• Title/Summary/Keyword: 광 방출

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화학적 기상 에칭법을 이용한 고품질 질화물 반도체 나노구조 형성 연구

  • Kim, Je-Hyeong;Go, Yeong-Ho;Gong, Su-Hyeon;Go, Seok-Min;O, Chung-Seok;Park, Gi-Yeon;Jeong, Myeong-Ho;Lee, Jeong-Yong;Jo, Yong-Hun
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2012.08a
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    • pp.182-182
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    • 2012
  • 반도체 저차원 구조에서의 독특한 광학적, 전기적 특성이 연구됨에 따라 양자점, 양자선, 양자우물과 같은 공간적으로 구속되어 있는 나노구조 형성에 관한 제작 방법과 그 특성 연구가 많은 관심을 받고 있다. 하지만 Si 또는 GaAs 반도체와 달리 광소자로써 각광받고 있는 질화물 반도체의 경우, 높은 화학적, 물리적 안정성으로 인해, 화학적 에칭에 의한 나노구조 형성이 쉽지 않고, 물리적 에칭의 경우, 표면 결함이 많이 발생되는 문제점이 있어 어려움을 겪고 있다. 최근 본 연구그룹에서는 자체 개발한 고온 HCl 가스를 이용한 화학적 기상 에칭법을 이용하여, 다양한 크기, 모양의 나노구조 형성 및 이를 이용한 다양한 타입의 InGaN 나노구조 제작 및 특성에 대해 연구하였다 (Figure 1). 화학적 기상 에칭법을 이용한 나노구조의 경우, 선택적인 결함구조 제거 및 이종기판 사용에 따른 응력 감소, 광추출 효율을 증가시켜, 우수한 구조적, 광학적 특성을 보여주었고, 에칭 조건에 따른, 피라미드, 막대와 같은 다양한 나노구조를 제작하였다. 뿐만 아니라 이를 기반으로 한 다양한 InGaN 나노구조를 모델을 제시하였는데, 첫번째는 GaN 나노막대 기판 위에 형성된 고품위InGaN 양자우물구조 성장이고, 두 번째는 InGaN 양자우물을 포함하고 있는 나노막대 구조 제작, 세번째는 InGaN/GaN core/shell 구조이다 (Figure 2). 이러한 InGaN 나노구조의 경우 높은 광결정성 및 크게 감소한 내부 전기장 효과, 광방출에 유리한 구조에 기인한 우수한 광특성을 보여주고 있어 광소자로써 응용가능성이 크고, InGaN/GaN core/shell 나노구조의 경우, 나노구조 내부에 단일 InGaN양자점이 형성되어 높은 광추출효율의 양자광소자로써 활용가능성을 보여주었다.

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Variation of Frit Size and Firing Conditions for High Transmittance in $P_2O_5$-ZnO-RO Glass System ($P_2O_5$-ZnO-RO 유리계의 고 투과율 특성을 위한 프릿 크기 및 소성조건의 변화)

  • 차명룡;전재삼;정병해;김형순
    • Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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    • 2003.11a
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    • pp.197-197
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    • 2003
  • 현재 PDP(Plasma Display Panel) 투명유전체층은 PbO 계열을 사용하고 있으나 제조공정 시 다량의 중금속 페기물이 방출됨에 따라 환경오염을 야기시킴으로 무연조성이며 저온소성이 가능한 저융점유리인 인산염계 유리에 대한 열적, 화학적, 광학적 특성에 대해 체계적인 연구가 진행되었다. 광학적 특성을 위 한 승온속도, 소성온도, 유지시간의 변화 그리고, 프릿 입도에 따른 광 투광성, 기포의 형성, 그리고 기포의 분포특성을 연구하였다. 열적특성은 DTA와 TMA를 이용하여 유리전이점(Tg) 및 선팽창계수(CTE)와 Littleton softning point (Ts)가 측정되었다. 광학적특성은 스크린프린팅법으로 후막 제조 후 소성하여 UV-visible spectrometer을 이용하여 300~800nm영역에서 투광성을 측정하였으며, FEG-SEM, AFM을 이용해 표면을 관찰하였다. 결과로써, Tg는 440-46$0^{\circ}C$ 와 CTE는 7~8.5$\times$$10^{-6}$K값을 보였고 높은 화학적 내구성과 60-80%의 광투과율을 나타내었다. 프릿의 미세화, 숭온속도의 감소는 기포의 생성을 줄이는데 효과를 보였으며, 그 결과 양호한 광투과율을 얻을 수 있었다. 이러한 결과에 따르면, P$_2$O$_{5}$-ZnO-RO 조성은 PDP용 투명유전체 조성으로써 기존의 PbO계열을 대체할만한 새로운 조성으로 고려된다.

