고효율과 경량의 전자식 단권변압기를 적력전자 기술을 적용하여 구성하여 보았다. 이 system은 양 방향으로 전력, 전류변환이 가능한 4사분면의 어느 동작도 가능하도록 하기위하여 양방향으로 도통이 가능한 스위치를 이용하여 구성하였다. 이 전체적 구성은 Buck Converter와 Boost Converter를 동시에 응용한 회로로 구성 하였다. 이 컨버터는 전류의 진상과 지상이 심한 유도성 부하와 용량성의 부하에도 잘 적응할 수 있고, 더 나아가 에너지 반환하는 교류시스템에도 적용할 수 있다. 본 연구에서 제시하는 시스템은 자기회로를 자화시키는 여자전류와 전류가 흐르는 도체가 가지는 동손을 감소킬 수 있다. 이에 반하여 반도체 스위치가 가지는 스위칭 손실과 반도체 회로를 구동하는데 필요한 구동회오의 유지에 필요한 전력이 필요하다. 이러한 여러 요인의 증가하여도 전체 손실은 자장결합 변압기보다 작은 것 을 보여주고 있다.
토템폴 구조는 브리지리스 부스트 역률보상회로 중에서도 저손실, 고효율, 저비용 그리고 낮은 전도 EMI의 특징으로 인해 많이 사용된다. 토템폴 구조의 역률보상 회로는 내부 다이오드의 역회복 문제로 인해 Si MOSFET을 이용한 전류연속모드 구동할 수 없어 전류 불연속 모드 혹은 임계 도통 모드로 동작시키는 것이 통상적이다. 본 논문에서는 역회복 문제를 해결해 전류연속모드 구동하기 위해 기존 Si MOSFET보다 낮은 역회복 전하(Qrr)와 역회복 시간(Trr)를 가지는 SiC MOSFET을 이용하여 토템폴 역률 보상 회로를 구현하고 이를 시뮬레이션과 실험을 통해 검증했다.
동기 전동기 구동에서는 정밀한 토크 제어를 위해 벡터 제어가 필요하다. 이를 위해 전류 피드백이 필요하며, 전류를 검출하는 방법으로 1개 또는 3개의 shunt resistor를 사용하여 각각 dc-link 전류 검출 또는 상 전류를 검출하는 것이 있다. 이 전류 검출 방법들의 문제 발생 구간을 분석한다.
2개의 S/H (Sample and Hold)회로를 내장한 ADC (Analog to Digital converter)는 전동기의 3상 전류를 동시점에서 샘플링(sampling)할 수 없다. 또한 전류 센서 및 아날로그 신호처리 회로의 이득은 오차가 있다. 이러한 이유로 3상 측정 전류의 불평형 상태가 야기될 수 있으며 이 불평형은 전동기 전류제어에 영향을 미친다. 이 논문에서는 2개의 S/H 회로를 이용한 3상 전류 측정의 동기화 및 이득 오차의 보정 방법을 제안하고 컴퓨터 모의 실험을 통하여 제안된 방법을 검증하였다.
연속파 마그네트론을 구동하는 전원회로에 대하여 컴퓨터 시뮬레이션을 행함으로써, 컴퓨터를 이용한 회로설계 방법을 제시하였다. 철공진변압기는 잘 알려진 T-등가회로보다 비선형 특성을 해석하기에 용이한 .pi.-등가회로를 나타내었다. 변압기 철심의 자화특성은 i=a.phi.+b.phi.$^{7}$ 의 함수로 모델링하였으며, 마그네트론과 다이오드는 구분적직선 모델로 근사화하였다. 해석적 설계방정식으로부터 구한 커패시턴스, 변압기의 누설 인덕턴스 및 권수비의 값들을 사용하여 전원회로에 대한 컴퓨터 시뮬레이션을 행하여서 마그네트론의 전류파형및 평균양극전류의 값들을 얻었다. 이 시뮬레이션 결과를 해석적 계산치 및 실험측정 결과와 비교하였으며 특히 해석적 설계방법의 유효성을 검토하였다.
