는 LED 어레이를 교류전원의 2배 주파수로 구동시키게 한다. 분석결과, 제안된 LED 구동회로는 LED 어레이의 전압강하가 입력 교류전압 최대치의 절반이 될 때 역률특성과 효율이 최고가 되며, 동작온도 변화에 따른 LED 어레이 전압 변동에 대해 출력이 변하지 않는 특징을 갖는다. 이러한 LED 구동회로는 스윗칭 레귤레이터나 IC 등이 없이 단순 수동소자만을 사용함으로써 제품원가 최소화와 효율향상을 동시에 달성할 수 있으며, 실험을 통해 특성이 확인되었다.
Park, Jae-Sung;Baek, Seung-Jae;Choi, Seo-Woo;Ryu, Dong-Kyun;Hong, Sung-Soo
Proceedings of the KIPE Conference
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2013.07a
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pp.307-308
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2013
기존 LED(Light Emitting Diode) 백라이트 LCD(Liquid Crystal Display) TV 용 전원 장치는 다중출력 플라이백 컨버터를 사용하여 로직 보드, 영상 보드, LED 백라이트 등의 구동에 필요한 다양한 전원들을 생성, 공급한다. 특히, 기존에는 LED 백라이트의 구동을 위한 출력단에는 부스트 컨버터를 추가하여 LED 전류를 제어하였다. 따라서, 부스트 컨버터에 의한 부피 및 원가가 증가하는 단점이 있었다. 본 논문에서는 부스트 컨버터 없이 보조 스위치 하나만을 사용한 LED 구동회로를 이용하여 LED의 정전류 제어가 가능한 저 가격형 LED 구동회로의 비동기식 제어방법을 제안한다. 최종적으로 제안 회로를 32인치 LCD TV 용 LED 백라이트에 적용하여 그 실험 결과를 바탕으로 제안 회로의 타당성을 검증하였다.
Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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v.21
no.5
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pp.876-884
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2017
The current-voltage characteristics of Silicon(Si), Germanum(Ge), and hetero tunnel field-effect transistors(TFETs) with source-overlapped gate structure was investigated using TCAD simulations in terms of tunneling. A Si-TFET with gate oxide material $SiO_2$ showed the hump effects in which line and point tunneling appear simultaneously, but one with gate oxide material $HfO_2$ showed only the line tunneling due to decreasing threshold voltage and it shows better performance than one with gate oxide material $SiO_2$. Tunneling mechanism of Ge and hetero-TFETs with gate oxide material of both $SiO_2$ and $HfO_2$ are dominated by point tunneling, and showed higher leakage currents, and Si-TFET shows better performance than Ge and hetero-TFETs in terms of SS. These simulation results of Si, Ge, and hetero-TFETs with source-overlapped gate structure can give the guideline for optimal TFET structures with non-silicon channel materials.
일반적으로 SOI 소자에 대한 연구는 film 두께. 채널길이 그리고 doping 농도에 따라 폭넓게 연구되어 왔다. 제안한 소스/드레인 비대칭 SOI 소자는 일반적인 LDD SOI 소자와 비교하여 항복전압은 거의 비슷한 반면. 전류 구동능력은 훨씬향상된 소자를 구현 시킬수 있었다. 비대칭 SOI 소자를 설계하기 위하여 최적화된 공정조건을 모의 실험용 TCAD Simulator (SILVACO)를 이용하여 검증하였다. 검증된 공정 변수를 이용하여 모의 실험을 해보았더니 항복전압과 전류 구동능력에서 좋은 특성을 나타내었다.
The Transactions of the Korean Institute of Power Electronics
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v.11
no.5
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pp.447-453
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2006
This paper proposes that 5 phase step motor drive system has high performance utilizing a micro step control with a current controller. Also this paper proposes an analog current controller to minimize size of the 5 phase step motor drive system. It has better advantages of cost and noise and heating than commercial products. As a result, Applying this system to position control robot the validity of suggested analog current controller and driver system is verified.
Kim, Yun-Jung;Kim, Jeong-Hyeon;Han, Sang-Ho;Jeong, Jong-Yun;Kim, Hyeon-Cheol;Gang, Han-Rim;Jo, Gwang-Seop
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2011.02a
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pp.268-268
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2011
열전소자를 사용하여 발광다이오드의 발열을 개선한다. 열전소자(Thermoelectric device: TED)의 펠티에효과(Peltier effect)를 이용하여 발광다이오드(Light Emitting Diodes: LED)의 접합온도 (Junction Temperature)를 제어한다. 열전소자의 구동 전력을 제어하여, 발광다이오드의 사용 전류에 대한 접합온도의 특성을 조사한다. 열전소자의 입력 전력 0.2W에 대하여, 일반 조명용 또는 표시 장치로 사용되는 1W급 고전력 LED를 정격전류(350 mA)로 구동할 때 접합온도를 최저 $69^{\circ}C$로 유지할 수 있다. 열전소자의 구동 전력이 0.2W일 때, 발광다이오드의 접합온도 $110^{\circ}C$에 대하여 최대 사용 가능 전류는 560 mA로 예측된다.
Park, H.Y.;Jung, J.H.;Nho, E.C.;Kim, I.D.;Kim, H.G.;Chun, T.W.
Proceedings of the KIPE Conference
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2013.07a
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pp.135-136
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2013
본 논문에서는 조명용 LED 구동을 위한 최소원가형 전력변환장치를 제안하였다. 부하측의 전압과 전류 피크값을 낮춤으로써 스위칭 손실을 줄이면서 플리커 현상도 최소화하고, 입력전압과 전류를 동상에 가깝게 제어를 하여 역률을 최적화 하였다. 전해커패시터를 없앰으로써 장수명화에 기여를 하였고, 필터에 사용되는 소량의 용량은 필름커패시터를 대체하여 부하측 전류의 안정화에 기여하였다. 본 연구의 결과는 LED 구동용 전원장치의 최적화에 기여하여 장수명화 및 비용을 최소화할 것으로 기대된다.
기존 LED(Light Emitting Diode) 전류 제어용 SSPR(Secondary Side Post Regulator) 스위치를 갖는 구조의 다중출력 컨버터는 LED 정 전류 제어를 위한 별도의 부스트 컨버터 없이 전류제어가 가능하여 원가 및 부피 저감과 효율이 상승하는 장점이 있다. 하지만, 주 출력단(Master)의 피드백을 받아 1차 측 메인 스위치를 제어하게 되어 제어 회로가 복잡하고 주 출력단 부하 변동에 의해 부 출력단(Slave)의 크로스-레귤레이션(Cross-Regulation) 특성이 좋지 않은 단점이 있다. 따라서, 본 논문에서는 기존 SSPR 스위치의 장점을 갖고 주 출력 단의 부하 변동에도 부 출력단의 크로스-레귤레이션 특성이 좋은 새로운 직렬 공진형 LED 구동회로를 제안한다. 최종적으로 제안 회로를 4채널 LED 구동회로에 적용하여 그 실험결과를 바탕으로 제안 회로의 타당성을 검증하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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