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Decomposition of Oxalic Acid in Nitric Acid by UV Radiation (질산매질에서 UV 조사에 의한 옥살산 분해)

  • Kim, Eung-Ho;Kim, Young-Hwan;Chung, Dong-Yong;Yoo, Jae-Hyung
    • Applied Chemistry for Engineering
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    • v.8 no.1
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    • pp.108-113
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    • 1997
  • Decomposition of oxalic acid was studied in nitric acid media by using UV radiations. The UV source is Hg-lamp, emitting $2537{\AA}$ wavelength. Oxalic acid was not decomposed by itself in spite of UV radiation, but in the presence of nitric acid decomposed easily under UV radiation. It is believed that oxygen radical generated from nitrate ion by UV radiation results in the decomposition of oxalic acid. Decomposition rate of oxalic acid reached a maximum in around 0.5M $HNO_3$ and then gradually decreased with nitric acid concentration. The decrease can be also explained to be due to the reaction between oxygen radical and $NO_3{^-}$.

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이중발광 코어/쉘 나노형광체

  • Jang, Ho-Seong;U, Gyeong-Ja;Im, Gi-Pil
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2014.02a
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    • pp.132.2-132.2
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    • 2014
  • 란탄족 원소가 도핑된 세라믹 나노결정, 즉, 나노형광체는 도핑되는 원소의 종류에 따라 다양한 색을 발광할 수 있다. 일반적으로 형광체는 외부에너지에 의해 여기된 후 흡수한 에너지 보다 작은 에너지의 가시광을 발광하게 된다. 이러한 현상은 downconversion 발광으로 알려져 있다. 그러나 모체에 Yb3+와 Er3+를 도핑하는 경우 적외선을 흡수하여 가시광선을 발광하는 upconversion 현상이 관찰된다. Upconversion 형광체를 이용하여 적외선을 가시광으로 변환시키면 sub-band gap 손실을 줄임으로써 태양전지 효율을 높일 수 있고, 바이오 이미징 감도를 높일 수도 있다. 그러나, upconversion 발광기구에서는 두 개의 적외선 광자가 흡수되어 하나의 가시광 광자가 방출되기 때문에 upconversion 발광 효율은 downconversion 발광 효율에 비하여 매우 낮은 특성을 보인다. 특히 형광체의 크기가 작아져 나노미터 영역의 크기가 되면 효율이 더욱 낮아지기 때문에 upconversion 나노형광체의 경우 효율을 증가시키기 위하여 형광체 주위로 결정질 쉘을 형성시키는 것이 필요하다. 이 때, 결정질 쉘에 downconversion 특성을 보일 수 있는 란탄족 원소를 도핑하는 경우 upconversion 발광 강도가 증대될 뿐 아니라, 하나의 나노입자에서 upconversion과 downconversion 두 가지 서로 다른 발광 특성을 관찰할 수 있다. 본 발표에서는 단일 나노입자에서 upconversion과 downconversion 발광을 보이는 이중발광 코어/쉘 나노형광체의 발광 특성에 대하여 논의하고자 한다.