본 논문에서는 PMSM(Permanent Magnet Synchronous Motor)의 구동 효율 향상을 위한 MTPA(Maximum Torque Per Ampere) 제어 기법에 대해 제안한다. 제안된 기법은 전동기의 동손이 최소가 되도록 최적화 기법을 통해 전류각 지령을 조정한다. 제안된 기법을 통해 모든 부하 조건에서 짧은 시간 내에 동손이 최소가 되는 최적 전류각을 추종할 수 있으며, 전동기의 제정수 혹은 위치 측정 오차에 강인하다. 800W IPMSM 구동 실험을 통해 제안된 기법의 효용성을 검증하였다.
본 논문에서는 스너버 회로를 사용하지 않고 턴-온시 역회복 전류의 영향과 턴-오프 시 구동되는 IGBT에 발생하는 과전압을 제한할 수 있는 새로운 IGBT 게이트 구동회로를 제안한다. 제안하는 턴-온 게이트 구동기법은 턴-온 지연 시간을 증가시키지 않고 게이트-에이터 전압이 문턱전압 이상이 되면 IGBT의 입력 커패시턴스를 증가시킴으로써 게이트-에이터 전압의 증가율을 감소시키는 특징을 갖는다. 제안하는 턴-오프 게이트 구동기법은 전류의 크기에 따라 과전압을 제한하여 단락사고와 같은 대전류가 흐르는 경우 더욱 효과적으로 과전압을 제한하는 특징을 가진다. 또한, 여러 가지 조건에서 실험을 수행하여 제안한 IGBT 게이트 구동회로의 타당성을 검증한다.
본 논문에서는 임베딩 구동 동기화를 이용한 비밀통신회로를 구성하고 검증하였다. 임베딩 구동 동기는 Chua 회로의 미분방정식의 세 가지 상태 변수 중 전류성분과 같이 동기화와 신호 합성에 어려운 상태변수를 전압 성분으로 분리하여 각각의 CNN 성분으로 다룰 수 있는 SC-CNN을 이용하여 구성하였다. Embedding Drive Synchronization(임베딩 구동동기)은 구동동기에서 한 미분상태변수를 완전히 대체하지 않고 동일한 시스템상의 일부 성분으로 구성하여 동기화를 이루고 비밀통신에 적용한 후 그 결과를 검증하였다.
본 연구에서는 Host와 Dopant $Ir(ppy)_3$의 도핑 위치 변화에 따른 bottom emission 인광 OLED를 제작하여 발광 효율 및 특성을 분석하였다. 소자의 EML은 $Ir(ppy)_3/CBP$와 $CBP/Ir(ppy)_3$ 순으로 증착하여 제작하였다. $Ir(ppy)_3/CBP$은 낮은 구동 전압에서 큰 전류밀도와 큰 luminance을 측정하였고, 반대로 $CBP/Ir(ppy)_3$은 높은 구동 전압에서 $CBP/Ir(ppy)_3$은 큰 전류밀도와 큰 luminance가 측정되었다. 이는 $Ir(ppy)_3/CBP$에서 HTL과 EML 사이에 hole direct injection이 발생으로 Hole이 증가하지만 charge balance 불일치로 roll-off가 발생하고, $CBP/Ir(ppy)_3$에서 electron direct injection에 의한 electron 증가로 charge balance가 향상된다. EL spectrum 측정에서 $Ir(ppy)_3$은 파장 512nm 발광이 일어나고, CBP와 NPB은 각각 파장 380nm, 433nm로 분석된다. 각 물질의 triplet의 전달은 energy level이 큰 곳에서 작은 곳으로 전달되는데 이러한 이유로 전압에 따른 recombination zone 변화로 각 물질에서 나오는 파장의 intensity가 달라지는 것을 확인하였다. $Ir(ppy)_3/CBP$은 낮은 전류 밀도에서는 CBP의 영향으로 380nm 파장대가 크고, 높은 전류 밀도에서는 $Ir(ppy)_3$의 영향으로 512nm 파장대가 크게 나오는 것을 확인했고, $CBP/Ir(ppy)_3$에서는 낮은 전류 밀도에서 512nm 파장대가 커지고, 큰 전류 밀도에서는 CBP에서 NPB로의 triplet 에너지 전달의 증가로 433nm 파장대가 커지는 것을 확인하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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