• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.5 no.2
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• pp.181-188
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• 1995

3차 비선형광학 재료를 설계하기 위해 단성분 산화물에서의 산소의 평균 전자분극률과 광학 염기도를 굴절율, 에너지 갭의 각기 다른 물성을 통해 산출하였다. Lorentz-Lornez식과 Duffy 의 반실험식을 도입하여 산소의 평균 전자분극율과 광학 염기도를 두가지 다른 물성으로부터 계산하여 비교하였다. 처음으로 독립적인 초기값에서 계산한 각각의 산소의 평균 전자분극률과 광학 염기도 사이에 좋은 상응관계가 있음을 확인하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2012.08a
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• pp.194-195
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• 2012

박막 실리콘 태양전지에 입사한 빛 중 흡수층인 진성 비정질 실리콘층(i-a-Si)에 흡수된 빛은 출력으로 변환되나, 기타의 층에서 흡수된 빛은 손실 성분이 된다. 이 중 흡수 손실이 큰 층은 도핑 층(p-a-SiC 및 n-a-Si)들인데, 이 들의 흡수 손실을 측정된 광학함수를 이용해 계산해 보면 Fig. 1과 같이 나타난다. p-a-SiC은 광 입사부에 위치하여 단파장 영역의 흡수 손실을 일으키고, n-a-Si 은 태양전지의 후면에 위치하여 장파장 영역의 흡수손실을 일으킨다. 이러한 도핑층에서의 흡수 손실을 제거 또는 개선하기 위해 도핑층의 재료를 기존 재료보다 광학적 밴드갭이 큰 재료로 대체하여 개선하는 방안에 대해 논하고자 한다. 금속 산화물의 밴드갭은 실리콘 화합물에 비하여 대체로 큰 값을 가지기 때문에 이를 기존의 실리콘 화합물 대신으로 사용한다면 광학적 흡수 손실을 효과적으로 줄일 수 있다. 단, 이때 태양전지의 광 전압을 결정하는 인자가 p층과 n층 사이의 일함수 차이에 해당하므로, p층의 대체층으로 사용 가능한 금속 산화물은 일함수가 큰(＞5 eV) 재료 중에서 선택하는 것이 적합하며, n층의 대체층으로 사용 가능한 금속 산화물은 일함수가 작은(＜ 4.2 eV) 재료 중에서 선택하는 것이 적합하다. Table 1에서 p층과 n층 대체용 금속산화물의 후보들을 정리하였다. 먼저 도핑층에서의 광 흡수가 광손실이 될 수 밖에 없는 물리적 근거에 대해서 논하고, 그 실험적인 증명을 제시한다. 이러한 개념을 바탕으로 도핑층의 내부 전기장의 방향을 제어하여 전자-정공쌍을 분리 수집하는 방법을 실험적으로 구현하였다. 이어서 금속 산화물을 부분적으로 대체하여 흡수 손실을 개선하는 방안을 제시한다. WOx, NiOx, N doped ZnO 등을 적용하여 그 효과를 비교 검토하였다. 끝으로 금속산화믈 대체 또는 쇼트키 접합을 적용하여 도핑층의 광 흡수를 줄이고 효율을 향상하는 방안을 제시한다. 그 사례로서 WOx, MoOx, LiF/Al의 적용결과를 살펴보고 추가 개선방안에 대해 토의할 것이다. 결론적으로 광학적 밴드갭이 큰 재료를 도핑층 대신 사용하여 흡수 손실을 줄이는 것이 가능하다는 것을 알 수 있고, 이 때 일함수 조건이 만족이 되면 광 전압의 손실도 최소화할 수 있다는 점을 확인할 수 있었다. 현재까지 연구의 한계와 문제점을 정리하고, 추가 연구에 의한 개선 가능성 및 실용화 개발과의 연관관계 등을 제시할 것이다.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2003.11a
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• pp.174-174
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• 2003

ZnO는 상온에서 3.36 eV의 wide band gap과 60 meV의 큰 엑시톤 결합 에너지를 가지며, GaN(28 meV)와 ZnSe(19 meV)와 같은 wide band gap 재료와 비교해서 가장 우수한 exciton emission을 가진다. 이러한 특성 때문에 UV 레이저 및 LED와 같은 광학소자로서 그 응용의 잠재성이 높다. 박막의 우수한 광학적 특성과 결정성을 개선하기 위해 다양한 공정조건(RF 파워, 공정압력, 산소분압, 온도)에서 마그네트론 스퍼터링을 이웅하여 Si 기판상에 ZnO 박막을 성장 하였다. 또한, 저온 self-buffer를 이용하여 박막의 광학적 특성과 결정성을 더욱 개선 할 수 있었다. RF 파워와 공정압력은 박막의 PL(phothluminescehce) 특성이나 결정성에는 큰 영향을 주지 않았고 산소분압은 PL intensity의 변화를 가져왔으며, 온도는 결정성에 큰 영향을 주었다. 산소 분압이 증가 할수록 비화학량론적(산소 공공, 침입형 아연) 결함으로 인한 visiable 영 역의 peak 의 강도가 감소하는 것을 관찰하였다. 온도가 증가할수록 박막의 결정성에 나쁜 영향을 주었는데 저온 self-buffer를 도입하므로써 ZnO 박막의 결정성과 PL특성을 함께 개선하였다.

• The Optical Journal
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• s.117
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• pp.56-57
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• 2008

Data Supply는 '컬러화로 급증하는 감광체 시장의 현상과 미래 전망' 이란 주제로 '2008년판 감광체 시장 총람'을 발간했다. 이 리포트에서는 도표재료, 소관, 소관가공업계 및 하드웨어와 관련하여 감광체 비즈니스를 세계적으로 전망했다. 또한 지금까지 조사해왔던 항목에 덧붙여 새로 부대전감광체의 생산에 첨가하는 제조사에도 주목했다.

• The Optical Journal
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• s.103
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• pp.71-78
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• 2006

연삭절단은 외주 날 블레이드에 의한 방법과 내주 날 블레이드에 의한 방법 두 가지로 크게 나뉜다. 이중 외주 날 절단은 전자산업이 발달한 오늘날 가장 일반적인 정말 연삭 절단법이고 여기에 이용되는 절단기는 절단 이외에 총형홈 가공도 할 수 있기 때문에 범용성이 높다. 본 고에서는 이러한 절단 이외에 홈가공도 가능한 외주 날 절단에 대해서만 개략적으로 설명하기로 한다.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 1994.11a
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• pp.96-96
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• 1994

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 1999.11a
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• pp.154-154
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• 1999

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2001.05a
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• pp.69-69
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• 2001

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 1993.11a
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• pp.110-110
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• 1993

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2001.11a
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• pp.158-158
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• 2001