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Improvement of Direct-Modulation Performances of Semiconductor Lasers by using Dual-Electrode Structure (이중 전극 구조를 이용한 반도체 레이저의 직접 변조 성능 향상)

  • Sung, Hyuk-Kee
    • Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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    • v.15 no.3
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    • pp.654-659
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    • 2011
  • We propose a novel method to reduce laser chirp and improve modulation performance in semiconductor laser by using dual-electrode structure. Dual-electrode structure is realized by segmenting a electrode on top of gain medium, as was the case of edge emitting laser diode, into electrically isolated two electrodes. By using the proposed structure, we have experimentally achieved a reduction of laser spectral width of 0.23 nm and an improvement of 2.5-dB receiver sensitivity at an 80-km fiber transmission for 10-Gbps NRZ (non-return-to zero) data stream.

Study on the characteristics of miniaturized free electron laser module (초소형 자유전자 레이저 모듈에 대한 특성 연구)

  • Kim, Young-Chul;Ahn, Seong-Joon;Kim, Ho-Seob;Kim, Dae-Wook;Ahn, Seung-Joon
    • Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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    • v.9 no.6
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    • pp.1607-1613
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    • 2008
  • We investigated the miniaturized free electron laser(FEL) module based on microcolumn. The miniaturized FEL is composed of two parts: electron generation part and radiation emission part. The radiation emission part, called wiggler, consists of a grid plate. While the electrons are passing through the wiggler, electron trajectory shows sinusoidal curve caused by the periodically applied voltage on the grid, and then it give rise to radiation emission. We analyzed the wiggler parameters, grid width, depth, period, applied voltage and the pair wiggler space using 2-D simulation tool.

Optical Characteristics and Measurement System of Charged Particle Type Display (대전입자형 디스플레이 소자의 측정시스템 및 광학특성)

  • Kim, Baek-Hyun;Kim, Soung-Woon;Lee, Sang-Kug;Kim, Young-Cho
    • Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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    • v.9 no.1
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    • pp.29-34
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    • 2008
  • We fabricated the 4 channel wave function generator with variable frequency, pulse width, amplitude and rising/falling slope to develop driving method of charged particle type display. The selective sell driving is ascertained by fabricated panel with black and yellow particles. To measure CIE point, reflectivity, contrast ratio and viewing angle, experimental apparatus is integrated with optical circular$(1^{\circ})$ moving emitting/receiving part and spectrometer connected to emitting part. The yellow particles in glass have reflectivity of $35{\sim}40%$ and wavelength of 571.2nm and black one has reflectivity of $15{\sim}20%$ in case of only 1 layer of particle, and the case of 3 layer the optical property is promoted.

Simulation of Luminance and Uniformity of LGP According to the Laser Scattering Pattern (레이저 가공 산란패턴의 유형에 따른 도광판의 휘도 및 균일도 향상에 관한 전산모사)

  • Park, So-Hee;Lee, Seung-Suk;Ma, Hye-Joon;Choi, Eun-Seo;Shin, Yong-Jin
    • Korean Journal of Optics and Photonics
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    • v.21 no.6
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    • pp.225-229
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    • 2010
  • Laser-induced scatterer patterns in a light guide panel(LGP) have provided partially concentrated light distribution, especially near the light entrance of the LGP. Additional treatments for enhancing performance of the LGP, such as gradually increased processing depth, were also developed, but minor improvement was observed in the fabricated LGP. To solve this problem, we designed a revised scatterer pattern to be inscribed into the LGP using different laser processing depths and different separation distances between patterns. Performance feasibility of the proposed pattern was analyzed with simulation before laser inscription in the LGP. The LGP inscribed with the proposed scatterer patterns contributes improvements in luminance and uniformity of the LGP.

Growth and characterization of CdTe single crystals by vertical Bridgman method (수직 Bridgman법에 의한 CdTe 단결정의 성장과 특성)

  • 정용길;신호덕;엄영호;박효열;진광수
    • Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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    • v.6 no.2
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    • pp.220-228
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    • 1996
  • CdTe single crystals were grown by vertical Bridgman method using double furnace with two siliconit heating elements. When the peak temperature of the upper furnace was fixed at $1150^{\circ}C$ and that of the lower furnace was $800^{\circ}C$, the temperature gradient was about $22.5^{\circ}C$/cm. The lattice constant $a_0$ was $6.482\AA$ from the X-ray diffraction and the band gap energy obtained from the optical absorption experiment at room temperature was 1.478 eV. PL spectrum showed that the bound exciton emission peak was resolved into ($A^0,X$) (1.5902, 1.5887 eV), ($h\;D^0$) (1.5918 eV) and ($D^0,X$ (1.5928, 1.5932 eV), and we have also calculated binding energy and ionization energy of the neutral donor and acceptor.

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The composition control of ITO/PET by Plasma Emission Monitors (PEM을 이용한 ITO/PET film 조성 제어)

  • 한세진;김용한;김영환;이택동
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 1999.07a
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    • pp.213-213
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    • 1999
  • 현재 LCD용 기판재료는 ITO/glass를 전극으로 사용하고 있다. 그러나 유리기판은 무겁고 깨지기 쉽기 때문에 사용상 곤란한 점이 많다. 최근 flexible하고 가공성 및 생산성이 우수한 플라스틱한 ITO를 성막하여 EL용, Touch panel, plastic LCD용 사용하려는 시도로, roll-to-roll 연속 스퍼터링에 의한 ITO성막공정에 대한 연구가 최근 활발하게 이루어지고 있다. 폴리머는 유리에 비해 Tg 온도가 낮고, 기판으로부터의 수분 및 여러 종류의 가스방출이 심하기 때문에 유리와는 달리 ITO막의 제조에 있어 큰 차이점이 있다. 따라서, 폴리머에 반응성 스퍼터링을 하기 위해서는 표면처리가 중요한 변수가 되며, roll to roll sputter로 ITO 필름을 얻기 위해서는 폭과 길이 방향으로 균일한 막을 얻는 것이 중요하다. 두께 75$\mu\textrm{m}$, 폭 190mm, 길이 400m로 권취된 광학용 Polyethylene terephthalate(PET:Tg:8$0^{\circ}C$)위에 In-10%Sn의 합금타겟과 Unipolar pulsed DC power supply를 사용하여 반응성 마그네트론 스퍼터링 방법으로 0.2m/min의 속도로 연속 스퍼터링 하였다. PET를 Ar/O2 혼합가스로 플라즈마 전처리를 한 후, AFM, XPS를 이용하여 효과를 분석을 하였고, 성막전에 가스방출을 막기 위해 TiO를 코팅하였다. Pilot 연속 생산공정에서 재현성을 위해 PEM(Plasma Emission Monitor)의 optical emission spectroscopy를 이용, 금속과 산화물의 천이구역에서 sprtter된 I/Sn 이온과 산소 이온의 반응에 의한 최적의 플라즈마의 강도값을 입력하여 플라즈마의 radiation을 검출하고, 스퍼터링 공정중 실질적인 in-situ 정보로 이용하였다. PEM을 통하여 In/Sn의 플라즈마 강도변화를 조사하였다. 초기 In/Sn의 플라즈마 강도(intensity)는 강도를 100하여, 산소를 주입한 결과, plasma intensity가 35 줄어들었고, 이때 우수한 ITO 박막을 얻을 수 있었다. Pulsed DC power를 사용하여 아크 현상을 방지하였다. PET 상에 coating 된 ITO 박막의 표면저항과 광투과도는 4-point prove와 spectrophotometer를 이용하여 분석하였고, AES로 박막의 두께에 따른 성분비를 확인하였다. ITO 박막의 광투과도는 산소의 유량과 sputter 된 In/Sn ion의 plasma emission peak에 따라 72%-92%까지 변화하였으며, 저항은 37$\Omega$/$\square$ 이상을 나타내었다. 박막의 Sn/In atomic ratio는 0.12, O/In의 비율은 In2O3의 화학양론적 비율인 1.5보다 작은 1.3을 나타내었다.

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